電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-17 18:25:37
9269 
IGBT 功率模塊工作過(guò)程中存在開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 E-tron的逆變器的電壓覆蓋范圍為150V-460V，10 秒持續(xù)的最大電流為 530A，持續(xù)電流最大為 260A，功率密度為30kVA/L，和特斯拉的不同，采用了三個(gè)IGBT功率模塊。
2023-07-07 09:40:00750 
電機(jī)控制器的功率模塊，即IGBT器件和續(xù)流二極管，在開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能，表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142510 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40506 
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊。
2019-05-13 11:33:45895 。 ? 安森美中國(guó)區(qū)應(yīng)用工程總監(jiān)吳志民 ? 安森美在汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域已經(jīng)有很深的積累。在工業(yè)領(lǐng)域，安森美的MV和HV MOSFET、碳化硅及IGBT功率模塊，可用于提高工業(yè)系統(tǒng)的能效，其圖像傳感器可應(yīng)用于機(jī)器視覺(jué)、機(jī)器人和自動(dòng)化，SiC和IGBT電源模
2021-12-31 17:31:202890 為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線(xiàn)超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線(xiàn)SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車(chē)規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)等應(yīng)用領(lǐng)域。 ? 在超級(jí)結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷(xiāo)售收入突破5億元，根據(jù)芯謀
2023-06-07 00:10:002138 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
、結(jié)構(gòu)也會(huì)給IGBT選型提出要求，再就是考慮性?xún)r(jià)比和供貨。對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇IGBT功率模塊時(shí)，需要考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下： 器件耐壓；在實(shí)際的冷卻條件下，電流
2022-05-10 10:06:52
調(diào)節(jié)輸出電能的形式，從而驅(qū)動(dòng)電機(jī)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)車(chē)輛。這就是IGBT作為核心部件的工作原理。IGBT 功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力。當(dāng)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)工作時(shí)，逆變器從電池組
2022-05-10 09:54:36
實(shí)用性。全書(shū)共7章，分別介紹了電力電子器件的發(fā)展和研發(fā)動(dòng)向、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)、IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)以及IGBT在現(xiàn)代電源領(lǐng)域
2011-11-25 15:46:48
常見(jiàn)，所以部分設(shè)計(jì)者可能會(huì)存在沒(méi)有合適的 Mosfet 模塊使用，而考慮使用功率 IGBT模塊。本文簡(jiǎn)單的探討兩種模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)必須注意的問(wèn)題供設(shè)計(jì)者參考。**常見(jiàn)應(yīng)用條件劃分： **選用 IGBT 或
2022-09-16 10:21:27
什么是IGBT模塊？IGBT是一種功率半導(dǎo)體芯片，是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng)。IGBT功率模塊是在一個(gè)封裝中組裝和物理封裝多個(gè)IGBT功率半導(dǎo)體芯片。。..IGBT功率模塊用作電子開(kāi)關(guān)器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Thorsten Schmidt表示：“SCALE-iFlex Single門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的外形經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)，可與最新的標(biāo)準(zhǔn)IGBT功率模塊完美適配，這些IGBT功率模塊包括Mitsubishi
2021-09-09 11:00:41
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
的發(fā)展和研發(fā)動(dòng)向、IGBT的結(jié)構(gòu)和工作特性、IGBT功率模塊、IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)、IGBT應(yīng)用電路設(shè)計(jì)以及IGBT在現(xiàn)代電源領(lǐng)域中的應(yīng)用。本書(shū)題材新穎實(shí)用，內(nèi)容豐富，文字通俗
2015-05-29 10:47:00
6DDMM420MM430MM440全系列產(chǎn)品，新舊不限)歐姆龍(CPM1ACPM2A CPM2AHCJ1WCS1W CP1ECP1LCP1H CP1GCPM2AE等全系列產(chǎn)品)IGBT功率模塊（英飛凌富士三菱西門(mén)子安川西門(mén)康紅邦優(yōu)派克東芝）微信***
2019-07-30 19:39:45
目前國(guó)內(nèi)絕大多數(shù)IGBT功率模塊/MOSFET功率模塊廠(chǎng)家灌封采用傳統(tǒng)的硅膠灌封方式。隨著國(guó)內(nèi)客戶(hù)在新能源車(chē)用和電網(wǎng)電力風(fēng)電方面（1200V以上領(lǐng)域）對(duì)IGBT模塊使用的要求越來(lái)越高；采用硅膠灌
2022-02-20 15:29:36
infineon IPM模塊 英飛凌 PIM模塊 英飛凌 晶閘管 EUPEC 可控硅進(jìn)口IGBT模塊 德國(guó)西門(mén)子歐派克IGBT模塊 功率集成模塊 整流二極管 快恢復(fù)二極管 EUPEC IGBT功率模塊
2021-12-02 17:55:00
`2015年，比亞迪新能源汽車(chē)“秦”全年累計(jì)銷(xiāo)量遙遙領(lǐng)先，絕對(duì)的NO 1。而秦的核心器件之一便是由比亞迪微電子自主研發(fā)的IGBT功率模塊。比亞迪微電子集中了IGBT芯片設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試、系統(tǒng)應(yīng)用方面
2016-05-25 18:45:35
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
向性，電感側(cè)一定接變頻器，限流電阻Rx3和電容Cx3側(cè)接電動(dòng)機(jī)，不能接反，否則，會(huì)對(duì)變頻器的IGBT功率模塊有電流沖擊。
2021-09-08 06:08:59
）作為全電動(dòng)注塑機(jī)頂出伺服系統(tǒng)的執(zhí)行機(jī)構(gòu)，以 dsPIC30F4011 為核心處理器驅(qū)動(dòng)電路和控制電路，包括IGBT 功率模塊、鍵盤(pán)顯示和通訊接口等部分。在系統(tǒng)的軟件設(shè)計(jì)中，將所有的事件分成中速、低速
2014-11-12 11:25:00
4. 狀況監(jiān)測(cè)在功率循環(huán)測(cè)試期間，實(shí)驗(yàn)所涉及的功率模塊的主要故障機(jī)制是上臂IGBT的引線(xiàn)鍵合點(diǎn)①至⑥的剝離（圖3）。為了再現(xiàn)模塊的劣化，依次將④③⑤⑥②①[12]對(duì)這6個(gè)引線(xiàn)鍵合點(diǎn)切開(kāi)。在每次切開(kāi)后
2019-03-20 05:21:33
專(zhuān)業(yè)回收,觸控屏,變頻器,AB模塊。新舊不限,大量上門(mén)回收IGBT模塊,或個(gè)人滯留,或工程剩余模塊要處理的主營(yíng)產(chǎn)品:常年回收igbt功率模塊,電源模塊,可控硅模塊,ipm功率模塊,gtr達(dá)林頓模塊
2021-03-04 13:57:12
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
模塊需求，英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT 結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT的壽命預(yù)期。2.混合動(dòng)力車(chē)輛中功率半導(dǎo)體模塊的要求1）工作環(huán)境惡劣（高溫、振動(dòng)）IGBT位于逆變器
2018-12-06 09:48:38
(CPM1ACPM2ACPM2AHCJ1WCS1WCP1ECP1LCP1HCP1GCPM2AE等全系列產(chǎn)品)IGBT功率模塊（英飛凌富士三菱西門(mén)子安川西門(mén)康紅邦優(yōu)派克東芝）FESTO 氣缸，電磁閥，磁性開(kāi)關(guān)，接近開(kāi)關(guān)，傳感器，調(diào)壓閥，限流閥，真空發(fā)生器
2020-03-14 22:06:34
電壓電流，從而提高蓄電池使用壽命，其體積和質(zhì)量對(duì)控制器的功率密度有很大影響。因此，IGBT功率模塊和直流側(cè)支撐電容是提高控制器性能和控制成本的關(guān)鍵。1.1 智能IGBT功率模塊的研發(fā)為提高IGBT功率
2020-06-24 07:00:00
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
、JOHANSON、三和等品牌。電話(huà)151-5220-9946江工 QQ2360670759 長(zhǎng)期回收三極管、二極管、MOS管、IGBT管、晶體管、肖特基、可控硅、高頻管、模塊、IGBT模塊
2021-03-02 15:11:54
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
最近參加深圳世強(qiáng)和威科（Vincotech）聯(lián)合舉辦的研討會(huì)，有講到威科的IGBT功率模塊，特別是他們家的flowPHASE 0功率模塊印象深刻，有用過(guò)的嗎？ 據(jù)世強(qiáng)的Speaker說(shuō)——在中大功率
2014-08-26 12:22:31
開(kāi)關(guān)造成的直流側(cè)脈動(dòng)電流，穩(wěn)定直流側(cè)輸出電壓電流，從而提高蓄電池使用壽命，其體積和質(zhì)量對(duì)控制器的功率密度有很大影響。因此，IGBT功率模塊和直流側(cè)支撐電容是提高控制器性能和控制成本的關(guān)鍵。1.1 智能
2018-10-19 09:54:49
FF1400R17IP4P1700 V, 1400 A 半橋雙IGBT模塊， 采用第四代 TRENCHSTOP? IGBT、第四代發(fā)射極控制二極管、溫度檢測(cè) NTC、軟開(kāi)關(guān)芯片以及 預(yù)涂熱界面材料
2022-04-18 09:28:58
英飛凌推出了完整的三相逆變器系統(tǒng)解決方案(基于HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT)，可減少設(shè)計(jì)人員在(H)EV逆變器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)階段的工作量，并幫助他們對(duì)英飛凌的HybridPACK2 IGBT功率模塊
2010-06-30 16:52:391218 
為了實(shí)現(xiàn)三電平電路，只能通過(guò)采用分立式器件或至少將三個(gè)模塊結(jié)合在一起。現(xiàn)在，采用針對(duì)較高擊穿電壓的芯片技術(shù)，通過(guò)將三電平橋臂集成到單獨(dú)模塊中，再配上驅(qū)動(dòng)電路，就能夠使得這種拓?fù)湓谛碌膽?yīng)用中更具吸引力。
2011-01-15 14:23:117537 
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持
2012-10-09 14:06:404116 
本設(shè)計(jì)以永磁無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)（BLDCM）作為全電動(dòng)注塑機(jī)頂出伺
服系統(tǒng)的執(zhí)行機(jī)構(gòu)，以 dsPIC30F4011 為核心處理器驅(qū)動(dòng)電路和控制電路，包括
IGBT 功率模塊、鍵盤(pán)顯示和通訊接口等部分
2016-01-15 16:25:28
0 半橋和單開(kāi)關(guān)管IGBT功率模塊---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。
2016-01-19 18:19:59804 電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與工業(yè)通用變頻器、風(fēng)能太陽(yáng)能逆變器的驅(qū)動(dòng)電路有更為苛刻的技術(shù)要求，其中的電源電路受到空間尺寸小、工作溫度高等限制，面臨諸多挑戰(zhàn)。
2016-11-14 15:16:461148 
電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
2017-04-22 09:27:171354 
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品
2017-05-14 14:31:1711985 
并網(wǎng)逆變器一般分為光伏發(fā)電并網(wǎng)逆變器、風(fēng)力發(fā)電并網(wǎng)逆變器、動(dòng)力設(shè)備發(fā)電并網(wǎng)逆變器和其他發(fā)電設(shè)備發(fā)電并網(wǎng)逆變器。并網(wǎng)逆變器的最大特點(diǎn)是系統(tǒng)的功率高，成本低。一般功率大的使用三相的IGBT功率模塊，功率較小的使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)使用DSP轉(zhuǎn)換控制器來(lái)改善所產(chǎn)出電能的質(zhì)量。
2018-03-01 16:26:5743129 IGBT功率模塊是逆變器的核心功率器件。逆變器用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)，為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力。當(dāng)電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)工作時(shí)，逆變器從電池組獲取直流電，并轉(zhuǎn)換成交流電來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)。逆變器的集成化程度、控制成熟度和可靠性都與IGBT的性能密切相關(guān)。
2018-05-16 09:28:5316342 羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴(kuò)充其專(zhuān)為電機(jī)控制和逆變器應(yīng)用設(shè)計(jì)的IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設(shè)計(jì)，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及
2018-09-05 08:44:004843 高壓永磁斷路器，變頻器、IGBT模塊、IGBT功率模塊專(zhuān)用高頻貼片電容1812/2KV/NP0/222J礦業(yè)產(chǎn)品專(zhuān)用貼片電容1812 100V 6.8UF/685K X7R以上為X7R材質(zhì)，容量精度為10%,耐溫-55-+125度原廠(chǎng)直銷(xiāo)，品質(zhì)保證。更多規(guī)格歡迎查詢(xún)和免費(fèi)索樣~
2018-10-29 09:43:20430 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID，在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)（PCIM 2019）上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅（SiC）MOSFET器件和IGBT功率模塊
2019-05-16 09:10:563764 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件
2019-06-21 08:00:005 英飛凌日前利用采用先進(jìn)中性點(diǎn)鉗位（advanced neutral-point-clamped ANPC）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，將混合碳化硅（SiC）和IGBT功率模塊EasyPACK 2B提升到1200V
2019-09-14 10:56:003727 隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高，對(duì)功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來(lái)越高。文
章主要介紹了功率電子模塊先進(jìn)封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì)，重點(diǎn)比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導(dǎo)電
2022-05-06 15:15:556 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4251 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT
2022-08-06 14:54:531999 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:35968 前文試驗(yàn)機(jī)老二給大家分享了自動(dòng)多功能推拉力機(jī)相關(guān)試樣和物理力學(xué)性能測(cè)試，由此可看出自動(dòng)多功能推拉力機(jī)廣泛用于與LED封裝測(cè)試、IC半導(dǎo)體封裝測(cè)試、TO封裝測(cè)試、IGBT功率模塊封裝測(cè)試、光電子元器件
2022-12-07 14:12:321006 
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。
2023-01-13 10:14:581363 智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過(guò)可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量，能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
2023-02-07 16:59:431573 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí)，適用于
2023-02-16 16:30:581136 為了充分發(fā)掘系統(tǒng)層面的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，以往主要集中在大功率應(yīng)用的三電平中點(diǎn)鉗位(NPC)拓?fù)潆娐方鼇?lái)也開(kāi)始出現(xiàn)在中、小功率應(yīng)用中。低電壓器件改進(jìn)后的頻譜性能和更低的開(kāi)關(guān)損耗，使得UPS系統(tǒng)或太陽(yáng)能逆變器
2023-02-22 14:09:411 IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:141760 
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。
2023-02-22 15:34:002490 
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi)
2023-02-22 15:41:02560 三電平IGBT功率模塊 電子知識(shí) 為了充分發(fā)掘系統(tǒng)層面的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，以往主要集中在大功率應(yīng)用的三電平中點(diǎn)鉗位(NPC)拓?fù)潆娐方鼇?lái)也開(kāi)始出現(xiàn)在中、小功率應(yīng)用中。低電壓器件改進(jìn)后的頻譜性能和更低
2023-02-24 10:42:123 功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更高，高溫會(huì)帶來(lái)許多問(wèn)題。
2023-03-20 17:49:46964 功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制，是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件，被譽(yù)為 電能處理的“CPU”，是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一
2023-03-24 17:29:233748 
陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一，IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。
2023-04-17 09:54:48704 賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系
2023-04-26 09:17:51608 
賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市） 在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅） 功率模塊方面，已有十多年的良好合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊
2023-04-26 15:27:11517 
隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度，相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)模急劇擴(kuò)大，幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。
2023-05-10 10:48:02280 ～賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作～ 賽米控丹佛斯（總部位于德國(guó)紐倫堡）和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開(kāi)發(fā)SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好
2023-05-17 13:35:02938 
功率器件業(yè)務(wù)為主的高新技術(shù)企業(yè)，主要有高壓產(chǎn)品線(xiàn)超級(jí)結(jié)MOSFET、IGBT及功率模塊、SiC功率器件，以及中低壓產(chǎn)品線(xiàn)SGT MOSFET，產(chǎn)品廣泛覆蓋車(chē)規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)等應(yīng)用領(lǐng)域。 在超級(jí)結(jié)MOSFET細(xì)分領(lǐng)域，2022年其超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品銷(xiāo)售收入突破5億元，根據(jù)芯
2023-06-08 07:45:021434 
IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件，被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管，是國(guó)際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表性的產(chǎn)品。
2023-06-16 14:37:521025 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解，可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。
絲網(wǎng)印刷目的：
將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面，為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備
設(shè)備：
BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410 ，下面我們就這三類(lèi)逆變器進(jìn)行對(duì)比分析。集中式逆變器集中逆變技術(shù)是若干個(gè)并行的光伏組串被連到同一臺(tái)集中逆變器的直流輸入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模塊，功率較小的使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管，同時(shí)使用DSP轉(zhuǎn)
2021-05-12 16:37:014878 
各位“貞”朋友好，今日推薦貞光科技代理品牌，優(yōu)秀原廠(chǎng)—美微科(MCC)，貞光科技主要代理美微科(MCC)的二極管、MOSFETs、晶體管、電壓調(diào)節(jié)器、靜電保護(hù)和功率TVS、碳化硅肖特基、IGBT、功率模塊等產(chǎn)品。
2022-08-02 11:41:07877 
隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對(duì)于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門(mén)檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好
2023-04-21 10:18:28728 
封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過(guò)改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。文：英飛凌科技高級(jí)應(yīng)用工程師JorgeCerezo逆變焊機(jī)通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)
2023-06-13 09:39:58534 
散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅陶瓷基板等部件相匹配的熱膨脹系數(shù)、足夠的硬度和耐用性等特點(diǎn)。
2023-07-06 16:19:33793 
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內(nèi)通冷卻液，散熱路徑為：芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-冷卻液。
2023-07-12 16:25:052072 
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下，允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
2023-07-21 08:55:593056 
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板，基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂，緊貼在液冷板上，液冷板內(nèi)通冷卻液，散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-冷卻液。即芯片為發(fā)熱源，熱量主要通過(guò)DBC基板、平底散熱基板、導(dǎo)熱硅脂傳導(dǎo)至液冷板，液冷板再通過(guò)液冷對(duì)流的方式將熱量排出。
2023-07-21 09:34:32562 
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問(wèn)題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。
2023-07-27 10:43:261121 
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車(chē)電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對(duì)新能源汽車(chē)性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907 
隨著全球新能源的發(fā)展，功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求
2023-09-01 15:06:571677 
IGBT 功率模塊的開(kāi)關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
?IGBT全稱(chēng)為絕緣柵雙極型晶體管，特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心部件，其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性能和可靠性有著至關(guān)重要的影響。傳統(tǒng)的單面冷卻
2023-09-26 08:11:51586 目前，芯動(dòng)半導(dǎo)體無(wú)錫工廠(chǎng)已完成建設(shè)，自今年2月奠基以來(lái)，歷時(shí)8個(gè)月，工廠(chǎng)主體封頂，首條模塊產(chǎn)線(xiàn)于10月28日順利通線(xiàn)。工廠(chǎng)擁有國(guó)內(nèi)一流測(cè)試環(huán)境，能夠滿(mǎn)足IGBT功率模塊的嚴(yán)苛質(zhì)量管理要求，快速響應(yīng)車(chē)型需求，定向開(kāi)發(fā)產(chǎn)品。
2023-11-17 17:14:03560 日前，Vishay 推出五款采用改良設(shè)計(jì)的 INT-A-PAK 封裝新型半橋 IGBT 功率模塊。新型器件由 VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 組成
2024-03-08 09:15:18180 
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過(guò)改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 IGBT 功率模塊的主要作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換, 同時(shí) IGBT 還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換的功能. 比如, 充電樁充電的時(shí)候是交流電, 需要通過(guò) IGB
2023-12-01 15:48:31
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