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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時序新標桿!

科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時序新標桿!

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2021年將是DDR內(nèi)存技術升級換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203529

三星電子宣布開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達到512GB的DDR5內(nèi)存模組

Intel副總裁Carolyn Duran確認,三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強可擴展處理器(Sapphire Rapids藍寶石激流)兼容。根據(jù)路線圖,Sapphire Rapids應該是第四代至強可擴展處理器,年底前登陸,除了DDR5,還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092262

新一代DDR5 DIMM的五大亮點,下一代服務器內(nèi)存展望

DDR5內(nèi)存的第二大改良是工作電壓(VDD)有所下降,進而帶來功耗的相應降低。采用DDR5之后,DRAM、緩沖芯片寄存時鐘驅動器(RCD)和數(shù)據(jù)緩沖器(DB)的供電電壓從1.2V下降到1.1V。
2021-04-20 15:22:375012

DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展新契機

回顧2020年,在新基建的驅動下,數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展的新契機。這一趨勢加速推動了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14日
2021-05-01 09:31:002290

DDR5首發(fā)上市,憑什么江波龍能做第一個吃螃蟹的企業(yè)?

我們都知道,隨著DDR5內(nèi)存模組標準的公布,各大企業(yè)都爭相研發(fā)DDR5內(nèi)存模組,想要抓住DDR5內(nèi)存模組發(fā)展的黃金時期,搶占DDR5內(nèi)存模組市場。雖然存儲行業(yè)中的每個參與者都有此想法,但是能真正做到
2021-05-08 14:03:23626

金泰克速虎T4 DDR5內(nèi)存正式發(fā)售 大容量 高頻率 低功耗

2020年,JEDEC固態(tài)技術協(xié)會正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標準DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。進入2021年,多家存儲企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:432758

DDR5放量元年 上游三巨頭積極部署

近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱,英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142323

美光正式推出全新Crucial英睿達DDR5內(nèi)存

美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達 DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達 DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161951

Longsys DDR5內(nèi)存條預計在2022年進入量產(chǎn)階段

行業(yè)客戶以及廣大用戶對產(chǎn)品技術發(fā)展的期望,早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-DIMM內(nèi)存條產(chǎn)品,并率先進行實際測試。 目前Longsys DDR5內(nèi)存條順利開發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM
2021-11-02 10:09:393123

金士頓DDR5內(nèi)存通過英特爾內(nèi)存解決方案_瑞虎8西伯利亞版上市發(fā)布

2021年10月9日北京訊,全球存儲領袖金士頓宣布,即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺認證,這是一個重要的里程碑,因為金士頓的DDR5內(nèi)存是首個通過英特爾DDR5平臺兼容性認證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161298

DDR5 32GB VLP RDIMM工規(guī)內(nèi)存模塊的特點

隸屬于SGH (Nasdaq: SGH)控股集團的全球專業(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領導者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊,這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:472061

主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表

主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費下載。
2022-05-16 14:16:2524

朗科越影Ⅱ DDR5內(nèi)存正式發(fā)布,全新外觀搭配強勁性能

4800MHz;集成PMIC電源管理芯片,電壓降至1.1V,功耗更低;加入On-dieEcc糾錯功能,運行更加穩(wěn)定等。 除了一線品牌外,老牌存儲廠商朗科也在積極布局這一領域,繼絕影RGB DDR5之后,朗科又將推出越影Ⅱ DDR5內(nèi)存,和絕影系列一樣,越影ⅡDDR5同樣定位中高
2022-05-24 16:29:381107

DDR5內(nèi)存的價格為何那么貴

DDR5DDR4的基礎上做了許多改進,首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:504518

DDR5內(nèi)存具體有哪些變化

從增強現(xiàn)實到人工智能、云計算再到物聯(lián)網(wǎng),5G正在燃爆新技術增長,同時也在燃爆它們生成的數(shù)據(jù)量。數(shù)據(jù)量越來越大,隨之而來的是存儲和快速訪問需求,DDR5之類的技術變得空前重要。數(shù)據(jù)中心需要持續(xù)存儲、傳送和處理這些數(shù)據(jù),推動著高速信令的極限,也給內(nèi)存帶來了前所未有的測試挑戰(zhàn)。
2022-08-01 17:48:101092

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應用

該機構表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機構還預計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標準。
2022-09-19 15:14:481537

KLEVV賦重磅推出CRAS XR5 RGB DDR5超頻電競內(nèi)存

2022年9月27日, KLEVV賦正式宣布推出新一代DDR5超頻電競內(nèi)存條——CRAS XR5 RGB ,采用全新DDR5記憶體標準,專為次世代操作系統(tǒng)量身打造,與第十二代Intel? Core
2022-09-27 11:36:40355

專門為內(nèi)存顆粒測試設計的DDR4/DDR5 Interposr測試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設計,阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:485279

HOF OC Lab大師系列DDR5 5800內(nèi)存硬件解析

從產(chǎn)品本身來看,與那些經(jīng)常使用黑色、銀色散熱器的高端DDR5內(nèi)存不同,HOF OC Lab大師系列內(nèi)存給人的第一印象更為清新,它采用了典雅的純白鋁合金散熱片設計,搭配黑色的名人堂Logo,凸顯高端與時尚。
2022-11-01 16:15:241031

SMART Modular世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊

隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團的全球專業(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領導者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊,為刀鋒服務器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。
2022-11-03 13:48:041005

8Gbps DDR5內(nèi)存來襲,聯(lián)合設計是否會成為常態(tài)?

基于原生的64位數(shù)據(jù)通道,可以提供更快的速率,也隨著DDR4、DDR5內(nèi)存標準的發(fā)展,迎來了更大的帶寬。 根據(jù)Exactitude Consultancy的統(tǒng)計,從2021年到2026年,全球DIMM市場將實現(xiàn)22%的年復合增長率,總市值在2026年突破100億美元。三星、SK海力士、美光等廠商也
2022-12-12 07:10:06909

KLEVV內(nèi)存實力豐富人們的數(shù)字生活體驗!

KLEVV賦,2022發(fā)布的DDR5 CRAS XR5 RGB超頻電競內(nèi)存條和DDR5新一代SO-DIMM/U-DIMM5600高頻普條均獲得業(yè)界強烈的反響。
2022-12-15 17:10:031637

ChatGPT帶旺服務器需求,Rambus發(fā)布第三代DDR5 RCD芯片,提前卡位DDR5市場爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)隨著服務器CPU更多的開始支持DDR5,服務器的內(nèi)存也正向DDR5滲透,Rumbus公司預計服務器DDR5將在2023年出現(xiàn)強勁增長。事實上,作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:134575

DDR4和DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:442272

內(nèi)存模組的類型

和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進入 DDR5 新世代,標準升級拉動相關芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:382585

芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存評測分析

今天我們測試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存,在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻,時序也控制在CL36-46-46-115 CR2,并且單條容量達到了24GB。
2023-06-26 10:39:411334

EUV光刻DDR5內(nèi)存狂飆 單條1TB不是夢

隨著制程工藝的進步,DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題,解決辦法就是上EUV光刻機,但是設備實在太貴,現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴,DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:071172

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術,它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2522728

XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測試詳解

在全默認設置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設定為40-40-40-76,因此在這個設置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當。
2023-09-15 10:40:421469

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風險也隨之增加,為進一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術,將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風險,同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31331

內(nèi)存大漲價!DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求,DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40488

臺電追風A60 DDR5內(nèi)存條全面上市

追風A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格,相較DDR4,性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬,讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時獲得更快速、更流暢的電腦體驗。
2023-12-05 15:52:491050

影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細評測報告

在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測,這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同,這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01659

lpddr5時序ddr5慢多少

LPDDR5DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存,它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標準,但它們面向不同的應用場景,并且在設計上有一些不同。 首先,讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:063874

DDR5內(nèi)存沖上8400MHz!DDR3L依然大行其道

硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道:CES 2024大展期間,雷克沙帶來了豐富的存儲方案,涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等,包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存
2024-01-12 10:32:271180

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術,它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點。下面將詳細比較這兩種內(nèi)存技術,以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:057564

南亞科技明年初試產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒,四款1Bnm制程DRAM產(chǎn)品已投產(chǎn)

據(jù)悉,現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量,預計明年產(chǎn)量將會進一步增加。
2024-05-30 15:41:09710

Rambus 通過 DDR5 服務器 PMIC 擴展適用于高級數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組

提供業(yè)界領先的 DDR5 服務器 PMIC,滿足AI及其他高級工作負載對最高性能與容量內(nèi)存模塊的需求 通過全新PMIC系列支持多代基于 DDR5 的高性能服務器 為 DDR5 服務器內(nèi)存模塊提供完整
2024-06-21 11:29:45228

0706線下活動 I DDR4/DDR5內(nèi)存技術高速信號專題設計技術交流活動

01活動主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術高速信號專題設計技術交流活動時間:2024年7月6日(本周六)10:00地點:深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002(深圳地鐵1號線,高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51230

DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線

DDR5標準JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內(nèi)存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細。不知道你開始使用DDR5沒有,你有關注過DDR5內(nèi)存條上的時鐘走線嗎?
2024-07-16 17:47:131490

DDR5內(nèi)存面臨漲價潮,存儲巨頭轉向HBM生產(chǎn)

近日,存儲芯片市場傳來重大消息,SK海力士正式通知市場,其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價15%至20%,這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于,SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:21575

DDR5規(guī)范重磅面世,揭幕下一代內(nèi)存大戰(zhàn)!

7月15日,JEDEC正式公布了全新的DDR5標準,劍指下一代高性能計算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱,DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設計的,不僅包括客戶端系統(tǒng),還有高性能服務器,為未來的數(shù)據(jù)中心和計算機改革提供全新的內(nèi)存技術。
2020-07-22 09:50:517030

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