銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結（見圖 1）是一種應用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強度、完整性和導電性。
2021-11-12 11:24:11
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IGBT 功率模塊工作過程中存在開關損耗和導通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結構產(chǎn)生溫度梯度。并且結構層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 直接影響到功率模塊的熱、電和電磁干擾等特性。目前成熟的封裝技術主要是以銀膠或錫基釬料等連接材料、引線連接等封裝結構為主，耐高溫、耐高壓性能差，電磁兼容問題突出，無法提供高效的散熱途徑。近來，燒結銀互連材料
2022-09-21 11:56:262298 SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優(yōu)化和技術創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:371062 隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）作為其中的核心功率器件，在電力轉換和電機控制等領域的應用日益廣泛。為了提高IGBT模塊的可靠性和性能，銀燒結工藝和引線鍵合工藝成為了當前研究的熱點。本文將對這兩種工藝進行深入研究，探討它們在IGBT模塊制造中的應用及優(yōu)化方向。
2024-01-06 09:35:28480 
、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電和標準工業(yè)驅動器等的大功率應用，要求功率模塊滿足高可靠性、耐熱性以及電氣堅固性等需求。通過應用最先進的封裝技術，如無焊接的彈簧壓接以及燒結技術，可以滿足這些要求。在德國紐倫堡，賽米
2009-09-04 11:37:35
、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電和標準工業(yè)驅動器等的大功率應用，要求功率模塊滿足高可靠性、耐熱性以及電氣堅固性等需求。通過應用最先進的封裝技術，如無焊接的彈簧壓接以及燒結技術，可以滿足這些要求。在德國紐倫堡，賽米
2009-09-04 11:43:11
銀聯(lián)寶科技推出全新原裝小功率電源芯片系列,這些產(chǎn)品都立足于自主開發(fā)的“綠色引擎”技術與知識產(chǎn)權,應用范圍覆蓋各種AC/DC電源、充電器、開關電源以及功率因數(shù)校正器等多方面；全新高性能、低功耗的綠色
2017-06-08 16:27:14
、線性電源)15W-18W電源方案。 U6217 U6217采用3D疊封裝技術，率先將5A 650V MOSFET和控制器集成在SOP8小型化封裝中，可實現(xiàn)SOP封裝15W-18W方案設計高壓引腳和低壓
2017-06-28 10:22:51
銀鋅蓄電池工作原理銀鋅蓄電池用途
2021-03-01 06:54:39
LED封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發(fā)展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi)，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號
2016-11-02 15:26:09
對導電銀膠做來料檢驗，發(fā)現(xiàn)銀膠的體積電阻率過高是此次失效的原因。案例分析（四）：某客戶用硅膠封裝，導電銀膠粘結的垂直倒裝光源出現(xiàn)漏電現(xiàn)象，委托金鑒查找原因。金鑒通過對不良燈珠分析，在芯片側面檢測出異常銀元
2015-06-12 18:33:48
。銀膠燒結的溫度一般控制在150℃，燒結時間2小時。根據(jù)實際情況可以調(diào)整到170℃，1小時。 絕緣膠一般150℃，1小時。銀膠燒結烘箱的必須按工藝要求隔2小時（或1小時）打開更換燒結的產(chǎn)品，中間不得
2020-12-11 15:21:42
LED的封裝對封裝材料的特殊要求大功率LED封裝的技術原理
2021-03-08 07:59:26
（如低容值電容、電阻、濾波器、阻抗轉換器、耦合器等）埋入多層陶瓷基板中，然后疊壓在一起，內(nèi)外電極可分別使用銀、銅、金等金屬，在900℃下燒結，制成三維空間互不干擾的高密度電路，也可制成內(nèi)置無源元件的三維
2019-10-17 09:00:07
Mesh印刷用納米銀漿特點：1、 低溫燒結，可適用于PET、PI、環(huán)氧、PC等有機薄膜；2、 低阻值、導電效果好，少量充填即可達到低阻抗的導電線路；3 、納米等級離子可充填微孔；4 、熔融成高導通線路二
2020-04-14 09:26:12
標準(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設計人員設法通過芯片級創(chuàng)新和改進封裝來不斷提升功率MOSFET的導通和開關性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導通電阻(RDS(ON))和影響開關性能
2018-09-12 15:14:20
。 傳統(tǒng)的功率半導體封裝技術是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且
2018-09-11 16:12:04
封裝中的電阻、電感和熱阻，并有效改善EMI性能。 03 高溫封裝技術 3.1 雙面散熱技術 雙面封裝工藝通過在模塊芯片上下表面均焊接DBC板或者使用銀燒結技術將芯片一面焊接DBC、另一面連接鋁片
2023-02-27 14:22:06
)。BQ-6773系列，線路板貫空專用銀漿，具有很好的流動性和附著力。BQ-6775系列，可以在50度的溫度下30分鐘固化，用于不能耐高溫的場合。BQ-6776系列，為高溫快速固化，可以在180度
2008-12-05 15:21:40
)。BQ-6773系列，線路板貫空專用銀漿，具有很好的流動性和附著力。BQ-6775系列，可以在50度的溫度下30分鐘固化，用于不能耐高溫的場合。BQ-6776系列，為高溫快速固化，可以在180度
2008-12-05 15:25:06
`銀聯(lián)寶科技是一家專業(yè)從芯片研制和計劃規(guī)劃的IC規(guī)劃公司。公司資深研制團隊將業(yè)界領先的規(guī)劃技術本鄉(xiāng)優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)鏈相結合，為客戶供給高功率、低功耗、低危險、低成本、綠色化的產(chǎn)品計劃和效勞。助力于充電器
2017-07-15 10:21:35
金鑒檢測在大量LED失效案例總結的基礎上，發(fā)現(xiàn)用硅膠封裝、銀膠粘結的垂直倒裝芯片易出現(xiàn)漏電現(xiàn)象。這是因為，硅膠具有吸水透氣的物理特性，易使導電銀膠受潮，水分子侵入后在含銀導體表面電解形成氫離子
2015-06-12 11:44:02
金鑒檢測在大量LED失效案例總結的基礎上，發(fā)現(xiàn)用硅膠封裝、銀膠粘結的垂直倒裝芯片易出現(xiàn)漏電現(xiàn)象。這是因為，硅膠具有吸水透氣的物理特性，易使導電銀膠受潮，水分子侵入后在含銀導體表面電解形成氫離子
2015-06-19 15:28:29
，選擇優(yōu)質稀土原料，研發(fā)生產(chǎn)出穩(wěn)定高亮的LED熒光粉。高穩(wěn)定性！高亮度！ 本諾銀膠：8300C/8280C（適用于小功率LED芯片封裝）；9300C/9360C（適用于大功率LED芯片封裝）；8400C
2012-08-02 14:29:05
，在許多部件的應用中都需要白銀，包括：燒結銀、膜內(nèi)電子、各種芯片封裝、鍍銀導線、觸點等。這有賴于白銀具有良好的導電性能、抗氧化性和抗腐蝕性。純電動汽車由于具有較強的電氣特性，且對能源管理系統(tǒng)有額外需求
2022-04-15 15:38:13
全印制電子的噴墨打印技術在pcb中的應用主要表現(xiàn)在三個方面：在圖形轉移中的應用；在埋嵌無源元件中的應用；在直接形成線路和連接的全印制電子(含封裝方面)中的應用。這些應用為PCB產(chǎn)業(yè)帶來變革和進步
2018-08-30 16:18:02
和雙極型功率晶體管的特點，現(xiàn)已開發(fā)出第5代技術的產(chǎn)品，在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流功率器件，從模塊化封裝轉向分立單管封裝，做成塑封器件，應用于空調(diào)器、洗衣機、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中
2018-08-29 10:20:50
各位大俠：我在網(wǎng)上看到有提到電子燒結工藝，不過內(nèi)容都與燒結無關，我想問問到底什么是電子燒結啊？在二極管生產(chǎn)中具體的工藝是什么樣的？
2014-05-08 16:52:02
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
請教大神在PCB制造中預防沉銀工藝缺陷的措施有哪些？
2021-04-25 09:39:15
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
導電銀膠按導電方向分為各向同性導電銀膠和各向異性導電銀膠。
2019-11-06 09:01:49
由于引線互連帶來的種種問題，人們開始研究如何改進互連技術，以避免采用引線。1995年以后，陸續(xù)開發(fā)出了一些無引線的集成功率模塊，其特點是：互連結構的電感小、散熱好、封裝牢固等。圖1（a）、圖1
2018-11-23 16:56:26
是基本半導體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標準ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結連接工藝、高密度銅線鍵合技術、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
%。柔性PCB 板結合燒結銀工藝的封裝方式也被用于商業(yè)模塊中。如圖 4 所示為 Semikron 公司利用SKiN 封裝技術制作的 1200V/400A 的 SiC 模塊。該技術采用柔性 PCB 板取代鍵合
2023-02-22 16:06:08
等。微波能在這些領域都有其獨特的優(yōu)點。幾十年來，微波已發(fā)展成為一門比較成熟的學科，在雷達、通訊、導航、電子對抗等許多領域得到了廣泛的應用。微波燒結技術起源于歐美等發(fā)達國家，美國賓州州立大學材料研究院
2019-05-28 06:08:49
無壓燒結銀AS9377的參數(shù)誰知道？
2023-12-17 16:11:48
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
這些缺陷率降到最低。賈凡尼效應通常出現(xiàn)在阻焊膜和銅面之間的裂縫下。在沉銀過程中,因為裂縫的縫隙非常小,限制了沉銀液對此處的銀離子供應,但是此處的銅可以被腐蝕為銅離子,然后在裂縫外的銅表面上發(fā)生沉銀反應
2018-11-22 15:46:34
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
和寄生電感。此外，電弧鍵合?被證明可以顯著降低靜態(tài)損耗，改善功率循環(huán)和短時脈沖電流的能力。 在HPD系列中，LeapersSemiconductor使用銀燒結用于芯片粘接，高級Si3N4AMB基板
2023-02-20 16:26:24
金鑒檢測在大量LED失效案例總結的基礎上，發(fā)現(xiàn)用硅膠封裝、銀膠粘結的垂直倒裝芯片易出現(xiàn)漏電現(xiàn)象。這是因為，硅膠具有吸水透氣的物理特性，易使導電銀膠受潮，水分子侵入后在含銀導體表面電解形成氫離子
2015-05-13 11:23:43
市場的不斷壯大，推動著倒裝片封裝技術的發(fā)展，預計倒裝片封裝的數(shù)量將會增大，到2005年將會達到40-45億塊。 (3)多芯片模塊(MCM) MCM是90年代興起的一種混合微電子組裝技術，它是在高密度
2018-08-23 12:47:17
時代”。 整個半導體領域的前沿熱點從制造技術、器件物理、工藝物理到材料技術等各方面隨之全面進入納米領域。國內(nèi)外學者已經(jīng)在開始使用納電子封裝或者納封裝（nano packaging）這個新的學術名詞，但是迄今為止
2018-08-28 15:49:18
效率高和安全衛(wèi)生無污染等特點，并能提高產(chǎn)品的均勻性和成品率，改善被燒結材料的微觀結構和性能。21 世紀隨著人們對納米材料研究的重視，該技術在制備納米塊體金屬材料和納米陶瓷方面具有很大的潛力[2 ]，該技術被譽為“21 世紀新一代燒結技術”。那么微波燒結技術研發(fā)到了哪一步呢？
2019-07-30 06:39:09
貼片電阻是目前應用較廣泛的器件，但是去有很多電子工程師不是很清楚電阻的一些細節(jié)，比如功率，材質，特性等等，這篇文章，把一些電阻的zui常用的特性總結一下，很多內(nèi)容來源于網(wǎng)上，已經(jīng)無法考證誰是原著
2018-12-25 15:56:26
無壓220度全燒結納米銀膏為響應第三代半導體快速發(fā)展的需求，善仁新材宣布了革命性的無壓低溫銀燒結技術的成功。該技術無需加壓烘烤即可幫助客戶實現(xiàn)高功率器件封裝的大批量生產(chǎn)。
2022-03-29 20:22:40
MricoLED/MiniLED低溫燒結納米銀漿善仁新材開發(fā)的MiniLED用低溫燒結納米銀漿AS9120具有以下特點：1 燒結溫度低：可以120度燒結；2電阻率低：低溫燒結形成的電極
2022-04-08 14:09:50
燒結電池的技術優(yōu)勢燒結式鎘鎳電池是當今世界上最可 燒結式鎘鎳電池具有無以倫比的獨靠的電源系統(tǒng)之一當你把可靠性放在 特性能是UPS 油機起動電機驅動最重要的位置
2009-11-02 14:41:13
21 燒結電池的技術燒結式鎘鎳電池是當今世界上最可靠的電源系統(tǒng)之一當你把可靠性放在最重要的位置時選擇燒結式鎘鎳電池是你明智的決定 .燒結式鎘鎳電池具有無
2009-12-04 11:39:3017 非接觸IC 卡模塊封裝技術中電智能卡有限責任公司1、簡介非接觸式IC 卡模塊是IC 卡的心臟，是通過專業(yè)封裝技術將IC 芯片和引線框架以特定的連接方式組合在一起， 由
2009-12-15 14:37:2768 為了應對高功率器件的發(fā)展，善仁新材推出定制化燒結銀服務：目前推出的系列產(chǎn)品如下： 一 AS9300系列燒結銀膏：包括AS9330半燒結銀，AS9355銀玻璃芯片粘結劑；AS9375無壓燒結
2023-05-13 21:10:20
隨著電動車的快速發(fā)展，里程焦慮癥越來越引起高度的重視，一項統(tǒng)計表明：將純電動車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升續(xù)航能力，或者減少
2023-05-19 10:52:20
。TDS是指銀焊片的主要成分，它是一種預燒結銀材料，具有良好的導電性和焊接性能。預燒結銀焊片通常用于高溫環(huán)境下的電子元器件焊接，如功率模塊、電源模塊等。它具有較高的
2023-07-23 13:14:48
現(xiàn)代功率模塊及器件應用技術
引言
最近20年來，功率器件及其封裝技術的迅猛發(fā)展，導致了電力電子技術領域的巨大變化。當今的
2009-04-09 08:54:241001 
什么是燒結電池?
燒結電池介紹燒結式鎘鎳電池簡稱燒結電
2009-11-02 10:29:372320 文章主要是對大功率LED 芯片封裝技術進行介紹。包括了大功率LED 的封裝要求、封裝的關鍵技術、封裝的形式，大功率LED 封裝技術的工藝流程簡單介紹。
2013-06-07 14:20:343707 
日立制作所在“PCIM Europe 2016”并設的會議上發(fā)表了使用燒結銅的功率元件封裝技術。該技術的特點是，雖為無鉛封裝材料，但可降低材料成本并提高可靠性。
2016-05-19 10:26:051077 和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來了一些了問題如溫度漂移等，會嚴重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問題，近年來，納米銀燒結技術受到了越來越多研究者的關注。
2022-03-20 12:13:372907 2021年5月19日，賀利氏電子學術委員會在上海成功舉辦第五屆銀燒結技術研討會，分享其先進的銀燒結連接和電子封裝解決方案，助力推動中國電力電子領域的技術進步和產(chǎn)業(yè)升級。這是賀利氏第二次在中國舉辦
2021-06-07 17:32:251421 DCDC模塊電源額定功率與封裝的選擇與應用(深圳市優(yōu)能電源技術有限公司)-該文檔為DCDC模塊電源額定功率與封裝的選擇與應用總結文檔，是一份不錯的參考資料，感興趣的可以下載看看，，，，，，，，，，，，，，，，，
2021-09-22 13:00:318 2021年11月18日,賀利氏電子學術委員會在上海成功舉辦第六屆銀燒結技術研討會,分享其先進的銀燒結連接和電子封裝解決方案,助力中國電力電子領域的技術進步和產(chǎn)業(yè)升級。這是賀利氏第三次在中國舉辦
2021-11-25 09:17:351967 隨著新一代 IGBT 芯片結溫及功率密度的提高，對功率電子模塊及其封裝技術的要求也越來越高。文
章主要介紹了功率電子模塊先進封裝互連技術的最新發(fā)展趨勢，重點比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導電
2022-05-06 15:15:556 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4251 銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結（見圖 1）是一種應用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強度、完整性和導電性。據(jù) AMX 稱，燒結目前被認為是連接電力電子器件中最可靠的技術
2022-08-03 08:04:34917 
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優(yōu)化和技術創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)
2022-12-12 13:57:581468 和工藝提出了更高、更全面的可
靠性要求。
實現(xiàn)上述要求“非它不可”材料和工藝已經(jīng)在路上，它就是無壓低溫燒結銀焊料和銀燒結互連技術，特別是它將為大功率器件帶
來受用不盡的好處。
2023-02-15 16:08:410 IGBT功率模塊是指采用lC驅動，利用最新的封裝技術將IGBT與驅動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865 功率半導體模塊主要應用于電能轉換和電能 控制，是電能轉換與電能控制的關鍵器件，被譽為 電能處理的“CPU”，是節(jié)能減排的基礎器件和核心技術之一
2023-03-24 17:29:233746 
對于燒結機軸磨損修復來說，碳納米聚合物材料修復技術和傳統(tǒng)修復技術有何區(qū)別呢？繼續(xù)往下看。
2023-05-26 17:18:220 功率模組封裝代工 功率模塊封裝是指其中在一個基板上集成有一個或多個開關元件的功率半導體產(chǎn)品，所述開關元件包括絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、二極管、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、晶閘管
2023-05-31 09:32:31289 燒結銀選購22條軍規(guī)燒結銀在實際應用中也有著千差萬別的要求，因此正確選擇燒結銀就成為在電子和光電器件生產(chǎn)工藝中關鍵的環(huán)節(jié)。善仁新材根據(jù)多家客戶選擇燒結銀的經(jīng)驗，把燒結銀的選擇條件總結如下，供愛好者
2022-04-15 13:42:21375 
無壓燒結銀工藝和有壓燒結銀工藝流程區(qū)別如何降低納米燒結銀的燒結溫度、減少燒結裂紋、降低燒結空洞率、提高燒結體的致密性和熱導率成為目前研究的重要內(nèi)容。燒結銀的燒結工藝流程就顯得尤為重要
2022-04-08 10:11:34778 
燒結銀9大特點解決客戶的4大痛點善仁新材作為全球低溫無壓燒結銀的領導品牌，一直引領低溫燒結溫度，從客戶要求的220度，到200度，到180度，到170度。170度燒結是目前已知的全球低溫燒結銀的極限
2022-03-29 16:12:141344 
燒結銀sinterpaste燒結機理納米粉末顆粒燒結不同于傳統(tǒng)冶金，是將納米金屬顆粒在低于其塊體金屬熔點的溫度下連接形成塊體金屬燒結體的現(xiàn)象，是一個復雜的物理、化學和冶金過程。它的目的是將粉末顆粒
2022-04-09 11:03:211215 
為響應第三代半導體快速發(fā)展的需求，善仁新材宣布了革命性的無壓低溫銀燒結技術的成功。該技術無需加壓烘烤即可幫助客戶實現(xiàn)高功率器件封裝的大批量生產(chǎn)。AlwayStoneAS9375是一款使用了銀燒結技術
2022-04-02 09:37:36521 
低溫無壓：銀燒結技術是把材料加熱到低于它的熔點溫度，然后材料中的銀顆粒聚集結合，并實現(xiàn)顆粒之間的結合強度。傳統(tǒng)銀燒結采用對材料或設備加壓、加熱直至形成金屬接點的方法。然而，在半導體封裝領域，這種加壓
2022-04-02 18:02:152282 
為響應第三代半導體快速發(fā)展的需求，善仁新材宣布了革命性的無壓低溫銀燒結技術的成功。該技術無需加壓烘烤即可幫助客戶實現(xiàn)高功率器件封裝的大批量生產(chǎn)。AlwayStoneAS9375是一款使用了銀燒結技術
2022-04-02 18:01:39386 
燒結銀分類和型號上海的疫情阻擋不住客戶對公司燒結銀的熱情。善仁新材市場部統(tǒng)計了一下，截至到2022年6月10號，目前在國內(nèi)和國際上有126家客戶在測試善仁新材公司的各種燒結銀產(chǎn)品，其中有30幾家已經(jīng)
2022-06-13 09:21:44876 
芯片封裝燒結銀工藝
2022-12-26 12:19:221070 
隨著電子技術的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優(yōu)勢。
2023-04-23 14:33:22850 
所謂的燒結銀，又叫燒結銀膏，銀焊膏等，就是將納米級銀顆粒燒結成銀塊的一種新的高導通銀材料，燒結銀燒結技術也被稱為低溫連接技術，產(chǎn)品具有低溫燒結，高溫服役，高導熱低阻值，無污染等特點。是寬禁帶半導體模塊中的關鍵導熱散熱封裝技術。
2023-07-05 10:47:53456 
燒結銀原理、銀燒結工藝流程和燒結銀膏應用
2024-01-31 16:28:07456 
隨著科技的不斷發(fā)展，功率分立器件封裝技術也在持續(xù)進步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉化效率，封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進的封裝工藝、封裝技術及封裝外形等，例如采用燒結銀焊接技術等功率器件封裝技術、Kelvin引腳封裝及TOLL封裝外形等。
2023-10-13 16:49:311068 
功率芯片通過封裝實現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連（interconnection）指芯片上表面的電氣連接，在傳統(tǒng)模塊中一般為鋁鍵合線。
2023-10-24 10:52:091792 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
摘要：選取了一種半燒結型銀漿進行粘接工藝研究，通過剪切強度測試和空洞率檢測確定了合適的點膠工藝參數(shù)，并進行了紅外熱阻測試和可靠性測試。結果表明，該半燒結型銀漿的工藝操作性好，燒結后膠層空洞
2023-12-04 08:09:57446 
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 （株洲中車時代半導體有限公司?新型功率半導體器件國家重點實驗室） 摘要： 主要研究了應用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結工藝和銅引線鍵合工藝，依據(jù)系列質量表征和評價
2023-12-20 08:41:09421 
ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領先的先進半導體封裝設備及微電子封裝解決方案的最主要的供應商，SilverSAM 銀燒結設備具備專利防氧化及均勻壓力控制技術，除確保基本高強度燒結鍵合，對應導熱性
2024-01-03 14:04:45232 
共讀好書 李志強 胡玉華 張巖 翟世杰 （中國電子科技集團公司第五十五研究所） 摘要： 選取了一種半燒結型銀漿進行粘接工藝研究，通過剪切強度測試和空洞率檢測確定了合適的點膠工藝參數(shù)，并進行了紅外
2024-01-17 18:09:11186 
礦的生產(chǎn)對高爐煉鐵都有著重要影響。燒結礦的堿度與高爐冶煉的質量、產(chǎn)量和能耗密切相關。傳統(tǒng)的燒結礦堿度分析方法一般有X射線熒光光譜法、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法、瞬發(fā)伽馬射線中子活化分析技術等 激光誘導擊穿光譜（LIBS）技術是
2024-01-15 18:05:16232 
碳化硅模塊使用燒結銀雙面散熱DSC封裝的優(yōu)勢與實現(xiàn)方法 新能源車的大多數(shù)最先進 (SOTA)?電動汽車的牽引逆變器體積功率密度范圍從基于 SSC-IGBT?的逆變器的 當然，隨著新能源車碳化硅
2024-02-19 14:51:15145 
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