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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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SRAM CIM在AI計算方面的優(yōu)勢及場景應(yīng)用
9月14-15日,2023全球AI芯片峰會(GACS 2023)將在深圳灣萬麗酒店舉行。峰會由智一科技旗下芯東西聯(lián)合智猩猩(智東西公開課全新品牌)聯(lián)合發(fā)...
偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I
快速異步型SRAM,存取時間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型 SRAM 。這些存儲器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中,且功耗較高。其典型...
PLD可編程器件的發(fā)展方向是高密度、高速度、低功耗。隨著PLD的設(shè)計規(guī)模越來越大,電子設(shè)計自動化(EDA)已經(jīng)成為其主要設(shè)計手段。
1Mbit國產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介紹
偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進的全CMOS工藝技術(shù)制造,位寬64Kx 16位,電源電壓為2.7V~3.6V,支持三態(tài)輸出和T...
國產(chǎn)星憶高速異步X型隨機存儲芯片XM8A01M16V33A功能上等效于異步SRAM
XRAM是一種旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡化了...
SRAM存儲器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機存儲器。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則就會出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會消失,因此SRA...
SRAM存儲芯片即是靜態(tài)隨機存取存儲器。它具有靜止存取功能的存儲器芯片,它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲芯片主要應(yīng)用于需要緩...
國產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16LM-55I特征介紹
ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態(tài)SRAM。該產(chǎn)品使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。...
使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計
使用新SRAM工藝實現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲器設(shè)計基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲單元的靜態(tài)RAM存儲器塊一直是許多嵌入式設(shè)計中使用ASIC/SoC實...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)近幾年,生成式AI引領(lǐng)行業(yè)變革,AI訓(xùn)練率先崛起,帶動高帶寬內(nèi)存HBM一飛沖天。但我們知道AI推理的廣泛應(yīng)用才能推動AI普...
隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進技術(shù)節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲器已成為替...
安森美半導(dǎo)體推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級芯片
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級芯片(SoC),具有1656KB 靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)和高電源能效...
聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC
聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門(300-million gate count)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工...
本文核心思想: 美國微芯科技公司(Microchip)宣布,首次推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件,擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件是業(yè)內(nèi)首批...
國產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL
SRAM是隨機存取存儲器的一種。靜態(tài)是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。因此SRA...
一年一度的“國際固態(tài)電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行,幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布,讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢。
如若某一天,某種通用存儲器或殺手級存儲器將能夠同時替代SRAM,DRAM和閃存。在可預(yù)見的未來,雖然下一代存儲技術(shù)仍然不能完全取代傳統(tǒng)存儲器,但它們可以...
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