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在IC封裝領域，是一種先進的封裝，其內涵豐富，優點突出，已有若干重要突破，架構上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能大大提高，代表著鳳凰技術的發展趨勢，在多方面存在極大的優勢特性，體現在以下幾個方面。...
銅金屬化過程中，氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層（IMD）的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層（Passivation Dielectric, PD）。下圖顯示了氮化硅在銅芯片中作為金屬沉積前的電介質層（PMD）、金屬層間電介質層（IMD）和鈍化保護電介質層（PD...
戈登·摩爾(Gordon Moore)在他提出了“摩爾定律”[1]的開創性論文中預測了“清算日”的到來——“用分別封裝并相互連接的多個小功能系統構建大型系統可能是更經濟的。”今天，我們已經度過了那個拐點。多個裸芯的封裝集成已廣泛應用于半導體行業，包括主流的中央處理單元(CPU)和通用圖形處理器單元(...
大部分關于SM的工作都是在IEC TC 65 WG23中完成的，用于制定SM標準IECTR 63283-X，在IEC SC65A MT 61508（功能安全）和ISO/IEC JTC 1 SC 42 WG03（AI可信度）中。 圖和表格取自工作文件，以顯示概念的方向。 想法也...
UCIe[4]是一種開放的行業標準互連，為異構芯片間提供了高帶寬、低延遲、高電源效率和高性價比的封裝內連接，以滿足整個計算系統的需求。...
SMT即表面組裝技術（Surface Mount Technology）（Surface Mount Technology的縮寫），是電子組裝行業最流行的技術和工藝。...
單晶圓系統也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵極、局部連線及單元連線。臨場多晶硅/硅化物沉積過程可以節省鎢硅化物沉積之前，去除多晶硅層上的表面氧化層過程和表面清洗步驟，這些步驟都是傳統的高溫爐多...
使用 SPARC 或單個前驅體活化自由基腔室技術制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚度和成分共形性極佳等特點。...
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合，可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。...
狹義的封裝技術可定義為：利用膜技術及微細連接技術，將半導體元器件及其他構成要素，在框架或基板。上布置、固定及連接，引出接線端子，并通過可塑性絕緣介質灌封固定，構成整體立體結構的工藝技術。...
由于四點探針和晶圓直接接觸將在晶圓表面造成缺陷，所以這種方法只能用于測量測試晶圓進行工藝改進、鑒定和控制。進行測量時必須有足夠的力使探針穿過厚度為10?20 A的薄原生氧化層，這樣才能接觸到硅襯底以形成良好接觸。...
劃傷：劃傷是由于芯片表面接觸到異物：如鑷子，造成芯片內部的AI布線受到損傷或造成短路，而引起的不良。 缺損：缺損是由于芯片的邊緣受到異物、或芯片之間的撞擊，造成邊緣缺損，有可能破壞AL布線或活性區，引起不良。...
傳統零件加工：原材料通過加工制作成毛坯，毛坯再通過粗加工、精加工過程制得成品，經過每個加工步驟后的構件質量均小于經過該加工步驟前的構件質量，因此，傳統零件加工可被稱為減材制造。...
氫去鈍化光刻(HDL)是電子束光刻(EBL)的一種形式，它通過非常簡單的儀器實現原子分辨率，并使用能量非常低的電子。它使用量子物理學有效地聚焦低能電子和振動加熱方法，以產生高度非線性（多電子）的曝光機制。...
COB (chip on board) 板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術之一，半導體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，并用樹脂覆蓋以確保可靠性。...
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