IGBT 有三個(gè)端子（集電極、發(fā)射極和柵極）都附有金屬層。然而，柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
2024-03-18 16:17:28
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近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
近日，全球知名的半導(dǎo)體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 作為電力電子行業(yè)里的“CPU”，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是國(guó)際上公認(rèn)的電子革命中最具代表性的產(chǎn)品。將多個(gè)IGBT芯片集成封裝在一起形成IGBT模塊，其功率更大、散熱能力更強(qiáng)，在新能源汽車領(lǐng)域
2024-03-11 17:12:05587 
Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運(yùn)用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開通，請(qǐng)問這是一種什么樣的過程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過程就可以稱之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個(gè) P+基板（IGBT 的集電極），形成PN 結(jié) J1，并由此引出漏極，柵極和源極則完全與MOSFET相似。
2024-02-19 15:01:12770 
什么是IGBT的退飽和？為什么IGBT會(huì)發(fā)生退飽和現(xiàn)象？ IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)。它在高電壓和高電流應(yīng)用中具有低開啟電阻、低導(dǎo)通壓降和高開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)
2024-02-19 14:33:28472 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:57222 到優(yōu)質(zhì)的客戶。同時(shí)，我們的產(chǎn)品利潤(rùn)也因此而高一些，薩科微半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新的IGBT模塊封裝技術(shù)，新產(chǎn)品毛利達(dá)到50％帶來了好的經(jīng)濟(jì)效益，就有錢繼續(xù)投資研發(fā)新技術(shù)新產(chǎn)品，會(huì)帶來新一輪的增長(zhǎng)。公司內(nèi)部也鼓勵(lì)員工
2024-01-31 11:38:47
。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231080 ，在眾多功率半導(dǎo)體器件中脫穎而出，成為當(dāng)今電力電子領(lǐng)域的研究與應(yīng)用熱點(diǎn)。然而，隨著IGBT功率等級(jí)的提升和封裝尺寸的縮小，傳統(tǒng)的焊接技術(shù)已經(jīng)難以滿足IGBT模塊日
2024-01-18 09:54:45436 
驅(qū)動(dòng)器、逆變器和電動(dòng)汽車等。 識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管可以通過以下步驟進(jìn)行： 1. 外形識(shí)別 IGBT晶體管通常有有特定的外觀特征，其封裝一般較大且多為模塊封裝。最常見的封裝類型有TO-220、TO-247、TO-3P等。在封裝上通常會(huì)標(biāo)有器件型號(hào)、廠商標(biāo)志或批次號(hào)等
2024-01-12 11:18:10350 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和高電流容量等特點(diǎn)。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子
2024-01-10 17:35:21381 
等領(lǐng)域。本文將對(duì)IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理進(jìn)行詳細(xì)介紹。 一、IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu) IGBT主要由四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，分別是P型、N型、P型和N型。從上到下依次為：發(fā)射極、集電極、P型基區(qū)和N型基區(qū)。在P型基區(qū)和N型基區(qū)之間有一個(gè)PN結(jié)，這個(gè)PN結(jié)被稱為內(nèi)建
2024-01-10 16:13:10372 
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)，汽車級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過程中，模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。
2023-12-29 09:45:05596 
結(jié)組成。IGBT的結(jié)構(gòu)內(nèi)部包含一個(gè)N型控制層，兩個(gè)P型區(qū)域和一個(gè)N型區(qū)域。 與之相比，IGCT是一種集成式門級(jí)可控晶閘管。它由一個(gè)內(nèi)部控制結(jié)構(gòu)和一個(gè)
2023-12-25 15:09:09399 IGBT是英文Isolated Gate BipolarTransistor的簡(jiǎn)稱，中文稱作絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT (雙極型三極管) 和MOS (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-12-12 09:54:34659 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35709 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn) 以實(shí)際的IPM產(chǎn)品為例，介紹了封裝類型、外形尺寸、引腳配置、印標(biāo)和散熱器安裝方法等內(nèi)容。 本文將為大家介紹IGBT IPM的封裝。與 上一篇 中的示例一樣，在本文中我們也以ROHM
2023-12-07 09:30:02263 
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖）， 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
2023-12-01 10:43:06395 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07707 
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
2023-11-21 15:49:45673 
IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，是一種三端半導(dǎo)體開關(guān)器件，可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開關(guān)。
IGBT 主要用于放大器，用于通過脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 切換/處理復(fù)雜的波形。
你可以看到輸入側(cè)代表具有柵極端子的 MOS管，輸出側(cè)代表具有集電極和發(fā)射極的 BJT。
2023-11-17 09:39:09478 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 用萬用表檢測(cè)IGBT好壞時(shí)一定要將萬用表設(shè)置在R×10KΩ，因?yàn)镽×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，在檢測(cè)過程中無法使IGBT導(dǎo)通，從而無法判斷IGBT的好壞。
2023-11-09 15:21:571209 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 文章轉(zhuǎn)自：屹立芯創(chuàng)公眾號(hào) IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢(shì) （1）高功率密度 電力電子產(chǎn)品其實(shí)有一個(gè)使命，就是不斷地去減少損耗，不斷地去提升功率密度。要實(shí)現(xiàn)高功率密度，可以從三個(gè)維度去考慮。 第一點(diǎn)是低損耗
2023-11-06 15:07:42140 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 
IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451106 半導(dǎo)體產(chǎn)品在由二維向三維發(fā)展，從技術(shù)發(fā)展方向半導(dǎo)體產(chǎn)品出現(xiàn)了系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等新的封裝方式，從技術(shù)實(shí)現(xiàn)方法出現(xiàn)了倒裝（FlipChip），凸塊（Bumping），晶圓級(jí)封裝（Waferlevelpackage），2.5D封裝（interposer，RDL等），3D封裝（TSV）等先進(jìn)封裝技術(shù)。
2023-10-31 09:16:29835 
IGBT模塊是由IGBT芯片（絕緣柵雙極型晶體管）和FWD芯片（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。因其具備節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，按照其電壓的高低，可以分為高壓
2023-10-23 16:26:191032 
絕緣柵雙極晶體管，是一種高速開關(guān)器件，常用于功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。其工作原理是基于雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的原理結(jié)合而成的。在IGBT內(nèi)部，由P型硅和N型硅交替排列形成NPNP結(jié)構(gòu)，其中兩個(gè)P型區(qū)域分別與兩個(gè)N型區(qū)域相接，形成PN結(jié)，而在兩個(gè)P型區(qū)域之間還有一個(gè)N型區(qū)域，形成一個(gè)N通道結(jié)構(gòu)。這個(gè)N型區(qū)域被稱為增
2023-10-19 17:08:082592 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷？igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種晶體管，可以用作開關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底
2023-10-19 17:08:028155 igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:221313 工藝集成電路芯片及模塊封裝的代工服務(wù)的制造商。技術(shù)上，立足于場(chǎng)截止型（Field Stop）IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界先進(jìn)的背面加工工藝，包括背面減薄工藝、離子注入、激光退火及特殊金屬沉積工藝。600V
2023-10-16 11:00:14
IGBT是變頻器的核心部件，自然要分外關(guān)注。 在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。 IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖 你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合
2023-10-16 10:28:541213 
IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流，以及使用頻率，選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前，請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊的技術(shù)參數(shù)確定使用方案，計(jì)算
2023-09-20 17:49:521052 
晶振為什么沒有封裝進(jìn)STM32芯片內(nèi)部？
2023-09-18 16:24:32522 
在半導(dǎo)體行業(yè)和電子研究中，拆解芯片的封裝以查看其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是一項(xiàng)常見的任務(wù)。這可以用于驗(yàn)證設(shè)計(jì)、逆向工程、故障分析或其他研究目的。但這不是一個(gè)簡(jiǎn)單的任務(wù)，拆解芯片封裝需要專業(yè)的技術(shù)和工具。本文將為您詳細(xì)介紹如何拆解芯片封裝并查看其內(nèi)部。
2023-09-15 09:09:00892 
共封裝技術(shù)逐漸成為了一種重要的封裝方式，它可以實(shí)現(xiàn)光信號(hào)和電信號(hào)的快速轉(zhuǎn)換和處理，并且具有體積小、重量輕、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，因此在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。本文主要
2023-09-14 09:19:46686 
焊線封裝是半導(dǎo)體封裝過程中的一種關(guān)鍵技術(shù)，用于連接芯片和外部電路。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，焊線封裝也經(jīng)歷了多種技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新。以下是關(guān)于焊線封裝技術(shù)的詳細(xì)介紹。
2023-09-13 09:31:25719 
IGBT是一種半導(dǎo)體器件，以其高效率和快速切換速度而聞名。除了在焊接領(lǐng)域廣泛應(yīng)用外，IGBT還被廣泛用于家用電器、高科技音響、電動(dòng)汽車以及其他節(jié)能汽車等領(lǐng)域。盡管焊接供應(yīng)單元通常相對(duì)簡(jiǎn)單，但IGBT
2023-09-11 15:35:482944 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:571056 
? IGBT模塊內(nèi)部 雜散電感的定義 IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個(gè)換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊
2023-08-18 09:08:182216 
第24屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ICEPT2023）于近日在新疆召開，來自海內(nèi)外學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界超700名專家學(xué)者、研究人員、企業(yè)人士齊聚一堂，共話先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新、學(xué)術(shù)交流與國(guó)際合作。長(zhǎng)電科技董事
2023-08-15 13:34:16299 場(chǎng)
終止 ( FS) 層 n 型注入劑量和集電區(qū)硼注入劑量對(duì) IGBT 芯片內(nèi)部熱點(diǎn)位置變化的影響進(jìn)行了研
究。仿真結(jié)果表明，提高 FS 層 n 型注入劑量可將熱點(diǎn)由元胞溝道轉(zhuǎn)移到 FS /n－
結(jié)附近，有利于
IGBT 抗短路能力的提升; 通過對(duì) FS 層和集電區(qū)注入劑量的優(yōu)化，通態(tài)壓降在常溫和高溫
2023-08-08 10:14:47
0 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT（雙 極型三極管）和 MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體
2023-08-08 10:14:122 車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301501 
使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 IGBT 器件結(jié)構(gòu) 簡(jiǎn)而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-
2023-07-03 20:15:011224 發(fā)展、IGBT芯片研發(fā)、創(chuàng)新材料、工藝制造及應(yīng)用等方面展開探討。 ? ? ?翠展微電子研發(fā)副總吳瑞先生應(yīng)邀作為此次論壇的演講嘉賓，并做《一體化高性能逆變磚模塊技術(shù)研究》主體演講，結(jié)合功率模塊封裝的發(fā)展趨勢(shì)、先進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)、一體化高性能逆變磚模塊及產(chǎn)品介紹
2023-07-03 12:10:05798 。簡(jiǎn)單概括一下，IGBT可以說是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT的結(jié)合體（雙極結(jié)型晶體管）。即它結(jié)合了MOSFET的柵壓控制晶體管（高輸入阻抗），利用BJT的雙載流子來達(dá)到大電流的目的（壓控雙極型器件）。那么這樣的組合內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的呢？
2023-07-03 09:40:151206 
IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展，提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919 IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解，可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。
絲網(wǎng)印刷目的：
將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面，為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備
設(shè)備：
BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410 作為IGBT技術(shù)的供應(yīng)商之一，華潤(rùn)微在產(chǎn)品性能和技術(shù)創(chuàng)新方面具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。其所提供的IGBT產(chǎn)品具有低導(dǎo)通電阻、低開關(guān)損耗、高耐受電壓和高溫度工作能力等特點(diǎn)，能夠滿足汽車行業(yè)對(duì)功率器件的高要求。
2023-06-19 16:53:15421 Fab 6 是臺(tái)積電首個(gè)一體式先進(jìn)封裝測(cè)試工廠，是臺(tái)積電不斷增加的封裝投資的一部分。該晶圓廠已準(zhǔn)備好量產(chǎn)臺(tái)積電 SoIC 封裝技術(shù)。請(qǐng)記住，當(dāng)臺(tái)積電說量產(chǎn)時(shí)，他們指的是 Apple iPhone 尺寸的量產(chǎn)，而不是工程樣品或內(nèi)部產(chǎn)品。
2023-06-19 11:25:56219 
沒有找到NUC505 內(nèi)部Flash的技術(shù)說明，需要了解Flash的分頁/分塊結(jié)構(gòu),擦除寫入時(shí)間等?
通過執(zhí)行DemoMFGID_EON= 0x1C
2023-06-16 07:44:54
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
在過去的半個(gè)多世紀(jì)以來，摩爾定律以晶體管微縮技術(shù)推動(dòng)了集成電路性能的不斷提升，但隨著晶體管微縮遇到技術(shù)和成本挑戰(zhàn)，以先進(jìn)封裝為代表的行業(yè)創(chuàng)新，在支持系統(tǒng)擴(kuò)展需求、降低系統(tǒng)成本等方面發(fā)揮越來越大的作用
2023-05-29 14:27:51448 在過去的半個(gè)多世紀(jì)以來，摩爾定律以晶體管微縮技術(shù)推動(dòng)了集成電路性能的不斷提升，但隨著晶體管微縮遇到技術(shù)和成本挑戰(zhàn)，以先進(jìn)封裝為代表的行業(yè)創(chuàng)新，在支持系統(tǒng)擴(kuò)展需求、降低系統(tǒng)成本等方面發(fā)揮越來越大的作用
2023-05-26 16:53:50343 IGBT模塊損耗包含IGBT損耗和Diode損耗兩部分
2023-05-26 11:21:231245 
單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522944 
新品120-200A750VEDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號(hào)
2023-05-18 09:41:31856 
隨著IGBT的耗散功率和開關(guān)頻率不斷增大，以及工作環(huán)境嚴(yán)苛，使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量，由于模塊內(nèi)的熱量無法及時(shí)得到釋放，從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25511 
激光退火是絕緣柵雙極型晶體管(IGBT背面工藝的重要步驟。對(duì)離子注入后的硅基IGBT圓片背面進(jìn)行激光快速退火，實(shí)現(xiàn)激活深度，有效修復(fù)離子注入破壞的晶格結(jié)構(gòu)。隨著IGBT技術(shù)發(fā)展和薄片加工工藝研發(fā)
2023-05-16 10:45:11897 
制造工藝對(duì)封裝技術(shù)的影響，探究了各種半導(dǎo)體封裝內(nèi)部連接方式之間的相互關(guān)系，旨在為我國(guó)半導(dǎo)體封裝技術(shù)應(yīng)用水平的快速提升帶來更多參考和啟迪。
2023-05-16 10:06:00497 IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛，被譽(yù)為半導(dǎo)體皇冠上的明珠。
2023-04-28 09:05:20916 
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案！前言01IGBT作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)
2023-04-25 17:03:05528 
IGBT絕緣柵雙極型晶體管一簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT
2023-04-20 09:54:432097 4月18日,長(zhǎng)電科技董事、首席執(zhí)行長(zhǎng)鄭力出席第25屆中國(guó)集成電路制造年會(huì)暨供應(yīng)鏈創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)(CICD)高峰論壇,并發(fā)表題為《高性能封裝承載集成電路成品制造技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新》的主題演講。 鄭力表示
2023-04-19 09:57:00348 
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287 泛的應(yīng)用和發(fā)展，有望推動(dòng)計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新?！ GA封裝技術(shù)的普及也為電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用帶來了便利。同時(shí)，也為電子產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和性能提升帶來了很大的幫助。因此，BGA
2023-04-11 15:52:37
模塊內(nèi)部左上方還集成了一個(gè)單獨(dú)的IGBT，邊上還有一個(gè)相應(yīng)的小的二極管。用于制動(dòng)的和由于這個(gè)IGBT的面積小，所以功率電流小，用于制動(dòng)，也就是制動(dòng)單元。
2023-04-11 10:20:372891 IGBT是高頻開關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí)，器件中流過的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175475 
根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的電壓不同，IGBT有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型，其中新能源汽車、工業(yè)控制、家用電器等使用的IGBT以中壓為主，而軌道交通、新能源發(fā)電和智能電網(wǎng)等對(duì)電壓要求較高，主要使用高壓IGBT。
2023-04-04 11:14:371956 智能燃?xì)獗碓谶M(jìn)行數(shù)據(jù)記錄、傳輸?shù)裙ぷ鞫际且揽?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)部芯片來完成，基于它的重要作用，大多數(shù)廠家都會(huì)在時(shí)使用灌封膠對(duì)其進(jìn)行封裝保護(hù)，以此來確保它的穩(wěn)定運(yùn)行。
2023-03-31 17:49:47672 
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
2023-03-29 17:21:04561 溝道高速IGBT及場(chǎng)阻技術(shù)
2023-03-28 12:56:28
國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
2023-03-27 09:34:091296 IGBT與MOSFET不同，內(nèi)部沒有寄生的反向二極管，因此在實(shí)際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。
2023-03-24 11:11:0021906
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