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低溫共燒陶瓷 （ Low Temperature Co-Fired Ceramics, LTCC ） 封裝能將不同種類的芯片等元器件組裝集成于同一封裝體內以實現系統的某些功能，是實現系統小型化、集成化、多功能化和高可靠性的重要手段。總結了 LTCC 基板所采用的封裝方式，闡述了 LTCC 基板的金屬...
作為全球最大的芯片代工廠，臺積電正在美國亞利桑那州建設一座價值120億美元的工廠。臺積電此前曾透露，亞利桑那州工廠建成后采用5nm制程工藝，預計2024年投產，每月將量產2萬片晶圓。...
全光網絡是大容量光通信的基礎，全光纖摻鉺光纖放大器（EDFA）是長距離（陸地和海底）光通信網絡重要組成部分。...
束流消除器：兩個平行板電極之間的直流偏置(~42 v)是否垂直于電子路徑，使電子偏離軸，從而“轉動”關閉/阻塞/被下面的孔所覆蓋。...
1985年7月,FUJI推出首臺帶影像處理功能的高速貼片機(CP-I) 1994年,FUJI推出超高速貼片機(CP6) 21世紀以來，自動貼片機邁進“兼備高速與多功能”的時代....
是的！光刻機本身的原理，其實和相機非常相似，同學們可以把光刻機就想成是一臺巨大的單反相。機。相機的原理，是被攝物體被光線照射所反射的光線，透過相機的鏡頭，將影像投射并聚焦在相機的底片（感光元件）上， 如此便可把被攝物體的影像復制到底片上。...
Chiplet 芯片一般采用先進的封裝工藝，將小芯片組合代替形成一個大的單片芯片。利用小芯片（具有相對低的面積開銷）的低工藝和高良率可以獲得有效降低成本開銷。...
2019年第四季度，中芯國際就表示14nm已投入量產。2021年時傳出消息，中芯國際14nm的良率達到95%，已經追平臺積電。（目前7nm也已小規模投產）...
等離子體工藝廣泛應用于半導體制造中。比如，IC制造中的所有圖形化刻蝕均為等離子體刻蝕或干法刻蝕，等離子體增強式化學氣相沉積(PECVD)和高密度等離子體化學氣相沉積 (HDP CVD)廣泛用于電介質沉積。離子注入使用等離子體源制造晶圓摻雜所需的離子，并提供電子中和晶圓表面上的正電荷。物理氣相沉積(P...
據日經新聞報道，這次成立的公司由日本東京電氣（Tokyo Electro，全球半導體設備大廠）的前社長東哲郎等人主導， 吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8家公司聯合投資，每家出資10億日元。...
深度亞微米技術的進步，以及增加多種功能以降低成本，結合現有操作規模，意味著SoC的設計變得更加復雜。...
二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們越來越多的關注。與硅相比，碳化硅具有很多優點，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及更高的工作溫度，抗輻照能力得到提升;碳化硅材料擊穿電場是硅的 10 倍，因此，其器件可設計更高的摻雜濃度...
激光退火系統采用激光光源的能量來快速加熱晶圓表面到臨界溶化點溫度。由于硅的高導熱性，硅片表面可以在約1/10 ns范圍快速降溫冷卻。激光退火系統可以在離子注入后以最小的雜質擴散激活摻雜物離子，這種技術已被用于后45nm工藝技術節點。激光退火系統可用于尖峰退火系統，以實現更優的結果。...
縱觀整個制造業，芯片的制造流程可以說是最復雜的之一，這項點石成金術可分為八個大步驟，如下圖所示，這些步驟又可細分為上百道工序。...
BSPDN可以理解為Chiplet技術的演變(圖自：IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發展過程中的關鍵芯片設計技術，采用三面包覆式的柵極設計，可以在三個側面圍起電流通道，以此減少漏電流(電子泄露)。...
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