表示其HBM2E是第四個工業(yè)時代的最佳內(nèi)存解決方案,支持需要最高內(nèi)存性能的高端GPU,超級計算機,機器學(xué)習(xí)和人工智能系統(tǒng)
2019-08-13 09:28:41
5518 提供的HBM2E內(nèi)存達(dá)到了3.6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,而在和他們的合作過程中我們將速率進(jìn)一步地推進(jìn)到了4.0 Gbps。” Rambus IP核產(chǎn)品營銷高級總監(jiān)Frank Ferro分享說,“此次
2020-10-23 09:38:09
7476 12月9日,Rambus線上設(shè)計峰會召開,針對數(shù)據(jù)中心的存儲挑戰(zhàn)、5G邊緣計算,以及內(nèi)存接口方案如何提高人工智能和訓(xùn)練推理應(yīng)用程序的性能,Rambus中國區(qū)總經(jīng)理蘇雷和Rambus高速接口資深應(yīng)用工程師曹汪洋,數(shù)據(jù)安全資深應(yīng)用工程師張巖帶來最新的產(chǎn)業(yè)觀察和技術(shù)分享。
2020-12-21 22:15:27
5837 的2Gbps,HBM2E將這一速度提升到了3.2Gbps,并且單堆棧12 Die能夠達(dá)到24GB的容量,理論最大帶寬410GB/s。同時,按照設(shè)計規(guī)范,對于支持四堆棧的圖形芯片來說,總帶寬高達(dá)1.64TB
2021-08-23 10:03:28
1523 近年來,隨著內(nèi)存帶寬逐漸成為影響人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一,以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E)和GDDR開始逐漸顯露頭角,成為搭配新一代AI/ML加速器和專用芯片的新型內(nèi)存解決方案
2020-10-23 15:20:17
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然而在此過程中,我們除了看到AI對算力的要求以外,內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個優(yōu)先選擇,這也是英偉達(dá)在Tesla A100和谷歌在二代TPU上選擇這個內(nèi)存方案的原因。
2020-11-09 12:45:40
2412 熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計師之間的設(shè)計動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性和性能而構(gòu)建的設(shè)計。值得信賴的系統(tǒng)級和板級合作伙伴關(guān)系以及對與 DRAM 內(nèi)存模塊相關(guān)的當(dāng)前熱概念的更深入了解可以使最終產(chǎn)品取得成功。
2022-07-12 11:24:33
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三星電子宣布推出了業(yè)界首款符合HBM2E規(guī)范的內(nèi)存。它是第二代Aquabolt的后繼產(chǎn)品,具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩(wěn)定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:23
1247 出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中,內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素,這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù),去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 ? 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中,已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù),通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-01 15:59:41
3629 帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 ? 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿,但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持HBM3的內(nèi)存子系統(tǒng),近日,新思科
2021-10-12 09:33:07
3570 SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com) 宣布業(yè)界首次成功開發(fā)現(xiàn)有最佳規(guī)格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:47
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了。與此同時,在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中,HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍,為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。 ? 提及HBM,不少人都會想到成本高、良率低等缺陷,然而這并沒有影響業(yè)內(nèi)對HBM的青睞,諸如AMD的Radeon?Pro?5600M、英偉達(dá)的A100?等消費級
2022-03-29 07:35:00
2025 將高性能工作負(fù)載的數(shù)據(jù)傳輸速率提升至最高64 GT/s 支持PCIe 6.0的全功能,提供對CXL 3.0的PHY支持 對延遲、功耗和面積進(jìn)行優(yōu)化,提供完整的IP解決方案 提供最先進(jìn)的安全性,保護(hù)
2022-12-01 13:39:25
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,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出全新6400 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器(RCD),并向各大DDR5內(nèi)存模塊(RDIMM)制造商提供
2023-02-22 11:45:48
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為由,將4家中國公司加入SDN名單。 ? 2. SK 海力士開發(fā)出世界首款12 層堆疊HBM3 DRAM ,已向客戶提供樣品 ? SK海力士20日宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存
2023-04-20 10:22:19
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶) SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:00
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內(nèi)存接口性能。Rambus GDDR6 PHY提供市場領(lǐng)先的數(shù)據(jù)傳輸速率,最高可達(dá)24 Gb/s,能夠為每個GDDR6內(nèi)存設(shè)備帶來96 GB/s的帶寬。作為系統(tǒng)級解決方案的一部分,Rambus
2023-05-17 13:47:04
313 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)新型存儲HBM隨著AI訓(xùn)練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看,HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:24
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(Dubhe-90)的高性能RISC-V眾核子系統(tǒng)IP平臺。
StarLink-700是賽昉科技自研的支持緩存一致性的Interconnect Fabric IP,是國內(nèi)首款Mesh架構(gòu)互聯(lián)總線IP
2023-11-29 13:37:35
Soo-Kyoum Kim表示:“DDR5大幅提升了計算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬,DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵。”Rambus
2023-02-22 10:50:46
的計算圖表示。ARM專用AI引擎 Tengine支持了Firefly平臺,可以輕松搭建AI計算框架,性能大幅度提升,助力AI開發(fā)。在Firefly-RK3399平臺上,安裝Tengine后,可以運行
2018-08-13 15:58:50
我想知道 X-CUBE-AI 和 NanoEdge AI Studio 在 ML 和 AI 開發(fā)環(huán)境中的區(qū)別。我可以在任何一個開發(fā)環(huán)境中做同樣的事情嗎?使用的設(shè)備有什么限制嗎?
2022-12-05 06:03:15
的方式不再受限于芯片引腳,突破了IO帶寬的瓶頸。另外DRAM和CPU/GPU物理位置的接近使得速度進(jìn)一步提升。在尺寸上,HBM也使整個系統(tǒng)的設(shè)計大大縮小成為可能。目前,HBM2在很大程度上是GDDR6的競爭對手。不過從長遠(yuǎn)看,因為2D在制造上接近天花板,DRAM仍有很強的3D化趨勢。原作者:L晨光 馭勢資本
2022-10-26 16:37:40
主機控制器接口特性如下:1. 支持1.5Gbps, 3Gbps, 6Gbps線速率2. 提供FIFO數(shù)據(jù)流接口,支持扁平式地址訪問(只需提供首扇區(qū)地址和總扇區(qū)長度,控制器內(nèi)置DMA控制器實現(xiàn)連續(xù)的扇區(qū)
2015-11-11 15:06:39
DMA Read(內(nèi)存-->FPGA)的速度可達(dá)209MB/s.3. 4x PCI Express Gen 1 DMA Write(FPGA-->內(nèi)存)的速度可達(dá)860MB/s;4x PCI
2014-03-20 22:58:55
我對在 STM32 上使用 ML 和 AI 很感興趣,在花了一些時間查看 ST 文檔后,我認(rèn)為使用 NanoEdge AI Studio + ST 板是幫助我理解事物的最快方法。據(jù)我所知,ST
2022-12-06 07:35:35
,與DDR4相比,GDDR6的性能都有很大的提高,如圖3所示[2]。圖3 GDDR6和DDR4性能對比4.GDDR6和HBM2的比較HBM全稱High Bandwidth Memory,最初的標(biāo)準(zhǔn)是由
2021-12-21 08:00:00
。內(nèi)置雙核 Vision Q6 DSP,智能計算加速引擎,矩陣計算加速單元,雙目深度加速單元,進(jìn)一步提升視覺與AI性能,功耗更低,有利于移動設(shè)備、智能駕駛、監(jiān)控攝像頭、AR/VR等終端應(yīng)用。多路視頻處理
2022-06-07 15:12:36
傳輸子系統(tǒng)極簡解決方案,可支持100G CFP2 DCO和200G CFP2 DCO光模塊。 整個相干傳輸子系統(tǒng)配置和方案特點說明:高集成:電層和光層功能高度集成在1RU;大容量:400G/1RU相干
2021-06-04 16:38:39
有什么方法可以提升數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的性能嗎?
2021-04-22 06:14:55
開關(guān)穩(wěn)壓器須具備哪些特點?汽車電子系統(tǒng)對性能的要求有哪些?
2021-05-17 07:04:35
各場景AI應(yīng)用,高效優(yōu)化處理終端數(shù)據(jù),為數(shù)據(jù)采集分析、數(shù)據(jù)系統(tǒng)管理提供性能支持,有效減輕本地服務(wù)端壓力。 RK3588J采用8nm 64位超高性能CPU,具備93K DMIPS計算能力、6Tops
2022-07-25 15:48:24
季度內(nèi)。 FPGA芯片這兩年大熱,廠商對性能的追求也提升了,繼Altera之后賽靈思(Xilinx)公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片,該芯片
2016-12-07 15:54:22
隨著網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)中心帶寬需求的日益提升,針對高性能內(nèi)存解決方案的需求也是水漲船高。對于超過 400 Gbps 的系統(tǒng)開發(fā),以經(jīng)濟(jì)高效的方式實現(xiàn)內(nèi)存方案的性能和效率已經(jīng)成為項目中的重要挑戰(zhàn)之一。
2020-12-03 07:14:31
????Rambus公司日前發(fā)布一款運用高帶寬內(nèi)存接口技術(shù)的新一代XDR內(nèi)存——XDR2。這款XDR2的運行時鐘可達(dá)8GHz,遠(yuǎn)高于以前XDR的4.8GHz。其XDR主要通過降低內(nèi)存回
2006-03-13 13:09:45
705 三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費以達(dá)成和解
韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議,三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司
2010-01-21 10:55:36
720 Rambus Inc.(納斯達(dá)克:RMBS)8月26日宣布推出用于RDIMM與LRDIMM[i]的R+ DDR4服務(wù)器內(nèi)存芯片組RB26,該芯片組擁有優(yōu)異的性能與高容量,能夠充分滿足企業(yè)與數(shù)據(jù)中心
2015-08-27 09:02:01
1772 FPGA芯片這兩年大熱,廠商對性能的追求也提升了,繼Altera之后賽靈思(Xilinx)公司現(xiàn)在也宣布推出基于HBM 2顯存的Virtex UltraScale+系列FPGA芯片,該芯片2015
2016-11-10 15:20:07
4221 Rambus首次公布HBM3/DDR5內(nèi)存技術(shù)參數(shù),最大的關(guān)注點在于都是由7nm工藝制造。7nm工藝被認(rèn)為是極限,因為到了7nm節(jié)點即使是finfet也不足以在保證性能的同時抑制漏電。所以工業(yè)界用砷化銦鎵取代了單晶硅溝道來提高器件性能,7nm是一項非常復(fù)雜的技術(shù)。
2017-12-07 15:00:00
1535 Oclaro日前推出針對100Gbps及其以上速率的相干光傳輸系統(tǒng)的拉曼放大器及混合拉曼/EDFA產(chǎn)品。
2018-10-25 16:21:13
862 關(guān)鍵詞:驍龍675 , 高通 來源:新浪科技 10月23日上午消息,美國高通公司在香港宣布推出驍龍675移動平臺。高通稱,驍龍675將全面提升智能手機在游戲、拍照以及AI方面的體驗,AI應(yīng)用可達(dá)
2018-10-27 17:13:01
216 鯤鵬920主頻可達(dá)2.6GHz、單芯片可支持64核。該芯片集成8通道DDR4,內(nèi)存帶寬超出業(yè)界主流46%。芯片集成100G RoCE以太網(wǎng)卡功能,大幅提高系統(tǒng)集成度。鯤鵬920支持PCIe4.0
2019-01-08 09:12:24
3493 泰科電子的USB 3.0連接器符合USB-IF的所有標(biāo)準(zhǔn)。它支持5 Gbps的快速同步數(shù)據(jù)速率,相比USB 2.0性能提升了十倍,讓用戶在片刻間就能下載自己喜歡的高清電影。此外,這種USB 3.0連接器還可向后兼容USB 2.0,同時消除設(shè)備輪詢,降低活動和閑置功耗要求,從而實現(xiàn)最優(yōu)化的功率效率。
2019-01-22 15:57:14
1566 華為5G CPE Pro采用業(yè)內(nèi)首款基于3GPP R15標(biāo)準(zhǔn)的多模芯片——華為巴龍5000。該芯片支持Sub6G全頻段覆蓋,5G網(wǎng)絡(luò)下理論峰值速率可達(dá)4.6Gbps、現(xiàn)網(wǎng)實測速率高達(dá)3.2Gbps。
2019-02-25 09:56:19
2293 硅IP和芯片提供商Rambus 31日宣布其Rambus GDDR6 PHY 內(nèi)存已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先的18 Gbps性能。Rambus GDDR6 PHY IP以業(yè)界最快的18 Gbps數(shù)據(jù)速率運行,提供比當(dāng)前DDR4解決方案快四到五倍的峰值性能,延續(xù)了公司長期開發(fā)領(lǐng)先產(chǎn)品的傳統(tǒng)。
2019-11-15 16:07:03
883 相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達(dá)96GB的HBM2e顯存。
2020-03-27 09:11:31
7569 16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標(biāo)準(zhǔn)型進(jìn)行了一些更新來提升性能,作為中代產(chǎn)品,能提供更高的時鐘速度,更高的密度(12層,最高可達(dá)24GB)。三星是第一個將16GB/satck
2020-09-10 14:39:01
1988 為了給人工智能和機器學(xué)習(xí)等新興應(yīng)用提供足夠的內(nèi)存帶寬,HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設(shè)計者的兩個首選方案。
2020-10-26 15:41:13
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三星昨日宣布了一項新的突破,面向 AI 人工智能市場首次推出了 HBM-PIM 技術(shù),據(jù)介紹,新架構(gòu)可提供兩倍多的系統(tǒng)性能,并將功耗降低 71%。 在此前,行業(yè)內(nèi)性能最強運用最廣泛的是 HBM
2021-02-18 09:12:32
2044 三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
2021-02-20 16:35:46
1842 三星電子設(shè)計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說:“我們與Rambus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。
2021-05-25 10:12:59
2586 出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當(dāng)中,內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素,這又促進(jìn)業(yè)界不斷提供最新的技術(shù),去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達(dá)、AMD的GPU/CPU芯片封裝中,已經(jīng)應(yīng)用到了HBM內(nèi)存技術(shù),通過在一個2.5D封裝中將
2021-09-06 10:41:37
4378 算法和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)上,卻屢屢遇上內(nèi)存帶寬上的限制,主打大帶寬的HBM也就順勢成了數(shù)據(jù)中心、HPC等高性能芯片中首選的DRAM方案。 當(dāng)下JEDEC還沒有給出HBM3標(biāo)準(zhǔn)的最終定稿,但參與了標(biāo)準(zhǔn)制定工作的IP廠商們已經(jīng)紛紛做好了準(zhǔn)備工作。不久前,Rambus就率先公布了支持
2021-10-12 14:54:34
1391 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:14
2055 HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達(dá)921GB/s的內(nèi)存帶寬。
2021-10-22 09:46:36
3104 點擊藍(lán)字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓(xùn)練、游戲和汽車應(yīng)用,對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量,除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認(rèn)為是一種
2021-11-01 14:30:50
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隨著數(shù)據(jù)中心對人工智能和機器學(xué)習(xí)(AI/ML)的利用率越來越高,大量數(shù)據(jù)不斷被產(chǎn)生和消耗,這給數(shù)據(jù)中心快速而高效地存儲、移動和分析數(shù)據(jù)提出了巨大挑戰(zhàn)。
2021-12-22 10:20:19
810 
不太能滿足日益增加的帶寬了。與此同時,在我們報道的不少AI芯片、HPC系統(tǒng)中,HBM或類似的高帶寬內(nèi)存越來越普遍,為數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用提供了支持。
2022-03-31 11:42:23
2165 SoC 設(shè)計人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學(xué)習(xí)計算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應(yīng)用程序,每種應(yīng)用程序都有其自身的優(yōu)點,但
2022-07-30 11:53:50
1804 熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計師之間的設(shè)計動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性和性能而構(gòu)建的設(shè)計。值得信賴的系統(tǒng)級和板級合作伙伴關(guān)系以及對與 DRAM 內(nèi)存模塊相關(guān)的當(dāng)前熱概念的更深入了解可以使最終產(chǎn)品取得成功。
2022-08-17 09:51:17
884 
在超級計算機以令人驚訝的速度不斷超越,實現(xiàn)升級的背后,存儲芯片的性能持續(xù)提升,不斷突破閾值,為其提供了有力支持。越來越多的超級計算機也在服務(wù)器上使用高帶寬存儲器(HBM,High Bandwidth Memory),通過堆疊內(nèi)存芯片。
2022-09-01 15:12:54
448 10月25日,大名鼎鼎的Rambus宣布,推出全球首個PCIe 6.0接口子系統(tǒng),主要面向高性能數(shù)據(jù)中心、AI SoC等領(lǐng)域。 Rambus的這套方案包括完整的PHY物理層、控制器IP,完整符合
2022-10-27 10:06:23
490 
Houghton表示:“人工智能/機器學(xué)習(xí)(AI/ML)和數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載的快速發(fā)展正在推動數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的持續(xù)演進(jìn),并要求更高的性能水平。Rambus PCIe 6.0接口子系統(tǒng)可通過一
2022-12-01 16:32:11
825 Windows 子系統(tǒng)助力 Linux 2.0
2023-01-04 11:17:21
387 憑借Rambus GDDR6 PHY所實現(xiàn)的新一級性能,設(shè)計人員可以為帶寬要求極為苛刻的工作負(fù)載提供所需的帶寬。和我們領(lǐng)先的HBM3內(nèi)存接口一樣,這項最新成就表明了我們不斷致力于開發(fā)最先進(jìn)的內(nèi)存性能,以滿足生成式AI等先進(jìn)計算應(yīng)用的需求。
2023-05-17 14:22:36
554 作為面向高性能計算的產(chǎn)品,這款A(yù)UM芯片擁有96個代號“Zeus”的Arm Neoverse V1架構(gòu)內(nèi)核,擁有最高96GB的HBM3內(nèi)存,另外還支持16通道DDR5內(nèi)存。96個核心分布在兩個小芯片
2023-05-19 09:43:33
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HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,驗證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38
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HBM(高帶寬內(nèi)存)于 2013 年推出,是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述,HBM最重要的是帶寬更高,盡管HBM的內(nèi)存都以相對較低的數(shù)據(jù)速率運行,但其通道數(shù)更多。例如,以3.6
2023-05-29 09:34:57
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SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達(dá)首先要求提供樣品,這次的出貨量幾乎是千鈞一發(fā)。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領(lǐng)先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應(yīng)HBM3,并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39
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熱點新聞 1、三星計劃為英偉達(dá)AI GPU提供HBM3和2.5D封裝服務(wù) 據(jù)報道,英偉達(dá)正在努力實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心AI GPU中使用的HBM3和2.5D封裝的采購多元化。消息人士稱,這家美國芯片巨頭正在
2023-07-20 17:00:02
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1.2TB/s,引腳速率超過 9.2Gb/s,比當(dāng)前市面上現(xiàn)有的 HBM3 解決方案性能可提升最高 50%。美光第二代 HBM3 產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高 2.5 倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI
2023-07-28 11:36:40
535 性能可提升最高50%。美光第二代HBM3產(chǎn)品與前一代產(chǎn)品相比,每瓦性能提高2.5倍,創(chuàng)下了關(guān)鍵型人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心性能、
2023-08-01 15:38:21
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容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速度超過9.2Gb/s,相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍,據(jù)稱
2023-08-07 17:38:07
587 sk海力士表示:“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗為基礎(chǔ),成功開發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e。“將以業(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ),從明年上半年開始批量生產(chǎn)hbm3e,鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:49
563 該公司表示,HBM3E(HBM3的擴(kuò)展版本)的成功開發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗和量產(chǎn)準(zhǔn)備水平,SK海力士計劃在明年上半年量產(chǎn)HBM3E,鞏固其在AI內(nèi)存市場無與倫比的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-22 16:24:41
541 HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應(yīng)用,是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展,它有著當(dāng)前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07
559 有分析師爆料稱三星將成為英偉達(dá)的HBM3存儲芯片關(guān)鍵供應(yīng)商,三星或?qū)牡谒募径乳_始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3。
2023-09-01 09:46:51
40553 來源:EE Times 先進(jìn)ASIC領(lǐng)導(dǎo)廠商創(chuàng)意電子(GUC)宣布,公司HBM3解決方案已通過8.4 Gbps硅驗證,該方案采用臺積電5納米工藝技術(shù)。該平臺在臺積電2023北美技術(shù)研討會合作伙伴展示
2023-09-07 17:37:50
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,skjmnft同時已經(jīng)向英偉達(dá)等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬達(dá)寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務(wù)板塊,提升
2023-10-10 10:25:46
400 為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達(dá)9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的未來演進(jìn) 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13
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Gbps 的性能,可支持 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)的持續(xù)演進(jìn)。相比 HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率,Rambus HBM3 內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了 50%,總內(nèi)存吞吐量超過 1.2 TB/s,適用于推薦系統(tǒng)的訓(xùn)練、生成式 AI 以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。
2023-12-07 14:16:06
329 大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識,存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo),甚至某些場合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標(biāo),而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:11
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數(shù)據(jù)量、復(fù)雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓(xùn)練場景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當(dāng)中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48
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人工智能(AI)無疑是近幾年最火的技術(shù)。從開發(fā)到部署AI技術(shù)主要可分為兩大步驟,即AI訓(xùn)練和AI推理。
2023-12-22 13:50:33
517 年第四季度開始向主要 DDR5 內(nèi)存模塊 (RDIMM) 制造商提供樣品。Rambus 第四代 RCD 將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 7200 MT/s,設(shè)立了新的性能標(biāo)桿,相比目前的 4800 MT
2023-12-28 11:21:57
211 英偉達(dá)(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50
586 據(jù)最新傳聞,英偉達(dá)正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進(jìn)一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04
231 在人工智能大模型浪潮的推動下,AI訓(xùn)練數(shù)據(jù)集正極速擴(kuò)增。以ChatGPT為例,去年11月發(fā)布的GPT-3,使用1750億個參數(shù)構(gòu)建,今年3月發(fā)布的GPT-4使用超過1.5萬億個參數(shù)。海量的數(shù)據(jù)訓(xùn)練,這對算力提出了高需求。
2024-01-23 11:19:09
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目前,只有英偉達(dá)的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達(dá)到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達(dá)141GB。
2024-02-25 11:22:42
121 紫光展銳V620支持5/4/3/2G全網(wǎng)通。支持NR 2CC和LTE 5CC,在SA網(wǎng)絡(luò)下,其5G下行速率可達(dá)4.67Gbps,上行速率高達(dá)1.875Gbps,相比紫光展銳上一代產(chǎn)品提升100%。
2024-02-27 10:47:01
376 據(jù)手機資訊網(wǎng)站IT之家了解,MI300加速器配備了HBM3內(nèi)存模塊,并面向HBM3E進(jìn)行了重新設(shè)計。另外,該公司在供應(yīng)鏈交付合作方面頗為深入,不僅與主要的存儲器供應(yīng)商建立了穩(wěn)固的聯(lián)系,同時也與如臺積電等重要的基板供應(yīng)商以及OSAT社區(qū)保持著緊密的合作關(guān)系。
2024-02-27 15:45:05
152 2024年2月29日,是德科技(Keysight Technologies,Inc.)宣布,針對人工智能(AI)和機器學(xué)習(xí)(ML)基礎(chǔ)設(shè)施生態(tài)系統(tǒng),推出了 AI數(shù)據(jù)中心測試平臺,旨在加速AI / ML網(wǎng)絡(luò)驗證和優(yōu)化的創(chuàng)新。
2024-02-29 09:32:49
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AI服務(wù)器出貨量增長催化HBM需求爆發(fā),且伴隨服務(wù)器平均HBM容量增加,經(jīng)測算,預(yù)期25年市場規(guī)模約150億美元,增速超過50%。
2024-03-01 11:02:53
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同日,SK海力士宣布啟動 HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作,并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過了七個月。據(jù)稱,該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商,每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時內(nèi)處理多達(dá)約 33,800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:44
252 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家,預(yù)計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗,將進(jìn)一步強化公司在AI存儲器市場的領(lǐng)導(dǎo)者地位。
2024-03-19 15:18:21
252 Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37
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提及此前有人預(yù)測英偉達(dá)可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認(rèn)可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進(jìn)行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24
352 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM(高帶寬存儲器),是由AMD和SK海力士發(fā)起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合。如今HBM已經(jīng)發(fā)展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產(chǎn)品,SK海力士目前是唯一能量產(chǎn)HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:31
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