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      英飛凌IGBT芯片技術又升級換代了？

      QjeK_yflgybdt ? 來源：未知 ? 作者：胡薇 ? 2018-06-21 10:10 ? 次閱讀

      基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200V TRENCHSTOP? IGBT7，同時采用最新EmCon 7二極管芯片與之搭配成IGBT開關，帶來功率器件領域的革命性變革。

      想先人一步領略新品魅力？敬請蒞臨6月25日舉行的2018 英飛凌功率半導體技術研討會上海站，我們將在下午變頻驅動分會場上進行IGBT7技術特性的首次國內宣講，揭開英飛凌下一代IGBT的神秘面紗。

      IGBT7和EmCon7 針對工業電機驅動應用進行芯片優化設計，進一步減少器件穩態損耗，可實現更高功率密度，同時兼顧了芯片的軟特性。此外，過載條件下允許的最高工作結溫將提升至175 °C，實現同等封裝下輸出電流能力增大40%。

      突出特性

      ? 最低的通態壓降Vce(sat)和Vf

      ? 過載條件下支持175 °C最高虛擬結溫

      ? 在滿足dv/dt=5kV/us的前提下，優化器件開關損耗

      ? 滿足8us短路耐受時間

      ? 續流二極管FWD可靠性增強

      客戶收益

      ? 低損耗滿足系統提高效率的需求

      ? 優化的設計同時兼顧低損耗與EMI 需求

      首發型號

      首批推出10A至100A的EasyPIM? 與EasyPACK? 產品

      ?FP10R12W1T7_B11

      ?FP25R12W1T7_B11

      ?FS100R12W2T7_B11

      TRENCHSTOP? IGBT7 EASY1B

      TRENCHSTOP? IGBT7 EASY2B

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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      原文標題：首發| TRENCHSTOP? IGBT7將亮相2018英飛凌功率半導體應用技術研討會

      文章出處：【微信號：yflgybdt，微信公眾號：英飛凌工業半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

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