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以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求：英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合，推出全新電流額定值模塊

【2023年8月4日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計人員在設(shè)計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優(yōu)秀的電氣性能。新型模塊專為滿足集中式太陽能逆變器以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和不間斷電源（UPS）的需求而開發(fā)。此外，它還廣泛適用于電動汽車充電樁、儲能系統(tǒng)（ESS）和其他新型工業(yè)應(yīng)用。
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基于新型微溝槽技術(shù)，搭載 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 芯片的62mm 模塊系列的靜態(tài)損耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于搭載 IGBT4 芯片組的模塊。這些特性大大降低了應(yīng)用中的損耗，在以中等開關(guān)頻率工作的工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中尤為顯著。IGBT 的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的最大過載結(jié)溫為 175°C。
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堅固的鍍鎳銅底板和螺母主端子確保了 62 mm模塊封裝具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。主端子位于封裝中央，由于其直流鏈路連接電感較低，因此非常適合并聯(lián)電路和三電平拓?fù)渑渲谩?biāo)準(zhǔn)的封裝設(shè)計和尺寸使得該系列能夠兼容此前的模塊版本。此外，所有模塊均可使用半導(dǎo)體科技公司英飛凌經(jīng)過驗證的預(yù)涂熱界面材料（TIM）。
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供貨情況
現(xiàn)在即可訂購 1200 V TRENCHSTOP IGBT7 62mm產(chǎn)品組合。預(yù)涂熱界面材料的型號也將在不久后推出。了解更多信息，請訪問 www.infineon.com/62mm和www.infineon.com/IGBT7。
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如需進(jìn)一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻(xiàn)，請訪問：www.infineon.com/green-energy
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英飛凌(136806) 英飛凌(136806)

英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊，大幅提升逆變器的功率密度

V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動和靜態(tài)無功發(fā)生器

2022-05-30 15:10:15

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飛兆半導(dǎo)體擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合

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英飛凌擴(kuò)展第三代逆導(dǎo)IGBT產(chǎn)品組合

英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) （RC）軟切換絕緣閘雙極性電晶體（IGBT） 產(chǎn)品系列，推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品，以因應(yīng)市場對高可靠性的持續(xù)需求。

2012-10-24 09:14:36

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基美電子擴(kuò)展ESD等級陶瓷電容器產(chǎn)品組合

全球領(lǐng)先的電子元件供應(yīng)商——基美電子（KEMET），將其靜電放電（ESD）等級陶瓷電容器系列擴(kuò)展成了完整的產(chǎn)品組合。EIA 0402、0603、0805和1206封裝尺寸、電壓額定值為16

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通過立足于超結(jié)技術(shù)創(chuàng)新和20多年的豐富經(jīng)驗，英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其CoolMOSTM產(chǎn)品組合，推出全新PFD7系列，該系列不僅具備一流的性能

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功率擴(kuò)展：TRENCHSTOP? IGBT7 Easy產(chǎn)品系列推出新的電流額定值模塊

相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現(xiàn)對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的高可控性。

2020-04-30 07:19:00

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table .yet {background-color: #fff2f1;}全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容產(chǎn)品名稱絕對最大額定值電感值(nH)封裝熱敏電阻內(nèi)部電路圖※VDSS(V)VGS(V)ID(V

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IGBT模塊EconoPACKTM4

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IGBT模塊的選擇

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IGBT驅(qū)動芯片額定輸出功率密度不足的分析

對應(yīng)很大的脈沖電流。驅(qū)動較長信號線纜的器件要注意使用緩沖電路。注意線纜阻抗匹配失調(diào)所可能導(dǎo)致的額外電流等等。本文的篇幅較長，主要的目的就是希望引起對IGBT驅(qū)動芯片額定輸出功率密度相對不足的重視。如果

2018-08-14 15:05:21

功率MOSFET技術(shù)提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率

2019-07-04 06:22:42

滿足高達(dá)7.5V 電壓需求的超級電容

, 新推出的兩款超級電容同樣具有卓越的性能、可靠性和多功能性，而且能夠滿足更高電壓應(yīng)用要求，徹底改變能源供應(yīng)和儲能。 Abracon的超級電容器利用行業(yè)最新的雙層技術(shù)實現(xiàn)高能量和高功率密度。通過這兩種特性

2023-11-06 14:18:58

英飛凌750W伺服套件呈現(xiàn)完美性能

IPM模塊，設(shè)計緊湊，功率密度高，客戶也可根據(jù)實際功率需求更換不同功率等級的功率器件。在眾多半導(dǎo)體廠家提供的評估套件中，此套件是一套非常接近量產(chǎn)產(chǎn)品的實用型套件，套件的功率板部分已經(jīng)批量生產(chǎn)供貨。購買此

2018-12-11 10:47:32

高功率密度30A PMBus電源參考設(shè)計

描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 電源，滿足基站遠(yuǎn)程射頻單元 (RRU) 應(yīng)用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 內(nèi)核電壓軌電源規(guī)格。該電源在

2022-09-27 06:47:49

高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)？

傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)

2021-03-07 08:47:04

高功率密度的解決方案

集成來減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作，使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來實現(xiàn)這四個方面，幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先，讓我們來定義功率密度，并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時的細(xì)節(jié)

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Airfast射頻功率解決方案

滿足多種客戶需求，例如易用性和靈活性。根據(jù)直放站廠家的需求，中電器材提供APD+Doherty的整套方案Airfast性能不止一代的跨越：● 比八代的LDMOS產(chǎn)品顯著提高 5％ ● 將功率密度提高

2013-07-02 13:31:33

Altera設(shè)計坊第一期如何通過FPGA提高工業(yè)應(yīng)用靈活性？

，甚至減少系統(tǒng)總成本...想知道FPGA作為多種工業(yè)產(chǎn)品的高度集成平臺，是如何有效的縮短開發(fā)時間，降低設(shè)計風(fēng)險的嗎？《通過FPGA提高工業(yè)應(yīng)用靈活性的5種方法》為您揭秘...看完以上文章之后，大家可以圍繞

2013-10-11 10:43:19

DN127 - 3V和5V 12位軌到軌微功率DAC結(jié)合了靈活性和性能

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2019-07-05 16:36:02

EconoPACKTM4堅固、可靠的下一代功率模塊

的IGBT EconoPACKTM4 產(chǎn)品系列首先推出阻斷電壓為1200V的模塊，具備100A、150A和200A的額定電流。所有1200V EconoPACKTM4模塊都具備全新IGBT

2018-12-03 13:49:12

LTC7820是如何實現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案的？

電流條件下為 24V，開關(guān)頻率為 500kHz。16 個 10μF陶瓷電容器 (X7R 型，1210 尺寸) 起一個跨接電容器的作用，以傳送輸出功率。圖 1：一款采用 LTC7820 的高效率、高

2018-10-31 11:26:48

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

而言。為滿足這種產(chǎn)品的各種要求，采用全套功率模塊常常是比較有利的。這可確保改善熱管理、降低寄生電感，并大幅提高整體性能。在這里，采用這種全新的器件，可顯著減少器件的數(shù)量。圖3的例子顯示了在功率模塊

2018-12-07 10:21:41

一款具備高功率密度1A LDO器件LT196

　　LT1965 一款高功率密度1A LDO器件.該IC在滿負(fù)載時具有僅為300mV的低壓差電壓、1.8V 至20V的寬VIN能力和1.2V至19.5V的可調(diào)輸出，不日前由凌力爾特公司

2018-09-27 10:37:27

專注于架構(gòu)靈活性和高集成度保護(hù)功能USB Type-C

　　意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST），是全球最大的半導(dǎo)體公司之一，以業(yè)內(nèi)最廣泛的產(chǎn)品組合著稱，憑借多元化的技術(shù)、尖端的設(shè)計能力、知識產(chǎn)權(quán)組合、合作伙伴戰(zhàn)略和高效的制造能力

2016-01-19 09:54:07

什么是功率密度？如何實現(xiàn)高功率密度？

什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？

2021-03-11 06:51:37

什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？

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2021-03-11 08:12:17

什么是英飛凌創(chuàng)新型智能數(shù)字LED驅(qū)動電源？

的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動IC以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動電源設(shè)計的半導(dǎo)體器件選型需求。

2019-10-18 06:23:59

具備更強(qiáng)機(jī)械性能的高功率IGBT模塊和采用最新3.3kV IGBT3芯片技術(shù)

℃下的功率循環(huán)能力3 IHM B模塊的新型引出端設(shè)計由于新型芯片技術(shù)使得電流密度不斷增加，現(xiàn)有的模塊必須要能容納標(biāo)稱電流值高達(dá)3600A的1200V和1700V芯片。3.1 IHM A模塊的缺陷與局限

2018-12-03 13:51:29

在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

快，效率高，具有卓越的熱性能和系統(tǒng)可靠性，總面積為700mm2，輸出功率為48W。輸入電壓為60V，輸出電壓為1V，電流50A，開關(guān)頻率600kHz時，48V的效率為88%，如圖3所示。模塊效率峰值為91

2019-07-29 04:45:02

基于PrimePACKTM IGBT模塊優(yōu)化集成技術(shù)的逆變器

模塊輸出電流能力會約束整個逆變器的功率密度，最大結(jié)溫是IGBT開關(guān)運(yùn)行的限制因素，本文介紹了PrimePACKTM封裝將IGBT工作結(jié)溫提高到150℃，并給出了在苛刻條件下逆變器性能和電流利用率的情況

2018-12-03 13:56:42

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實現(xiàn)更高功率密度

從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī)，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸

2019-03-01 09:52:45

如何去提高電源管理的靈活性？

有什么方法可以提高電源管理的靈活性嗎？

2021-04-23 06:24:02

如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設(shè)計

，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱

2016-01-25 11:29:20

如何實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計？

實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法

2020-11-24 07:13:23

實現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點

模塊市場主要額定電流范圍100A～600A的全SiC模塊產(chǎn)品。利用這些模塊，可大幅提升普通同等額定電流IGBT模塊應(yīng)用的效率，并可進(jìn)一步實現(xiàn)小型化。封裝的內(nèi)部電感值大幅降低電流額定較大的功率模塊中，封裝

2018-12-04 10:19:59

對更高功率密度的需求推動電動工具創(chuàng)新解決方案

，160A峰值，效率高于98%的高功率密度無刷電機(jī)驅(qū)動器參考設(shè)計。訂購具有60V CSD88599Q5DC和DRV8323R柵極驅(qū)動器的DRV8323RH三相智能柵極驅(qū)動評估模塊。

2017-08-21 14:21:03

帶有雙極性閘極電壓的靈活型高電流IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計包括BOM及層圖

達(dá) 600 Vac 的低壓驅(qū)動器適用于額定電流高達(dá) 1000 A 且 Qg 高達(dá) 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性（+15 V 和 -8 V）閘極驅(qū)動器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能

2018-09-04 09:20:51

應(yīng)用于混合動力/電動車輔助系統(tǒng)的小功率模塊easy module

的應(yīng)用需求，有效的降低了產(chǎn)品成本，同時又保證了設(shè)計的靈活性。（如圖 3 所示）1） IGBT 全橋模塊（6 管 IGBT，內(nèi)置 NTC 溫度電阻）基于 Ecom3 IGBT技術(shù)，可用于 3 相電機(jī)驅(qū)動

2018-12-06 09:47:30

新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān)：靈活性與高性能至關(guān)重要

新一代小區(qū)網(wǎng)關(guān)：靈活性與高性能至關(guān)重要各種各樣的數(shù)字設(shè)備進(jìn)入到越來越多的家庭之中，如各種多媒體應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、語音與數(shù)據(jù)通信平臺，以及娛樂系統(tǒng)等。當(dāng)今消費(fèi)者通常可在家中通過因特網(wǎng)寬帶連接獲得日益豐富

2009-10-05 09:18:53

智能數(shù)字LED驅(qū)動電源有什么特點？

的數(shù)字產(chǎn)品和解決方案，在提供高性能表現(xiàn)的產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的同時，極大的減輕了客戶庫存的壓力和新產(chǎn)品推出的周期，擴(kuò)展了研發(fā)設(shè)計的靈活性。英飛凌照明驅(qū)動ＩＣ以其豐富的產(chǎn)品類型，廣泛的拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">組合，搭配業(yè)界領(lǐng)先功率晶體管CoolMOS技術(shù)，充分滿足了LED驅(qū)動電源設(shè)計的半導(dǎo)體器件選型需求。

2019-08-06 06:14:02

氮化鎵GaN技術(shù)怎么實現(xiàn)更高的功率密度

2019-08-06 07:20:51

浙江常年大量回收英飛凌二手模塊系列IGBT模塊

模塊長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ? 無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946QQ2360670759

2021-02-24 17:06:50

瑞薩電子推出兩個全新入門級產(chǎn)品群以擴(kuò)展RA MCU產(chǎn)品家族，打造性能、功能和價值的理想組合

36引腳BGA和5mm x 5mm 32引腳QFN，滿足對成本敏感和空間有限的應(yīng)用需求。此外，新設(shè)備的低功耗節(jié)省了能源，使終端產(chǎn)品能夠為更綠色的環(huán)境做出貢獻(xiàn)。所有RA器件都得到瑞薩靈活配置軟件包

2023-03-14 15:30:18

瑞薩電子推出包括汽車級在內(nèi)的 10款全新成功產(chǎn)品組合

的任何電動車系統(tǒng)。該款“成功產(chǎn)品組合”包含瑞薩的低功耗藍(lán)牙 ^?^ 、Wi-Fi和MCU產(chǎn)品。3千瓦非車載電動車充電器高功率非車載充電器是支持電池組解決方案的功能模塊。該充電器組合在通用輸入范圍內(nèi)工作

2023-03-02 14:29:51

用于汽車應(yīng)用的碳化硅MOSFET功率模塊

具有更高的熱性能和堅固性，以及高度可靠的環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)。所有這些都導(dǎo)致：　　優(yōu)化內(nèi)部低雜散電感和電弧鍵合?結(jié)構(gòu)，顯著提升動態(tài)開關(guān)性能;　　功率密度比主要競爭對手的模塊高20-30%;　　更低的熱阻

2023-02-20 16:26:24

電動汽車的全新碳化硅功率模塊

面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本

2021-03-27 19:40:16

電動汽車解決方案 NCV57001FDWR2G 隔離大電流IGBT 門驅(qū)動器

;5 kVrms（UL1577額定值）電流隔離和>1200 VIORM（工作電壓）能力。有多種型號可供選擇?身體SOIC?16個組件，保證兩個組件之間的爬電距離為8mm滿足強(qiáng)化安全絕緣要求的輸入

2022-01-06 09:53:36

電源系統(tǒng)設(shè)計中靈活性和可配置性的好處

固定功能電源問題。即便類似的標(biāo)準(zhǔn)零件能夠以更低成本滿足他們的即時需求，有些設(shè)計團(tuán)隊還是會選擇使用可配置電源。他們這樣做的原因是靈活性的價值超出了使用可配置電源的少量額外成本。在產(chǎn)品的生命周期內(nèi)，很多

2017-04-07 15:06:26

脈沖電流額定值的計算方法

持續(xù)時間以及“絕對最大額定值”表的腳注中明確規(guī)定的占空比）的函數(shù)被計算出來的。以最近發(fā)布的CSD17579Q5A 30V N通道MOSFET為例。該部件的產(chǎn)品說明書規(guī)定了105A的最大脈沖電流額定值

2018-09-07 14:52:25

脈沖電流額定值的計算方法

的。以最近發(fā)布的CSD17579Q5A 30V N通道MOSFET為例。該部件的產(chǎn)品說明書規(guī)定了105A的最大脈沖電流額定值，基本條件是脈沖持續(xù)時間小于或等于100μs，占空比小于或等于1％。為確定

2022-11-18 06:02:49

輔助功率模塊

定制DCB（直接銅粘合）布線和引腳而獲得的應(yīng)用靈活性；降低客戶開發(fā)周期和成本；高功率密度；集成式溫度傳感器；低雜散電感模塊設(shè)計；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。英飛凌已成功將這些模塊納入其汽車功率模塊產(chǎn)品組合。因此

2018-12-07 10:13:16

重慶市長期高價回收各種英飛凌IGBT型號模塊

長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E

2021-09-17 19:23:57

集成MOSFET如何提升功率密度

開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其

2020-10-28 09:10:17

高密度、模塊化的可編程系統(tǒng)AMETEK Elgar ReFlex產(chǎn)品

波峰因數(shù)4.8數(shù)字回路控制技術(shù)輸入欠壓保護(hù)可達(dá)輸入線路額定值的65%通用的交流/直流輸入 ※ 三插槽、500V、電子直流負(fù)載模塊高壓輸入可達(dá)500V，電流高達(dá)15A 或30A，功率達(dá)375W&

2018-08-27 11:54:49

英飛凌IGBT模塊

（fieldstop），這樣結(jié)合了 PT 和 NPT 技術(shù)的優(yōu)勢。該技術(shù)可使靜態(tài)和動態(tài)損耗減至最小，加上 IGBT3 具有更高電流密度，它還可擴(kuò)展系列產(chǎn)品的功率范

2023-02-24 14:45:08

1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 H7

40-140A 1200V的TRENCHSTOP? IGBT7 H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。 產(chǎn)品特點：得益于著名的英飛凌出色VCEsat

2023-03-17 13:31:16

英飛凌推出額定電流高達(dá)120A的新型TO-247PLUS封裝

2014年12月2日，慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司針對大功率應(yīng)用擴(kuò)大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達(dá) 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)TO-247-3。

2014-12-02 11:12:04

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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片

英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性

2015-06-24 18:33:29

2516

英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計達(dá)到前所未有的效率和性能

　　2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。

2016-05-10 18:14:09

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Littelfuse的新型半橋IGBT模塊將額定電流提升至600A，確保靈活、高效、可靠的電源轉(zhuǎn)換

Littelfuse， Inc.今天宣布推出IGBT模塊功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合的最新產(chǎn)品系列——MG12600WB-BR2MM。相比該產(chǎn)品組合之前產(chǎn)品的最高額定電流（450A），新型半橋IGBT模塊

2016-10-25 16:29:15

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Qorvo推出新控制產(chǎn)品，為業(yè)界最豐富的CATV產(chǎn)品組合再添成員

Qorvo宣布擴(kuò)展CATV產(chǎn)品組合，推出兩款專為DOCSIS 3.1有線網(wǎng)絡(luò)設(shè)計的全新控制產(chǎn)品——QPC3624和QPC3024。新增加的產(chǎn)品為有線運(yùn)營商提供了更大的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計靈活性，從而提高上游和下游帶寬并降低功耗。

2016-11-04 15:11:30

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Aviacomm推出靈活性寬頻射頻前端（RFFE）電路產(chǎn)品ARF1010EX

寬頻射頻積體電路供應(yīng)商Aviacomm宣布在其智慧收發(fā)器產(chǎn)品組合中增添最新推出的產(chǎn)品ARF1010EX。定位于快速發(fā)展的3G和LTE市場對高度復(fù)雜的多頻段無線通訊的需求，ARF1010EX 提供了一項簡單的晶片解決方案來滿足對更具靈活性的解決方案的市場需求。

2019-03-20 08:51:32

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英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中

IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。

2018-06-04 08:31:00

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QORVO推出最新一代RF Flex產(chǎn)品組合，擴(kuò)展其 RF前端（RFFE）產(chǎn)品系列

Qorvo， Inc.推出最新一代RF Flex產(chǎn)品組合，擴(kuò)展其 RF前端（RFFE）產(chǎn)品系列。Qorvo最新第5代RF Flex RFFE產(chǎn)品組合兼具高性能與設(shè)計靈活性，使制造商得以快速開發(fā)并推出滿足載波聚合（CA）高要求的，且發(fā)展最快、范圍最廣的中端智能手機(jī)。

2018-05-14 11:42:00

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英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成全額定電流

2018-05-18 09:04:00

1989

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級換代了？

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。

2018-06-21 10:10:44

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高功率密度DC/DC模塊電源——寬壓URB_YMD-30WR3 系列

URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN為滿足客戶對更高功率密度產(chǎn)品的需求，而最新推出的寬壓高功率密度產(chǎn)品。

2019-10-22 13:48:24

1750

英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列新產(chǎn)品，電流額定值模塊

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）為其1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列推出新的電流額定值模塊。

2020-04-30 11:52:39

4039

Littelfuse擴(kuò)展PolySwitch低Rho SMD系列，為現(xiàn)有產(chǎn)品組合增加了23個新等級

Littelfuse全球產(chǎn)品經(jīng)理Stephen Li表示：“我們經(jīng)過擴(kuò)展的低Rho SMD自恢復(fù)PPTC產(chǎn)品組合包括更廣泛的額定值和尺寸范圍。

2020-12-16 16:18:10

616

英飛凌采用具有新額定電流的IGBT7以增強(qiáng)1200V EconoDUAL? 3產(chǎn)品組合，靈活滿足更高的功率密度和性能

除了太陽能和驅(qū)動應(yīng)用外，該產(chǎn)品組合還為商用、建筑和農(nóng)用車輛（CAV）以及不間斷電源（UPS）逆變器量身定制。

2021-09-07 11:46:52

596

IGBT7與IGBT4兩種典型工況對比方案

工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對比。實驗結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對比測試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。伺服驅(qū)動系統(tǒng)響應(yīng)速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產(chǎn)品IGBT7憑借超低導(dǎo)通壓降、dv/dt可控、175℃過載結(jié)溫

2021-10-26 15:41:19

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SiC FET實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性的解決方案

為了滿足設(shè)計人員對更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩(wěn)健的短路耐受時間額定值為 5微秒。

2022-08-03 08:04:48

907

一周新品推薦:英飛凌功率集成模塊PIM IGBT和Microchip ATtiny1627 Curiosity Nano評估套件

Curiosity Nano評估套件 1 產(chǎn)品一： 英飛凌功率集成模塊FP25R12W1T7_B11 FP25R12W1T7_B11 是 英飛凌 推出的1200 V、25 A? 基于EasyPIM 1B

2023-01-29 19:00:04

931

英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高，在設(shè)計靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列，它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級，適用于

2023-02-16 16:30:58

1135

Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出先進(jìn)的I2C GPIO擴(kuò)展器產(chǎn)品組合

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用輸入輸出（GPIO）擴(kuò)展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中

2023-05-04 17:34:04

898

英飛凌推出全新 EiceDRIVER? 1200 V 半橋驅(qū)動器 IC系列，有源米勒鉗位保護(hù)可提升高功率系統(tǒng)的耐用性

，為客戶提供了更多的選擇以及設(shè)計靈活性。增強(qiáng)的電流輸出能力將這一產(chǎn)品組合的適用性提升到更高的系統(tǒng)功率水平。這些器件能夠提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的負(fù)極 VS 負(fù)瞬態(tài)電壓抗

2023-06-06 11:03:03

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1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能

對應(yīng)用系統(tǒng)的性能具有決定性的影響。為響應(yīng)上述應(yīng)用市場日益增長的發(fā)展需求，JSAB推出了兼容國外一流進(jìn)口品牌的Econodual3和62mm封裝的1200V-600A/450A大功率模塊。相關(guān)模塊的IGBT

2023-06-20 11:26:02

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