你 IGBT7 S7和T7系列主要面向需要短路電流能力的應用，例如馬達驅動。該系列可實現更高的功率輸出以及更高的功率密度，無需重新設計散熱器，縮短設計周期和降低設計成本。 H7采用最新型微溝槽柵技術，通過優化元胞結構，極大程度上降低了器件
2024-03-13 15:14:54
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意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經過改良設計的INT-A-PAK封裝。新款產品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 隨著人工智能（AI）技術的飛速發展，全球數據生成量呈現出爆炸式增長，進而推動了芯片對能源需求的急劇上升。在這一背景下，英飛凌科技近日宣布推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數據中心提供卓越的功率密度、質量和總體成本（TCO）優化方案。
2024-03-12 09:58:24226 隨著人工智能（AI）技術的飛速發展，全球數據生成量呈現爆發式增長，進而推動數據中心對高效、可靠且成本優化的功率解決方案的需求日益增長。為滿足這一市場需求，英飛凌科技近日正式推出TDM2254xD系列雙相功率模塊，旨在為AI數據中心提供卓越的基準性能，并有效降低總體擁有成本。
2024-03-12 09:44:23116 Vishay近期發布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領先
2024-03-08 11:45:51266 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 
開關 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領先的新能源汽車功率電子和電機驅動器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器
2024-03-04 11:20:52128 
英飛凌IGBT7單管系列，作為目前炙手可熱的光儲應用新星產品，正受到眾多玩家的追捧。本篇文章特地為大家貼心整理該系列產品的核心知識大全，希望大家買得放心，用得順手~更全型號選擇，總有一款適合
2024-02-23 08:13:15154 IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59284 
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會發生退飽和現象？ IGBT是一種高性能功率半導體器件，結合了MOSFET和BJT的優點。它在高電壓和高電流應用中具有低開啟電阻、低導通壓降和高開關速度等優點
2024-02-19 14:33:28472 IGBT過流和短路故障的區別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導體功率開關器件。在工業和電力領域廣泛應用，常常用于高壓、高電流的開關電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 Field-Effect Transistor）的控制性能，又具有異質結的管子功率特性。IGBT也是一個開關器件，可以在高電壓和高電流條件下工作，并且被廣泛應用于各種電力電子設備中。 IGBT由三個主要區域組成
2024-02-01 13:59:45447 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，結合了絕緣柵場效應晶體管（MOSFET）和雙極型晶體管（BJT）的特點。IGBT被廣泛應用于電力
2024-01-22 11:14:57269 元件完成電路的升降壓嗎？尤其是在同步整流中，前級輸入有LCL濾波裝置，LCL僅僅起到一個濾波的作用嗎，對整流的升降壓有沒有起到作用，低壓三相380同步整流輸出電壓范圍510-710V左右。
此時的功率器件是采用MOSFET還是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41
IGBT是一種高性能功率半導體器件，常用于驅動大功率負載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和BJT（雙極型晶體管）兩個器件構成。它結合
2024-01-12 14:43:521673 IGBT高壓開關的優點說明 IGBT是一種高壓開關器件，它結合了 MOSFET和BJT的優點，具有許多獨特的優勢。在本文中，我們將詳細地探討IGBT的優點，以便更好地理解其在不同領域的應用。 首先
2024-01-04 16:35:47787 英飛凌，全球半導體技術的領導者，于2023年12月23日榮獲了年度國際功率器件行業卓越獎，其獲獎產品為160V MOTIX?三相柵極驅動器IC。這一榮譽充分體現了英飛凌在寬禁帶半導體技術和創新方面的杰出貢獻。
2024-01-03 15:32:19319 逆變電路中的功率開關器件是實現直流電轉換為交流電的關鍵元件，其主要作用是在控制信號的作用下，將直流電源輸出的電能轉換為交流電能。在逆變電路中，功率開關器件的性能直接影響到整個逆變器的效率、可靠性
2023-12-30 17:02:00702 英飛凌是全球半導體領域的領導者，12月23日，英飛凌160VMOTIX三相柵極驅動器IC獲得年度國際功率器件行業卓越獎。本次評獎活動由世紀電源網舉辦，旨在通過客觀、真實、公開的評選方式，評選
2023-12-30 08:14:04173 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
眾所周知，IGBT失效是IGBT應用中的難題。大功率IGBT作為系統中主電路部分的開關器件，失效后將直接導致系統癱瘓。宇宙射線作為一個無法預知的因素，可能就是導致IGBT發生意外故障的關鍵。
2023-12-27 09:39:34671 
開關器件。雖然它們的名稱相似，但在構造、原理和應用方面存在一些不同之處。 結構與構造差異： IGBT是一種由晶體管和MOSFET結合而成的雙極型功率開關器件。它由三個控制結構——門級結、PN結和PNP
2023-12-25 15:09:09399 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種電力開關裝置，常被用于控制大電流和高電壓的電力設備。IGBT軟開關和硬開關是兩種不同的IGBT工作模式，它們在開關
2023-12-21 17:59:32658 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設備中常見的兩種功率開關器件。它們在許多應用中起著關鍵作用，主要用于交流電轉換、能量轉換和電流控制
2023-12-19 09:56:33566 半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
是一種重要的關鍵技術，被廣泛應用于能源轉換和能量控制系統中。 首先，我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導體器件，是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關器件。它具有低導通壓降、高開關速度和高耐受電壓的特點，適用于高
2023-12-07 16:45:21469 igbt的作用和功能? IGBT，即絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
2023-12-07 16:32:552936 這篇文章是英飛凌工業半導體微信公眾號系列原創文章第205篇，IGBT單管數據手冊參數解析（下）
2023-12-06 11:56:43
17 這篇文章是《英飛凌工業半導體》系列原創文章的第204篇，IGBT單管數據手冊參數解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統
2023-12-05 17:03:49446 
這里，我們只關注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312602 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應用中
2023-12-01 15:48:31
高壓功率器件的開關技術簡單的包括硬開關技術和軟開關技術
2023-11-24 16:09:22534 
國內各家（英飛凌、安森美）車載IGBT的產品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個層級，主要分為A0/A00級以下，A級車，還有一些專用車例如物流和大巴車。在2015年以前是沒有IGBT車規級的說法
2023-11-23 16:48:00556 
英飛凌IGBT模塊命名規則
2023-11-23 09:09:36527 
英飛凌IGBT單管命名規則
2023-11-23 09:09:35646 
功率電子器件是PCS的核心組成部分，主要實現電能的轉換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件，今天我們主要來學習IGBT。
2023-11-22 09:42:50513 
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 電子發燒友網站提供《隔離驅動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:590 MOSFET、IGBT、二極管等功率器件中起通流和開關作用的均是功率器件的有源區，那為什么還要在周圍設計一圈終端區浪費芯片的一部分面積呢
2023-11-14 10:05:23560 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 波老師那個年代上大學都是自己攢機裝電腦，買CPU先問主頻多少Hz？后來買手機也是，先看幾個核，再看主頻...所以估計大家都也差不多，都烙下病根兒了。 可是IGBT是個功率器件，它的開關頻率上限并不是一個確定的值。
2023-11-10 09:38:461093 
開關器件，常用于控制高電壓和高電流的電力電子設備中。IGBT短路測試是在IGBT生產和維修過程中常用的一項關鍵測試，旨在檢測IGBT是否存在電路短路故障。 IGBT短路測試平臺是一種用于進行IGBT
2023-11-09 09:18:291042 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關器件，優勢在于體積小、壽命長、可靠性高，現在市場上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業為英飛凌，其現在的IGBT器件為商業化的第七代，主要應用于乘用車、光伏和風電能源領域。
2023-11-08 11:49:33282 11月2日，英飛凌科技的TRENSTOPIGBT71200V系列憑借其卓越的性能和廣泛的應用領域，榮獲2023年Aspencore電子成就獎
2023-11-04 08:14:47248 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個IGBT芯片、驅動電路、保護電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設備中的半導體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052492 
IGBT元器件旁路連接的反向二極管起什么作用？ IGBT是絕緣柵雙極型晶體管，它是一種強大的電力開關元件，廣泛用于各種交流和直流電力電子應用中。IGBT的前向導通特性類似于單晶體管，而其反向阻止特性
2023-10-22 11:33:561063 igbt可以反向導通嗎？如何控制igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:051887 及IC，目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產品，產品種類基本覆蓋功率半導體器件全部范圍，廣泛應用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業控制與LED
2023-10-16 11:00:14
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成，是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件，是實現電能轉換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發展方向之一。
2023-09-22 16:54:103325 
IGBT 功率模塊的開關特性是由它的內部結構，內部的寄生電容和內部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 近年來，新型功率開關器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認識，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件(圖2)，IGBT
2023-09-11 10:42:41907 
功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521082 
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
功率半導體器件在現代電力控制和驅動系統中發揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負載和驅動電機等應用，但是它們的內部結構和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:494672 
igbt反向并聯二極管作用 IGBT是一種強勁的功率半導體器件，被廣泛應用于高電壓、高電流和高速開關的領域。與傳統的大功率晶體管相比，IGBT能夠提供更高的功率密度，同時也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118 深圳市薩科微半導體公司公司，是以研究制造第三代半導體新材料碳化硅功率器件元器件發展起來的公司，薩科微slkoric于2022年獲授“國家級高新技術企業”，原始取得關于MOS管、IGBT管、元器件封測
2023-08-26 13:56:28286 
Infineon(英飛凌)作為一家全球領先的半導體解決方案提供商，其IGBT管產品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531477 
igbt功率管怎么檢測好壞？ 簡介： 隨著電力電子技術越來越先進和高效，IGBT已成為工業應用的熱門選擇。IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種三端半導體器件，支持高電壓和高電流應用，同時提供快速開關
2023-08-25 15:03:352090 igbt的優缺點介紹 IGBT的優缺點介紹 IGBT是一種晶體管，是MOSFET和BJT集成而成的開關，具有高速開關能力和較低的導通電阻，用于高效率的功率調節。IGBT具有一些優點和缺點，下面將詳細
2023-08-25 15:03:293998 代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于近日宣布推出全新的TEGRION?系列安全控制器，這是英飛凌迄今為止最廣泛的28 nm安全控制器產品組合。該系列安全控制器集成了全新的Integrity
2023-08-21 14:32:22514 
摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優點的問題，設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術概述
2023-08-08 10:00:312 【 2023 年 8 月 4 日 ， 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56417 
在 IGBT驅動電源板 中有著廣泛的應用。 ? ? ? ?IGBT驅動板是控制系統和開關器件中的中間環節，承擔著接受控制系統信號并傳輸信號，確保IGBT執行開關、保護、和反饋器件工作狀態的重任。 ? ? ? ?通常，IGBT驅動板由IGBT驅動芯片、驅動外圍電路、驅動輔
2023-08-04 17:35:03609 近年來薩科微半導體發展神速，在掌握第三代半導體碳化硅功率器件技術的基礎上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產品。薩科微副總經理賀俊駒介紹，在功率器件應用市場
2023-07-31 11:14:43404 
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產品陣容。該系列器件主要適用于開關電源（SMPS）、太陽能系統、電池保護、固態繼電器（SSR）、電機啟動器和固態斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）
2023-07-28 15:05:301065 
IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 
IGBT是繼MOSFET之后，新一代的開關器件，主要用于高壓和高電流的開關控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor，是由晶體管和MOSFET的優點相結合
2023-07-20 16:39:514479 除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術在電力電子領域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進入IGBT市場，推出了一系列新的600 V設備。本文將介紹IGBT、trench-gate設備和Nexperia的新產品系列。
2023-07-18 15:35:53367 
電機控制器的功率模塊，即IGBT器件和續流二極管，在開關和導通電流會產生損耗，損失的能量會轉化成熱能，表現為功率模塊發熱。
2023-07-12 15:53:142495 
IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。 編輯：黃飛
2023-07-07 09:36:321089 
。Nexperia在其龐大的產品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業電機驅動（例如
2023-07-05 16:34:291053 V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業電機驅
2023-07-05 09:20:27459 
地被開發出來。GaN器件的低導通內阻、低寄生電容和高開關速度等特性，使得對應的Class D功放系統能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時因為更少的反饋需求所帶來的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
IGBT技術在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創新。新一代IGBT產品在提高開關速度、降低開關損耗、增強耐壓能力等方面取得了顯著進展，提高了系統效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導體器件，主要用作電子開關，在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過
2023-06-14 20:15:012111 
IGBT是由MOSFET和GTR技術結合而成的復合型開關器件，是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構成的，性能上也是結合了MOSFET和雙極型功率晶體管的優點。
2023-06-13 16:23:21414 ? 【 2023 年 5 月 6 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）繼推出 EiceDRIVER? 6ED223xS12T 系列
2023-06-06 11:03:03420 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
每次談到IGBT都要把它的優點先說一遍，就當我嘮叨了。IGBT結合了電力場效應管和電力晶體管導通、關斷機制的優點，相比于其他大功率開關器件，IGBT的驅動功率小、開關速度快、沒有二次擊穿效應且易于并聯。
2023-05-25 17:31:342943 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關器件，具有開關速度快、易于驅動、損耗低等優勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
功率器件可以在各種非正常工況下保護自己并報錯會大大提高功率器件自身的可靠性和整個系統的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經典產品PROFET系列為例，它集成了診斷和保護功能（Protect）的功率器件
2023-05-02 15:44:00927 
對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關管呢？
2023-04-20 10:19:351433 ）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，具有高輸入阻抗和低導通壓降的優點。
2023-04-15 14:23:581287 IGBT是高頻開關器件，芯片內部的電流密度大。當發生過流或短路故障時，器件中流過的大于額定值的電流時，極易使器件管芯結溫升高，導致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護。
2023-04-06 17:31:175475 
IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔功率轉換和能量傳輸的功能。它是逆變器的心臟。同時，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會變得無能
2023-03-30 10:29:45992 
IGBT芯片的開關特性，需要仿真確定D1和C1器件的參數； 02.仿真運行是慢速的時間點，需要等待緩慢運行，與CPU處理量有關； 03.修改電路后會存在參數報錯無法運行，出現這種情況后讓其自動修正
2023-03-27 14:57:37
【 2023 年 03 月 27 日， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）日前宣布，推出全新的 iMOTION? IMI110 系列智能
2023-03-27 14:42:30446 
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