十銓稱已成功開發DDR5 SO-SIMM內存，希望率先與Intel、AMD的新平臺進行驗證合作
去年底，TEAMGROUP（十銓）宣布正開發DDR5內存條（U-DIMM，用于臺式機）。現在，SO-DIMM形態的DDR5內存也官宣了，筆記本、迷你機、NAS等將因此受益。
十銓稱已成功開發出DDR5 SO-SIMM內存，希望率先與Intel、AMD的新平臺進行驗證合作。
規格方面，首批DDR5 SO-SIMM內存單條16GB容量，頻率4800MHz，電壓低至1.1V，也就是說，新一代筆記本在速度提升的同時，還能不犧牲續航甚至是獲得更長續航時間。
根據DDR5 SDRAM標準（JESD79-5），新一代DDR5內存的頻率將從4800MHz起跳，單條可很輕松做到16GB，最大能摸到512GB。另外，DDR5支持芯級ECC糾錯。
看十銓這意思，Intel Alder Lake、AMD Zen 4等有望年內實現對桌面、筆記本等平臺的全覆蓋，大幅推動DDR5的商用進程。
責任編輯：PSY
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
amd
+關注
關注
25文章
5557瀏覽量
135841 -
intel
+關注
關注
19文章
3493瀏覽量
187919 -
內存
+關注
關注
8文章
3108瀏覽量
74973
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
DDR4漲價20%，DDR5上調5%！
最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價達成一致。DDR4 DRAM價格平均上漲兩位數百分比；DDR5價格上漲個位數百分比。據稱 DDR4 上調 20%，DDR5 上調
Cadence推出DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內存IP系統解決方案
業內對于更大內存帶寬的需求，能適應企業和數據中心應用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經過驗證且非常成功的
不挑硬件，親民之選，亦逍遙DDR5內存裝機評測
雖然目前DDR5高頻內存已經相當普及了，但還是有一些用戶始終對頻率不怎么敏感。他們追求更為親民的裝機成本，對超頻了解也有限，單純希望內存可以做到穩定兼容，到手即用。對于這類用戶來說，裸
瀾起科技成功送樣DDR5第二子代MRCD和MDB套片
瀾起科技今日宣布，其最新研發的第二子代多路復用寄存時鐘驅動器(MRCD)和多路復用數據緩沖器(MDB)套片已成功向全球主要內存廠商送樣。該套片專為DDR5多路復用雙列直插內存模組(MR
德明利DDR5內存助力AI PC時代存儲性能與市場增長
2024年作為AIPC元年伴隨異構算力（CPU+GPU+NPU）需求高漲及新處理器平臺推出DDR5內存以高速率、大容量低延遲與高帶寬有效滿足高性能算力要求加速本地AI大模型運行效率推動AIPC硬件端
國產DDR5內存上市,內存市場價格戰一觸即發
隨著國產DDR5內存的上市，內存市場的競爭態勢即將迎來新的變化。DRAM內存作為半導體產業的明星產品，據市調機構Trendforce預估，2024年全球DRAM
雷克沙推出全新戰神之翼系列DDR5內存條
近期，雷克沙重磅推出全新戰神之翼系列 DDR5 內存條 ——ARESRGB DDR5 6000C26。此款內存條專為 AMD
瑞薩電子發布全新DDR5 MRDIMM內存接口芯片組
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內存模塊（MRDIMM）的完整內存接口芯片組解決方案。
DDR5內存的工作原理詳解 DDR5和DDR4的主要區別
DDR5內存的工作原理詳解 1. DDR5內存簡介 DDR5（Double Data Rate 5
十銓科技推出首款工業級DDR5 6400MT/s內存條
近日，十銓科技在工控領域取得了重大突破，發布了業界首款工業級DDR5 6400MT/s CUDIMM/CSODIMM內存條。這款內存條基于S
DDR5內存面臨漲價潮，存儲巨頭轉向HBM生產
近日，存儲芯片市場傳來重大消息，SK海力士正式通知市場，其DDR5內存產品將漲價15%至20%，這一舉動無疑給市場投下了一枚震撼彈。此次漲價的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲芯片巨頭紛紛調整
Introspect DDR5/LPDDR5總線協議分析儀
DDR5 RDIMM及支持下一代MR-DIMM單體測試驗證系統 (DDR5 MR-DIMM Module Test System), 支持的速率可高達17.4Gbps.
DDR5
發表于 08-06 12:03
DDR5內存條上的時鐘走線
DDR5標準JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時代基本內存條上時鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對而言比較細。不知道你開始使用
0706線下活動 I DDR4/DDR5內存技術高速信號專題設計技術交流活動
01活動主題DDR4/DDR5內存技術高速信號專題設計技術交流活動時間：2024年7月6日（本周六）10：00地點：深圳市南山區科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號線，高新園地鐵站D出口200
工商網監
評論