2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過(guò)渡。
2024-03-17 09:50:37
433 
288 位置 DIMM DDR5 SDRAM 個(gè)插口 表面貼裝型
2024-03-14 20:41:22
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁(yè)介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開(kāi)始出貨。
2024-03-13 11:43:0591 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對(duì)于DDR4有更高的內(nèi)部時(shí)鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34119 據(jù)介紹，這是業(yè)界首次將PCB熱涂層技術(shù)應(yīng)用于超頻內(nèi)存中。該技術(shù)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存的運(yùn)行速率提升至每秒8000兆次以上，同時(shí)保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-03-07 14:21:35155 而作為一款給力的主板，映泰A620MH Aurora為M-ATX板型設(shè)計(jì)，具備雙DDR5內(nèi)存插槽；同時(shí)搭配了瑞昱RTL8111H千兆網(wǎng)卡以及ALC897音頻芯片。
2024-03-01 13:51:57158 值得注意的是，盡管英睿達(dá)早前已終止電競(jìng)超頻內(nèi)存產(chǎn)品線鉑勝 Ballistix，卻迅速帶來(lái)了具備散熱馬甲的 Pro 內(nèi)存系列，然而此間 Pro 內(nèi)存產(chǎn)品主要追求即插即用特性，并不涉及超頻。
2024-02-21 16:06:51239 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條的區(qū)別? 服務(wù)器內(nèi)存條和普通內(nèi)存條是計(jì)算機(jī)中常見(jiàn)的兩種內(nèi)存設(shè)備。它們?cè)谠O(shè)計(jì)、功能和應(yīng)用方面存在一些顯著的區(qū)別。 1.物理特性 普通內(nèi)存條通常采用DIMM封裝形式，而服務(wù)器
2024-02-19 10:19:58467 瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè)，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過(guò)第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步，DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:35240 截至目前，健鼎已經(jīng)開(kāi)始供應(yīng)DDR5內(nèi)存條使用的PCB板，其業(yè)務(wù)涵蓋存儲(chǔ)模組與汽車、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板等多個(gè)領(lǐng)域。其中，汽車板比重高達(dá)25%，服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備PCB板比重為20%，DRAM及DDR模組板比重超過(guò)18%。
2024-01-29 14:18:24218 極速卡、DDR4/DDR5內(nèi)存條、SSD和便攜式PSSD，主打高性能、低功耗、安全可靠、穩(wěn)定耐用。而產(chǎn)品外包裝則是采用了繽紛多彩、青春絢麗
2024-01-15 18:23:27180 
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052866 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來(lái)了豐富的存儲(chǔ)方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲(chǔ)卡等，包括頂級(jí)的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
DDR5已經(jīng)開(kāi)始商用，但是有的產(chǎn)品還才開(kāi)始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào)，對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24464 
1月8日，歌爾聯(lián)合高通公司推出了基于驍龍XR2 Gen 2平臺(tái)和驍龍 XR2+ Gen 2平臺(tái)的下一代混合現(xiàn)實(shí)（MR）參考設(shè)計(jì)。
2024-01-08 09:15:36320 瀾起科技，一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新，近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過(guò)不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級(jí)，他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片（DDR5 RCD04），進(jìn)一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:11457 瀾起科技，這一在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位的公司，近日發(fā)布了一款引人注目的新產(chǎn)品——DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04）。這款新產(chǎn)品的最大亮點(diǎn)在于其高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較于DDR5第一子代的RCD，速率提升了驚人的50%。
2024-01-07 16:28:24442 高通公司宣布推出一款全新的虛擬現(xiàn)實(shí)/混合現(xiàn)實(shí)芯片——Snapdragon XR2+ Gen 2。這款芯片是去年9月推出的XR2 Gen 2的升級(jí)版，專為虛擬現(xiàn)實(shí)頭顯、混合現(xiàn)實(shí)頭顯和其他可穿戴設(shè)備設(shè)計(jì)。
2024-01-05 15:31:22324 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來(lái)了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061162 近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 關(guān)于2023年第三季度毛利率增長(zhǎng)原因，瀾起科技指出，主要是因?yàn)?DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量占比提升，特別是 DDR5 第二子代 RCD 芯片出貨量及其占比顯著提升。
2024-01-03 13:52:11270 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測(cè)，這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01193 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無(wú)名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00249 
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出最先進(jìn)的第四代?DDR5 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD)，并于 2023
2023-12-28 11:21:57211 ）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
影馳20周年紀(jì)念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存采用了海力士M-Die顆粒，其超頻潛力可與SK海力士的A-Die顆粒相媲美。
即便頻率高達(dá)7200MHz，內(nèi)存時(shí)序依舊被壓制在36-46-46-116 CR2，電壓則是1.4V。
2023-12-21 15:53:31120 
公司保持著在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的相對(duì)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先。
2023-12-19 12:44:06248 時(shí)，位寬變?yōu)?4bit，即8個(gè)字節(jié)，于是SIMM就順勢(shì)變?yōu)镈IMM（Double-Inline Memory Module）。這種形態(tài)一直延續(xù)至今，也是內(nèi)存條的基本形態(tài)。
2023-12-16 15:00:571076 
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn)，無(wú)論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對(duì)DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306 
DDR5加速更高速、更高效、更智能的數(shù)字化未來(lái)
2023-12-07 15:07:34185 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺(tái)電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:49411 
為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40214 
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
在性能方面，美光公司表示，將128gb ddr5 rdimm產(chǎn)品的單位容量提高了45%以上，能源效率提高了24%，延時(shí)率大幅減少到16%，ai訓(xùn)練效率提高到了28%。
2023-11-29 14:08:51343 對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來(lái)臨，主要來(lái)自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過(guò)ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上，ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來(lái)看，ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217 在今年的 DesignCon 2023 活動(dòng)中，美光科技（Micron）展示了所有關(guān)于 DDR5 設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的演講，例如DRAM 內(nèi)部對(duì)決策反饋均衡器 （ DFE ）的需求。西門(mén)子EDA
2023-11-16 17:42:11253 
撕裂者PRO 7000WX系列擁有最多96核心192線程、八通道DDR5內(nèi)存、144條可用PCIe 5.0通道，撕裂者7000系列則最多64核心128線程、四通道DDR5內(nèi)存、88條可用PCIe 5.0通道。
2023-11-14 15:51:27242 英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺(tái) Meteor Lake 預(yù)計(jì)第四季度問(wèn)世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級(jí)為 DDR5。
2023-11-10 10:29:51279 ? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5， 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，帶寬從 8GB
2023-11-02 16:26:56537 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003895 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí)，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問(wèn)的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問(wèn)延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:41508 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開(kāi)發(fā)出10nm級(jí)第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì)，由于DDR5需求高漲，拉動(dòng)產(chǎn)品平均銷售單價(jià)，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績(jī)也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174 的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000?年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020?年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。 如今，無(wú)論是
2023-10-19 11:00:01313 
隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需cpu核心數(shù)量的增加，對(duì)更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加，克服了“內(nèi)存墻”問(wèn)題，優(yōu)化了總擁有費(fèi)用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以進(jìn)一步擴(kuò)展性能，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺(tái)之間的人工智能（ai）訓(xùn)練和推理
2023-10-13 10:55:04616 美光公司的1β制造工藝使用本公司的新一代高k金屬柵極工程（hkmg）， 16gb芯片的比特密度和能源效率分別比1a節(jié)點(diǎn)提高35%和15%。新技術(shù)有助于制造ddr5、lpddr5x芯片。
2023-10-11 14:34:37782 遇到一個(gè)比較有意思的問(wèn)題。一個(gè)朋友問(wèn)我說(shuō)：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13607 
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2023-10-09 16:17:140 在電腦上拆到2條rdram內(nèi)存條，這個(gè)和sdram內(nèi)存條有什么區(qū)別，可以兼容嗎
2023-10-08 09:01:45
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫IDDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331923 
相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441484 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
瀾起科技還介紹說(shuō)，根據(jù)存儲(chǔ)接口芯片的價(jià)格規(guī)律，一般來(lái)說(shuō)，新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級(jí)，其起銷價(jià)格會(huì)比上一代有所提高，上一代產(chǎn)品的售價(jià)會(huì)逐漸降低。為了保持存儲(chǔ)接口芯片產(chǎn)品的平均售價(jià)，使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比，ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價(jià)格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:34705 金泰克在存儲(chǔ)領(lǐng)域不斷追求創(chuàng)新和突破，致力于提高產(chǎn)品性能、效能和用戶體驗(yàn)。9月6日，金泰克新品超頻DDR5 SODIMM內(nèi)存正式發(fā)布上市，該內(nèi)存基頻為5600MT/s，容量為16GB，并支持Intel
2023-09-07 09:50:07627 
最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片，繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造，相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品，容量已經(jīng)增加了50多萬(wàn)倍！
2023-09-04 14:28:11264 設(shè)計(jì)、存儲(chǔ)器先進(jìn)封裝與測(cè)試等核心技術(shù)與能力，公司推出了一系列消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品，獲得用戶及權(quán)威評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可與好評(píng)。 文 章 轉(zhuǎn)載自什么值得買，評(píng)測(cè)博主硬核君 前言： DDR5內(nèi)存條是目前PC時(shí)代的主流，性能優(yōu)異，對(duì)于追求高性能的用戶，DDR5肉眼可見(jiàn)
2023-08-31 18:00:04460 
當(dāng)前火炫的ARGB: 電競(jìng)鍵盤(pán)、LED景觀照明等應(yīng)用芯片
火炫的ARGB應(yīng)用:
在ARGB展示中，MG32F02V032芯片里面帶一ASB總線，可控制4串ARGB燈條，就可呈現(xiàn)出酷炫變化的燈光
2023-08-29 15:37:44
電競(jìng)鍵盤(pán)M0系列: 玩家級(jí)酷炫燈光效果
玩家級(jí)酷炫燈光效果:
采用MG32F02U128芯片的鍵盤(pán)的應(yīng)用，其鍵盤(pán)的RGB燈效控制乃是透過(guò)硬件除法器計(jì)算燈效，然后再透過(guò)PWM輸出一個(gè)很漂亮
2023-08-29 15:34:08
下，內(nèi)存的性能就成了一個(gè)核心關(guān)注點(diǎn)。今天，我們來(lái)分析一下兩種主流的內(nèi)存技術(shù)——LPDDR4X和LPDDR5的區(qū)別，同時(shí)也探討一下LPDDR4X和DDR5的比較。 一、LPDDR4X和LPDDR5的介紹
2023-08-21 17:28:2919711 調(diào)查機(jī)構(gòu)trendforce的最新報(bào)告警告說(shuō)，傳統(tǒng)服務(wù)器市場(chǎng)狀況不佳，給同步存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)帶來(lái)沖擊，因此，最新ddr5存儲(chǔ)器產(chǎn)品的滲透率擴(kuò)大速度將達(dá)不到預(yù)期。
2023-08-17 09:35:26295 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512809 隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061885 
深圳惠科存儲(chǔ)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“惠科存儲(chǔ)”）是一家 專注于存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、測(cè)試及銷售的高新科技企業(yè)，公司核心產(chǎn)品為: 內(nèi)存條( D R A M )、固態(tài)硬盤(pán)( SSD)、嵌入式存儲(chǔ)
2023-07-25 17:23:01
由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價(jià)格和需求不斷增長(zhǎng)。
2023-07-21 18:13:27415 新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶端系統(tǒng)推出客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新
2023-06-29 18:15:03359 高速先生成員--姜杰
大家都在關(guān)注DDR5跑的有多快，高速先生卻在關(guān)心它為什么能夠跑的穩(wěn)……
內(nèi)存的穩(wěn)定性，離不開(kāi)RAS功能。提起RAS，熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號(hào)（Row
2023-06-28 09:09:11
內(nèi)存的穩(wěn)定性，離不開(kāi)RAS功能。提起RAS，熟悉DDR的小伙伴們一定記得行地址選通信號(hào)（Row Address Strobe, RAS），不過(guò)這個(gè)信號(hào)跟本文沒(méi)啥關(guān)系，為了避免大家概念混淆，先說(shuō)明一哈。
2023-06-28 09:07:36288 
今天我們測(cè)試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存，在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻，時(shí)序也控制在CL36-46-46-115 CR2，并且單條容量達(dá)到了24GB。
2023-06-26 10:39:41869 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
樹(shù)形拓?fù)湟彩且环N非常常見(jiàn)的拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">DDR2的內(nèi)存條中地址控制信號(hào)經(jīng)常使用這種拓?fù)洹ｋm然現(xiàn)在信號(hào)的速率越來(lái)越高，DDR5的速率已經(jīng)達(dá)到了6400Mbps，早已不再使用樹(shù)形拓?fù)洹５珜W(xué)習(xí)樹(shù)形拓?fù)洌私馄渲械脑O(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)也有助于我們分析解決其它信號(hào)完整性問(wèn)題。
2023-06-15 16:37:121708 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點(diǎn) 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測(cè)試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動(dòng)翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類產(chǎn)品減少磨損，達(dá)到更高的機(jī)械
2023-06-15 15:45:22
業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
2023-06-05 10:36:31302 
倚天710支持支持最先進(jìn)的DDR5 DRAM，為云計(jì)算和HPC提供巨大的內(nèi)存帶寬。
2023-05-30 15:09:002018 
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
數(shù)據(jù)中心、存儲(chǔ)、汽車和其他新興市場(chǎng)應(yīng)用的增長(zhǎng)正在推動(dòng)下一代內(nèi)存技術(shù)（DDR5、LPDDR5）的發(fā)展。與其前輩一樣，最新的內(nèi)存技術(shù)也使用內(nèi)存控制器和PHY之間的標(biāo)準(zhǔn)接口DFI，以降低集成成本并提
2023-05-26 11:13:401827 
DDR5 具有更高的速度和更小的占用空間。由于電壓要求從1.2V降低到1.1V，它還有望提高電源效率。電壓要求的降低給DIMM供應(yīng)商帶來(lái)了額外的抗噪性復(fù)雜性。它將需要額外的功能，例如決策反饋均衡
2023-05-25 18:08:55545 
DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441331 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個(gè)人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡(jiǎn)稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
Rambus預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5的拐點(diǎn)可能會(huì)在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342 
DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。
2023-04-18 11:36:471604 DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:171780 我目前正在開(kāi)發(fā)自己的基于 ESP32-s3 的自定義設(shè)計(jì)時(shí)有一個(gè)問(wèn)題。問(wèn)題是關(guān)于如何管理電路板和通過(guò)電路板連接的外部 RGB LED 燈條的電源需求。問(wèn)題是 LED 燈條可能需要高達(dá) 5 到 7
2023-04-13 08:41:42
? ? ? ? 原文標(biāo)題：本周五｜6400Mbps！DDR5系統(tǒng)超越速度極限全靠TA 文章出處：【微信公眾號(hào)：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-04-11 04:50:06232 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：下周五｜6400Mbps！DDR5系統(tǒng)超越速度極限全靠TA 文章出處：【微信公眾號(hào)：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-04-08 01:40:07221 ? ? ? ? 原文標(biāo)題：6400Mbps！DDR5系統(tǒng)超越速度極限全靠TA 文章出處：【微信公眾號(hào)：新思科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
2023-04-07 01:10:08535 DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472871 
各家的Intel 600、700系列主板都已陸續(xù)更新BIOS，搭檔12代、13代酷睿，可以順利使用24GB、48GB內(nèi)存，AMD平臺(tái)呢？
2023-03-27 14:27:49294 我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動(dòng)程序，并注意到 *** 設(shè)置了對(duì)內(nèi)存區(qū)域的訪問(wèn)，在研究 CW 腳本時(shí)也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問(wèn) DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
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