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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>從SiC模塊到AI芯片,低溫?zé)Y(jié)銀膠卡位半導(dǎo)體黃金賽道

從SiC模塊到AI芯片,低溫?zé)Y(jié)銀膠卡位半導(dǎo)體黃金賽道

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2022-04-08 10:11:341874

燒結(jié)9大特點(diǎn)解決客戶的4大痛點(diǎn)

燒結(jié)9大特點(diǎn)解決客戶的4大痛點(diǎn)善仁新材作為全球低溫無壓燒結(jié)的領(lǐng)導(dǎo)品牌,一直引領(lǐng)低溫燒結(jié)溫度,客戶要求的220度,200度,180度,170度。170度燒結(jié)是目前已知的全球低溫燒結(jié)的極限
2022-03-29 16:12:144278

燒結(jié)sinter paste燒結(jié)機(jī)理

通過原子擴(kuò)散連接的方法轉(zhuǎn)變成塊狀材料。納米燒結(jié)過程中,一個重要的理論是固態(tài)燒結(jié)的擴(kuò)散機(jī)制。納米低溫燒結(jié)機(jī)制屬于固相燒結(jié),是通過原子間的擴(kuò)散作用而形成致密化的連接,根據(jù)擴(kuò)散而實(shí)現(xiàn)的動力學(xué)過程。熱力學(xué)
2022-04-09 11:03:212253

AlwayStone AS9375是一款使用了燒結(jié)技術(shù)的無壓納米

的無壓納米,它是一種高可靠性的芯片粘接材料,非常適用于SiC和高功率LED芯片封裝,激光控制芯片等大功率模塊,并且開創(chuàng)了220度燒結(jié)低溫無壓燒結(jié)的先河。AS
2022-04-02 09:37:361262

燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱低于它的熔點(diǎn)溫度

低溫無壓:燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱低于它的熔點(diǎn)溫度,然后材料中的顆粒聚集結(jié)合,并實(shí)現(xiàn)顆粒之間的結(jié)合強(qiáng)度。傳統(tǒng)燒結(jié)采用對材料或設(shè)備加壓、加熱直至形成金屬接點(diǎn)的方法。然而,在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,這種加壓
2022-04-02 18:02:155692

燒結(jié)分類和型號

燒結(jié)分類和型號上海的疫情阻擋不住客戶對公司燒結(jié)的熱情。善仁新材市場部統(tǒng)計(jì)了一下,截至2022年6月10號,目前在國內(nèi)和國際上有126家客戶在測試善仁新材公司的各種燒結(jié)產(chǎn)品,其中有30幾家已經(jīng)
2022-06-13 09:21:443158

燒結(jié)用于裸硅芯片的粘結(jié),幫助客戶降低成本提高效率

最近善仁新材公司和中國某領(lǐng)先的芯片封裝企業(yè)深度合作,開發(fā)出用于邦定裸硅芯片和金焊盤的最新型號的無壓燒結(jié),得到客戶的好評。AS9375燒結(jié)封裝芯片這家客戶的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人在市面上找了幾家國外的燒結(jié)
2022-09-06 10:32:211304

低溫燒結(jié)的三個誤區(qū)

低溫燒結(jié)的三個誤區(qū)
2022-09-17 11:54:566664

芯片封裝燒結(jié)工藝

芯片封裝燒結(jié)工藝
2022-12-26 12:19:222133

半導(dǎo)體指紋識別模塊指紋傳感芯片封裝應(yīng)用方案

半導(dǎo)體指紋識別模塊指紋傳感芯片封裝應(yīng)用方案由漢思新材料提供客戶是一家經(jīng)營銀行卡電子支付終端產(chǎn)品(POS終端、固定無線電話機(jī))、電子支付系統(tǒng)產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)產(chǎn)品及電子產(chǎn)品的技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn),移動支付終端
2023-03-17 14:55:031078

車規(guī)級功率器件市場爆發(fā)燒結(jié)成新寵

所謂的燒結(jié),又叫燒結(jié)膏,焊膏等,就是將納米級顆粒燒結(jié)塊的一種新的高導(dǎo)通材料,燒結(jié)燒結(jié)技術(shù)也被稱為低溫連接技術(shù),產(chǎn)品具有低溫燒結(jié),高溫服役,高導(dǎo)熱低阻值,無污染等特點(diǎn)。是寬禁帶半導(dǎo)體模塊中的關(guān)鍵導(dǎo)熱散熱封裝技術(shù)。
2023-07-05 10:47:531080

燒結(jié)原理、燒結(jié)工藝流程和燒結(jié)膏應(yīng)用

燒結(jié)原理、燒結(jié)工藝流程和燒結(jié)膏應(yīng)用
2024-01-31 16:28:074000

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:301539

半導(dǎo)體行業(yè)射頻芯片賽道研究系列一.zip

半導(dǎo)體行業(yè)射頻芯片賽道研究系列一
2023-01-13 09:06:506

軟件定義汽車,AI芯片黃金賽道.zip

軟件定義汽車,AI芯片黃金賽道
2023-01-13 09:07:495

異構(gòu)專用AI芯片黃金時代

異構(gòu)專用AI芯片黃金時代
2023-12-04 16:42:26903

低溫無壓燒結(jié)對鍍層的四點(diǎn)要求

低溫無壓燒結(jié)對鍍層的四點(diǎn)要求
2023-11-25 13:50:26781

低溫無壓燒結(jié)對鍍層的四點(diǎn)要求

低溫無壓燒結(jié)對鍍層的四點(diǎn)要求
2023-11-25 10:55:471346

燒結(jié)漿粘接工藝在晶圓封裝的應(yīng)用

摘要:選取了一種半燒結(jié)漿進(jìn)行粘接工藝研究,通過剪切強(qiáng)度測試和空洞率檢測確定了合適的點(diǎn)工藝參數(shù),并進(jìn)行了紅外熱阻測試和可靠性測試。結(jié)果表明,該半燒結(jié)漿的工藝操作性好,燒結(jié)層空洞率低;當(dāng)
2023-12-04 08:09:571709

選擇燒結(jié)的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

選擇燒結(jié)的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
2023-12-17 15:46:171649

IGBT模塊燒結(jié)工藝引線鍵合工藝研究

歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 (株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室) 摘要: 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的燒結(jié)工藝和銅引線鍵合工藝,依據(jù)系列質(zhì)量表征和評價
2023-12-20 08:41:092411

未來SiC模塊封裝的演進(jìn)趨勢

ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商,SilverSAM 燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術(shù),除確保基本高強(qiáng)度燒結(jié)鍵合,對應(yīng)導(dǎo)熱性
2024-01-03 14:04:451157

晶圓級封裝用半燒結(jié)漿粘接工藝

測試和可靠性測試。結(jié)果表明,該半燒結(jié)漿的工藝操作性好,燒結(jié)層空洞率低;當(dāng)層厚度控制在30 μm左右時,剪切強(qiáng)度達(dá)到25.73 MPa;采用半燒結(jié)漿+TSV轉(zhuǎn)接板的方式燒結(jié)功放芯片,其導(dǎo)熱性能滿足芯片的散熱要求;經(jīng)過可靠性測
2024-01-17 18:09:111283

電子行業(yè)中的芯片用在什么領(lǐng)域?

在數(shù)字化時代,半導(dǎo)體芯片已經(jīng)成為滲透幾乎每一個角落的重要支撐,而芯片封裝則是其關(guān)鍵一環(huán)。芯片主要用于芯片封裝領(lǐng)域,芯片封裝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中非常重要的環(huán)節(jié),它起到保護(hù)芯片、增強(qiáng)芯片的電性能
2024-01-23 14:33:55998

新能源車的福音:雙面燒結(jié)技術(shù)替代焊線技術(shù),提升碳化硅模塊的功率

新能源車的福音:雙面燒結(jié)技術(shù)替代焊線技術(shù),提升碳化硅模塊的功率
2024-01-24 19:51:29690

碳化硅模塊使用燒結(jié)雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實(shí)現(xiàn)方法

碳化硅模塊使用燒結(jié)雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實(shí)現(xiàn)方法 新能源車的大多數(shù)最先進(jìn) (SOTA)?電動汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍基于 SSC-IGBT?的逆變器的 當(dāng)然,隨著新能源車碳化硅
2024-02-19 14:51:151196

SiC功率器件先進(jìn)互連工藝研究

共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 (湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心) 摘要: 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求,文章研究了芯片雙面燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47818

基于低溫焊料的真空燒結(jié)工藝研究

功率芯片載體裝配工藝中應(yīng)用廣泛。傳統(tǒng)的手工燒結(jié)方式具有熔融時間長、生產(chǎn)效率低、可靠性差等缺點(diǎn),通過對基于銦鉛低溫焊料的真空燒結(jié)工藝的助焊劑選取、焊料厚度和尺寸、工裝夾具設(shè)計(jì)、真空燒結(jié)曲線調(diào)試等幾個方面進(jìn)行研究,最終摸索出一種適
2024-03-19 08:44:051226

TPAK SiC優(yōu)選解決方案:有壓燒結(jié)+銅夾Clip無壓燒結(jié)

TPAK SiC優(yōu)選解決方案:有壓燒結(jié)+銅夾Clip無壓燒結(jié)
2024-04-25 20:27:401187

150度無壓燒結(jié)用于功率器件,提升效率降低成本

AS9373是一款使用了善仁燒結(jié)技術(shù)的無壓納米,它是一種高可靠性的芯片粘接材料,非常適用于射頻器件、激光器件、SiC和高功率LED產(chǎn)品等功率模塊。 無壓燒結(jié)技術(shù)是把材料加熱低于它的熔點(diǎn)溫度,然后材料中的顆粒聚集結(jié)合,并實(shí)現(xiàn)顆粒之間的結(jié)合強(qiáng)度。傳統(tǒng)
2024-05-23 20:25:15561

燒結(jié)賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命

GVF9880預(yù)燒結(jié)焊片用于碳化硅模組。
2024-06-17 18:10:481133

無壓燒結(jié)VS有壓燒結(jié):誰更勝一籌?

及其合金在電子、電力、航空航天等眾多領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。為了提高材料的物理和機(jī)械性能,常采用燒結(jié)工藝進(jìn)行材料制備。燒結(jié)工藝根據(jù)施加壓力的不同,可分為無壓燒結(jié)和有壓燒結(jié)兩種。本文旨在詳細(xì)探討無壓燒結(jié)與有壓燒結(jié)工藝流程的區(qū)別,并分析各自的特點(diǎn)和適用場景。
2024-07-13 09:05:562633

半導(dǎo)體IGBT采用燒結(jié)工藝(LTJT)的優(yōu)勢探討

IGBT模塊對高可靠性的需求。在這一背景下,燒結(jié)工藝(LTJT)作為一種新型連接技術(shù),正逐漸成為IGBT封裝領(lǐng)域的研究與應(yīng)用熱點(diǎn)。
2024-07-19 10:23:201494

燒結(jié)AS9378火爆的六大原因

低溫燒結(jié)AS9378近年來在電子材料領(lǐng)域迅速崛起,其火爆程度令人矚目。這款采用納米技術(shù)和低溫燒結(jié)工藝的高性能材料,憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢在眾多應(yīng)用中脫穎而出。以下,我們將深入探討低溫燒結(jié)AS9378火爆的六大原因。
2024-09-20 17:27:25715

美國 inTEST 高低溫沖擊熱流儀助力半導(dǎo)體芯片研發(fā)

上海伯東代理美國 inTEST 高低溫沖擊熱流儀兼容各品牌半導(dǎo)體測試機(jī), 可正確評估與參數(shù)標(biāo)定芯片開發(fā), 器件或模塊研發(fā), 品質(zhì)檢查, 第三方認(rèn)證, 失效分析, FAE 等幾乎所有流程, 高低溫沖擊
2024-09-13 10:19:48754

燒結(jié)成為功率模塊封裝新寵

在科技日新月異的今天,材料科學(xué)作為推動工業(yè)進(jìn)步的重要基石,正不斷涌現(xiàn)出令人矚目的創(chuàng)新成果。其中,善仁燒結(jié)作為微電子封裝領(lǐng)域的一項(xiàng)重大突破,正以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢,逐步成為連接芯片與基板、實(shí)現(xiàn)微細(xì)
2024-09-20 17:28:39466

裸硅芯片無壓燒結(jié),助力客戶降本增效

作為全球燒結(jié)的領(lǐng)航者,善仁新材重“芯“出發(fā),再次開發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無壓燒結(jié)AS9332,此款燒結(jié)得到客戶的廣泛認(rèn)可。
2024-10-29 18:16:54673

納米燒結(jié)技術(shù):SiC半橋模塊的性能飛躍

逐步取代傳統(tǒng)硅功率器件。然而,SiC功率器件的高結(jié)溫和高功率特性對封裝技術(shù)提出了更高的要求。納米燒結(jié)技術(shù)作為一種先進(jìn)的界面互連技術(shù),以其低溫燒結(jié)、高溫使用的優(yōu)點(diǎn)
2024-12-25 13:08:301187

燒結(jié)技術(shù)助力功率半導(dǎo)體器件邁向高效率時代

簡單易行以及無鉛監(jiān)管的要求。這些都對焊接材料和工藝提出了更高、更全面的可靠性要求。而燒結(jié)技術(shù),作為一種新型的高可靠性連接技術(shù),正在逐漸成為功率半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域
2025-01-08 13:06:131196

燒結(jié)在 DeepSeek 中的關(guān)鍵作用與應(yīng)用前景

無壓燒結(jié)AS9375
2025-02-15 17:10:16320

納米銅燒結(jié)為何完勝納米燒結(jié)

半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域,互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來,隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,納米燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù),備受業(yè)界關(guān)注。然而,在眾多應(yīng)用場景中
2025-02-24 11:17:06728

燒結(jié)的導(dǎo)電性能比其他導(dǎo)電優(yōu)勢有哪些???

燒結(jié)的導(dǎo)電性能比其他導(dǎo)電優(yōu)勢有哪些???
2025-02-27 21:41:15157

碳化硅SiC芯片封裝:燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢,封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過程中,燒結(jié)
2025-03-05 10:53:39734

電力電子新未來:珠聯(lián)璧合,基本半導(dǎo)體SiC模塊SiC驅(qū)動雙龍出擊

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片SiC功率模塊驅(qū)動板,驅(qū)動IC)分銷商
2025-05-03 15:29:13136

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