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納米線是一種很長很細的納米材料。在技術術語中，這意味著它們具有高縱橫比。考慮到這是一個與傳統電線相似的幾何形狀，它們在電子和納米電子設備中具有很大的潛力。...
基于環的 VCO 也使用 Pcells 從 N40 手動和自動遷移到 N22 節點。通過使用自動化流程，生產率提高了 2 倍。Pcells 有更多的限制，所以生產率的提高有點少。...
為解決銅絲硬度大帶來的鍵合難度，半導體封裝企業通常選擇應用超聲工藝或鍵合壓力工藝提升鍵合效果，這也導致焊接期間需要耗費更多的時間完成鍵合工作。...
熱平衡等離子體中，電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應室的溫度，是200~400℃或0.04?0.06eV。...
Beyne 說，由此產生的壓降讓芯片設計師越來越頭疼。“電源必須通過意大利面條網絡連接到晶體管。由于高壓降，晶體管上的 0.7 伏不再是 0.7 伏。電阻太高。...
清洗質量的好壞將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性，國內外各大公司、研究機構等對清洗工藝的研究從未停止，但一些特殊問題仍未得到徹底解決。...
電子封裝（ packaging）通常是在后道工序中完成的，其定義為：利用膜技術和微連接技術，將微電子器件及其它構成要素在框架或基板上布置、固定及連接、引出接線端子，并通過可塑性絕緣介質灌封固定，構成整體立體結構的工藝。...
當核心區域和 I/O 區域都已經生長晶體管后，沉積多晶硅層（Poly-Si）和硬掩模層（薄的SiON和PECVD二氧化硅）。沉積柵疊層(Cate-Stack）后，進行圖形化硬掩模（經過光刻步驟)。...
本文件適應于以下場合：制造、處理、組裝、安裝、標識、返工與返修、測試、檢測或其它類似處置電子元器件時可能遭受人體模式（HBM）下不小于100V靜電電壓損害零件、組件及儀器設備。...
目前，微電子產業已演變為設計、制造和封裝三個相對獨立的產業。與前2者相比，電子封裝涉及的范圍廣，帶動的基礎產業多，特別是與之相關的基礎材料更是“硬中之硬”，亟待在我國迅速發展。目前，電子封裝已成為整個微電子產業的瓶頸，在全世界范圍內，電子信息產業的競爭從某種意義.上說講主要體現在電子封裝上。...
還有一些工作流樣式的應用程序包含真實硅的數字孿生，可以為其設置警報。因此，如果互連延遲大于 500 毫秒，例如，它可以觸發警報，指示軟件堆棧中某處存在問題需要修復。...
英特爾正在為 300 毫米硅基 GaN 晶圓打造一條可行的道路，讓世界離超越 5G 更近一步并解決能效挑戰。英特爾在這一領域的突破表明，增益是行業標準 GaN 的 20 倍，并創下了高性能功率傳輸的行業記錄。...
由下圖可以看出當氣體密度較高時MFP較短(a);而當氣體密度較低時，MFP就較長(b)。大粒子的截面積較大，掃過的空間也較大。與一般或較小的離子相比，大粒子有更多概率和其他粒子發生碰撞，使其具有較短的MFP。改變壓力會改變粒子密度，因此會影響MFP，即λ反比于壓力p。...
稱TFT-LCD技術基于半導體IC制造加工。TFT-LCD技術的獨特之處在于它使用玻璃基板，而不是傳統的硅晶圓。對于TFT制造工藝，薄膜形成，如CVD，PVD等工藝，都是非常重要得環節。在彩色濾光片和TFT基板的組裝過程中，已經開發了ODF工藝，并將其應用于大尺寸LCD。...
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