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      Vishay發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊

      CHANBAEK ? 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-03-08 11:45 ? 次閱讀

      Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先的Trench IGBT技術(shù)，為設(shè)計(jì)者提供兩種卓越的技術(shù)選項(xiàng)：低VCE(ON)或低Eoff。這極大地降低了在運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用中大電流逆變級(jí)的導(dǎo)通或開(kāi)關(guān)損耗。

      此次發(fā)布的半橋器件結(jié)合了高效的Trench IGBT與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt反并聯(lián)二極管，實(shí)現(xiàn)了卓越的節(jié)能效果。模塊的小型INT-A-PAK封裝設(shè)計(jì)新穎，柵極引腳布局優(yōu)化，不僅與34mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝完全兼容，還可輕松實(shí)現(xiàn)機(jī)械插接更換。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)無(wú)疑將為電力電子領(lǐng)域的工程師們帶來(lái)更加便捷、高效的設(shè)計(jì)體驗(yàn)。

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