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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)芯片EMI502HF08VM-10I介紹
靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非常快,通常能以20ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存...
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲(chǔ)單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此. SRAM與通常的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存...
關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說(shuō)明
VTI7064 64Mbit串行SRAM,它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI(串行外圍接口/四重外圍接口)SRAM器件。該RAM可配...
同步突發(fā)式SRAM的內(nèi)部框圖如圖所示,它與同步管道突發(fā)式SRAM基本相同,不同之處只是在輸出緩沖器中沒(méi)有配置鎖存器。
2011-05-30 標(biāo)簽:SRAM 1743 0
意法半導(dǎo)體MCU推出智能嵌入式應(yīng)用的STM32L4
意法半導(dǎo)體新推出的STM32L4+微控制器極具性價(jià)比,集成最低的存儲(chǔ)容量512KB的閃存和320KB的SRAM,提供緊湊的10mmx10mm64引腳和7...
芯片設(shè)計(jì)挑戰(zhàn):SRAM縮放速度變慢
臺(tái)積電在今年早些時(shí)候正式推出其 N3 制造技術(shù)時(shí)表示,與其 N5(5 納米級(jí))工藝相比,新節(jié)點(diǎn)的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒(méi)有透露的是...
單片機(jī)外擴(kuò)專用SPI SRAM存儲(chǔ)芯片
? ? ? ST內(nèi)核M3的32位MCU產(chǎn)品STM32F1xxx這一系列的MCU內(nèi)置 SRAM 資源非常有限,在應(yīng)用中如果遇到數(shù)據(jù)需要擴(kuò)容的情況下,需要外...
同步SRAM的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域是搜索引擎,用于實(shí)現(xiàn)算法。在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里,這都是SRAM在網(wǎng)絡(luò)中發(fā)揮的主要作用。然而,隨著新存儲(chǔ)技術(shù)的出現(xiàn),系統(tǒng)設(shè)計(jì)...
2010-09-11 標(biāo)簽:SRAM 1702 0
ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的術(shù)語(yǔ),它們代表了不同類型的存儲(chǔ)器,各自有不同的特性和用途
QDR聯(lián)盟推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR)SRAM
賽普拉斯半導(dǎo)體公司和瑞薩電子公司在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。
2011-05-01 標(biāo)簽:賽普拉斯SRAMQDR聯(lián)盟 1688 0
單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱ram。
ISSI生產(chǎn)的32Mb高速低功耗異步SRAM,這種創(chuàng)新的設(shè)計(jì)加強(qiáng)了ISSI對(duì)具有最高質(zhì)量和性能的SRAM的長(zhǎng)期承諾。32MbSRAM在汽車A3溫度范圍(...
Arm Ethos-U85:滿足物聯(lián)網(wǎng)面向AI時(shí)代的高性能需求
隨著人工智能 (AI) 不斷對(duì)我們的日常生活產(chǎn)生越來(lái)越大的影響,其推理任務(wù)也逐漸從云端遷移到邊緣側(cè)和端側(cè)。
2024-04-09 標(biāo)簽:sram物聯(lián)網(wǎng)人工智能 1653 0
具有內(nèi)置AES的FPGA保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
編程狀態(tài)探測(cè)也用于攻擊基于反熔絲的 FPGA。技術(shù)包括聚焦離子束 (FIB) 技術(shù)和掃描電子顯微鏡 (SEM)。
同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì),為應(yīng)用而選擇正確的存儲(chǔ)器
正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的選擇對(duì)于帶寬要求更高,系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì),以...
用基于SRAM的測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)加速AI推理
瑞薩電子開(kāi)發(fā)了一種新的內(nèi)存處理器 (PIM) 技術(shù),用于在低功耗邊緣設(shè)備中加速 AI 推理。用于基于 SRAM 技術(shù)的測(cè)試芯片實(shí)現(xiàn)了 8.8 TOPS/...
賽普拉斯(Cypress)宣布Altera旗下的28奈米Stratix V GX現(xiàn)場(chǎng)可編程閘陣列(FPGA)開(kāi)發(fā)套件,選用賽普拉斯QDR II(Quad...
低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,作為靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類別,靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,廣...
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