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陶瓷基板由于其良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應用越來越廣泛。...
三星3nm采用的晶體管架構是GAAFET，也被稱為Nanosheet，而1nm制程對晶體管架構提出了更高的要求。...
計量學是我們應對半導體制造商所面臨挑戰的能力的基礎。進行投資今天計量能力的提高將為未來的技術需求提供保障，并支持美國在下一代微電子領域的領先地位。加快研發急需的計量學進展刻不容緩，而且可以獲得許多高影響的成果。...
對 3D 堆疊 CMOS 進行所有需要的連接是一項挑戰。需要從設備堆棧下方進行電源連接。在此設計中，NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨的源極/漏極觸點，但兩個器件都有一個共同的柵極。...
集成電路中的有源區、柵、接觸孔、金屬互連線等關鍵部位的大小和間距等關鍵參數稱為特征尺寸，具備某一系列特征尺寸的技術稱為技術節點或技術代，如20世紀的0.35um技術代或技術節點，21世紀初的90um技術代，當前14nm/10nm技術代等。...
在高速數字電路中，當數字集成電路加電工作時，它內部的門電路輸出會發生從高到低或者從低到高的狀態轉換，即”0″和”1″間的轉換。在變化的過程沖，門電路中的晶體管將不停地導通和截止，這時會有電流從所接電源流入門電路，或從門電路流入地平面...
定柄鉆頭的特點是能實現自動更換鉆頭。定位精度高，不需要使用鉆套。大螺旋角，排屑速度快，適于高速切削。在排屑槽全長范圍內，鉆頭直徑是一個倒錐，鉆削時與孔壁的磨擦小，鉆孔質量較高。鉆柄直徑有Φ2，Φ3，和Φ3.175三種。...
多芯片組件技術是為適應現代電子系統短，小，輕，薄和高速、高性能、高可靠性、低成本的發展方向二在PCB和SMT的基礎上發展起來的新一代微電子封裝與組裝技術，是實現系統集成的有力手段。...
印刷電路板(PCB)廣泛應用于各種電子設備中，無論是手機、電腦還是復雜的機器，你都可找到電路板。如果PCB存在缺陷或制造問題，則可能導致最終產品出現故障并造成不便。在這些情況下，制造商將不得不召回這些設備，并花費更多的時間和資源來修復故障。...
產生原因為：斷鉆咀后取鉆咀；鉆孔時沒有鋁片或夾反底版；參數錯誤；鉆咀拉長；鉆咀的有效長度不能滿足鉆孔蟊板厚度需要；手鉆孔；板材特殊，批鋒造成。...
按前定位系統進行的多層印製板的層壓，過去大多採用全單片層壓技術，在整個內層圖形的製作過程中，須對外層之單面進行保護，不但給製作帶來了麻煩，且生産效率低;尤其對于四層板會産生板面翹曲等問題。...
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主要原因是為了穩定抗蝕劑膜。在室溫下，未烘烤的光刻膠薄膜會通過蒸發失去溶劑，從而隨時間改變薄膜的性能。通過烘烤抗蝕劑，大部分溶劑被去除，膜在室溫下變得...
LBIST (Logic build-in-self test), 邏輯內建自測試。和MBIST同理，在關鍵邏輯上加上自測試電路，看看邏輯cell有沒有工作正常。BIST總歸會在芯片里加入自測試邏輯，都是成本。...
摩爾定律 Intel創始人之一摩爾1964年提出，大約每隔12個月： 1）。芯片能力增加一倍、芯片價格降低- -倍; 2）。廣大用戶的福音、行業人員的噩夢。 芯片集成密度不斷提升、光刻分辨率的不斷提升！...
是通過加熱蒸散后形成膜進行吸氣。非蒸散型吸氣材料是激活后形狀不變，常溫下即可與活性氣體形成穩定化合物進行吸氣。蒸散型吸氣材料工作時會帶來蒸散的金屬原子，造成極間漏電等影響電真空器件的正常工作。使其在某些電真空器件 中的應用受到了限制。...
晶圓廠內半導體設備按照類型可大致分為薄膜沉積、光刻、刻蝕、過程控制、自動化制造和控制、清洗、涂布顯影、去膠、化學機械研磨（CMP） 、快速熱處理/氧化擴散、離子注入、其他晶圓級設備等類別，其中薄膜沉積、光刻、刻蝕、過程控制占比最大。...
盡管存在從流變學角度描述旋涂工藝的理論，但實際上光刻膠厚度和均勻性隨工藝參數的變化必須通過實驗來確定。光刻膠旋轉速度曲線（圖 1-3）是設置旋轉速度以獲得所需抗蝕劑厚度的重要工具。最終抗蝕劑厚度在旋轉速度的平方根上變化，大致與液體光致抗蝕劑的粘度成正比。...
集成電路(IC)的制造需要在半導體(例如，硅)襯底上執行的各種物理和化學過程。通常，用于制造 IC 的各種工藝分為三類：薄膜沉積、圖案化和半導體摻雜。導體（例如多晶硅、鋁和最近的銅）和絕緣體（各種形式的二氧化硅、氮化硅等）的薄膜用于連接和隔離晶體管及其組件。硅的各個區域的選擇性摻雜允許硅的導電性隨著...
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