5月30日，據臺灣媒體《工商時報》與《經濟日報》報道，南亞科技在昨日召開的年度股東大會上透露，公司首款1C nm制程DRAM內存產品——16Gb DDR5顆粒將在明年初開始試生產。

據悉，現有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內存以及16Gb DDR5內存的1B nm制程試生產中。他們計劃下半年少量推出DDR5產品并逐步提高產量，預計明年產量將會進一步增加。

除此之外，南亞科技還在1B nm節點規劃了包括16Gb DDR5迭代版、16Gb LPDDR5內存、16Gb LPDDR4內存及4Gb DDR3內存在內的多種產品。

值得注意的是，南亞科技今年將同步研發TSV技術，旨在結合DDR5內存顆粒與該技術，打造出高容量的（3DS）DRAM內存模組以滿足服務器市場需求。

南亞科技表示，公司在每一個制程世代均能實現30%的位元提升速度，目前正在與比利時imec微電子研究中心合作，為采用EUV光刻機的先進DRAM制程做好準備。

此外，南亞科技4月份實現了32.06億新臺幣（約合7.18億元人民幣）的合并營收，同比大幅增長41.88%。