女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

新能源車(chē)的福音:雙面燒結(jié)銀技術(shù)替代焊線技術(shù),提升碳化硅模塊的功率

sharex ? 來(lái)源:sharex ? 作者:sharex ? 2024-01-24 19:51 ? 次閱讀

新能源車(chē)的福音:雙面燒結(jié)銀技術(shù)替代焊線技術(shù),提升碳化硅模塊的功率

一 利用預(yù)涂布燒結(jié)銀的銅箔替代焊線

2023年初,SHAREX善仁新材協(xié)助客戶推出GVF9880預(yù)燒結(jié)銀焊片,幫助客戶實(shí)現(xiàn)了雙面燒結(jié)銀技術(shù)的碳化硅模塊。銀燒結(jié)技術(shù)在所有連接連接中是高功率模組的不二選擇,采用DTS預(yù)燒結(jié)銀焊片GVF9880可以顯著提升功率模塊的功率循環(huán):芯片連接和焊線被預(yù)燒結(jié)銀焊片統(tǒng)一取代。

善仁新材推出的雙面燒結(jié)銀技術(shù)利用燒結(jié)溫度約為250度的有壓納米銀AS9385系列,在20MPA的壓力5分鐘的條件下燒結(jié)成極低孔隙率的銀層。得益于銀高達(dá)961°C的熔點(diǎn),它將碳化硅芯片、AMB表面和GVF9880緊密的連接到一起。

GVF9880預(yù)燒結(jié)銀焊片代替焊線的功能,與芯片的連接面積大大增加,浪涌電流能力增加約25%。與傳統(tǒng)的功率模塊相比,額外的性能使系統(tǒng)級(jí)的電流密度提高了一倍。

二 雙面燒結(jié)技術(shù)的特點(diǎn)

1提高可靠性:燒結(jié)銀和銅箔連接代替焊料和焊線;

2提高功率密度;

3提高功率循環(huán)可靠性;

4提高芯片互連的接觸面積,浪涌電流增加了25%。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率
    +關(guān)注

    關(guān)注

    14

    文章

    2101

    瀏覽量

    71230
  • 新能源車(chē)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    642

    瀏覽量

    24508
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3010

    瀏覽量

    50046
  • 焊線技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    5964
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性

    碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片,SiC功率模塊驅(qū)動(dòng)板,驅(qū)動(dòng)IC)分銷(xiāo)商,聚焦
    的頭像 發(fā)表于 05-18 14:52 ?212次閱讀
    國(guó)產(chǎn)SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>全面取代進(jìn)口IGBT<b class='flag-5'>模塊</b>的必然性

    萬(wàn)億碳化硅市場(chǎng)背后的隱形冠軍:納米燒結(jié)材料國(guó)產(chǎn)化提速

    新能源市場(chǎng)的關(guān)鍵變量。 ? 傳統(tǒng)焊料在高溫下的“熱疲勞”頑疾,曾讓碳化硅模塊的壽命始終卡在千小時(shí)量級(jí)。而納米燒結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 05-17 01:09 ?7342次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率
    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:13 ?258次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?388次閱讀

    先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝:技術(shù)突破與行業(yè)變革

    ,對(duì)封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢(shì),提升功率模塊的性能與可靠性
    的頭像 發(fā)表于 04-08 11:40 ?407次閱讀
    先進(jìn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體封裝:<b class='flag-5'>技術(shù)</b>突破與行業(yè)變革

    派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品

    3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車(chē)盛會(huì)——汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與
    的頭像 發(fā)表于 03-29 09:10 ?1202次閱讀

    碳化硅SiC芯片封裝:燒結(jié)與銅燒結(jié)設(shè)備的技術(shù)探秘

    隨著碳化硅(SiC)功率器件在電力電子領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其高效、耐高壓、高溫等特性得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可。然而,要充分發(fā)揮SiC芯片的性能優(yōu)勢(shì),封裝技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。在SiC芯片封裝過(guò)程中,
    的頭像 發(fā)表于 03-05 10:53 ?761次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>SiC芯片封裝:<b class='flag-5'>銀</b><b class='flag-5'>燒結(jié)</b>與銅<b class='flag-5'>燒結(jié)</b>設(shè)備的<b class='flag-5'>技術(shù)</b>探秘

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對(duì)器件的整體性
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅在汽車(chē)工業(yè)中的應(yīng)用

    碳化硅新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 1. 太陽(yáng)能光伏 碳化硅材料在太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域主要應(yīng)用于制造高性能的太陽(yáng)能電池。由于其高熱導(dǎo)率和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,碳化硅可以作為太陽(yáng)能電池的基底材料,提高電池的
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?952次閱讀

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?494次閱讀

    Wolfspeed推出創(chuàng)新碳化硅模塊

    全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專(zhuān)為可再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計(jì)的碳化硅模塊。這款
    的頭像 發(fā)表于 09-12 17:13 ?794次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?990次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    大面積燒結(jié)AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選

    大面積燒結(jié)AS9387成為碳化硅功率器件封裝的首選
    的頭像 發(fā)表于 08-09 18:15 ?1014次閱讀
    大面積<b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>AS9387成為<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件封裝的首選

    基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

    隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車(chē)載功率模塊封裝技術(shù)帶來(lái)了
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:26 ?730次閱讀
    基本半導(dǎo)體銅<b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>中的應(yīng)用

    燒結(jié)賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命

    GVF9880預(yù)燒結(jié)片用于碳化硅模組。
    的頭像 發(fā)表于 06-17 18:10 ?1152次閱讀
    <b class='flag-5'>燒結(jié)</b><b class='flag-5'>銀</b>賦“芯”生,引領(lǐng)半導(dǎo)體革命