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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram資訊

我們將見(jiàn)證SRAM的死亡？

有趣的是，對(duì)于新的 N3E 節(jié)點(diǎn)，高密度 SRAM 位單元尺寸達(dá)到 0.021 μm2，這與他們的 N5 節(jié)點(diǎn)的位單元大小完全相同，并沒(méi)有縮小。N3B ...

2022-12-16 標(biāo)簽：臺(tái)積電 sram 晶體管 1462 0

帶ECC的CMOS汽車異步SRAM

ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM，4,194,304位靜態(tài)RAM，組...

2020-04-03 標(biāo)簽：sram ISSI 1456 0

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C介紹

ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片，位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可...

2021-08-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 sram 1452 0

詳細(xì)介紹集各種存儲(chǔ)器優(yōu)異性能于一身的MRAM

MRAM即磁阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱。經(jīng)過(guò)10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號(hào)為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，...

2021-01-04 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram MRAM 1450 0

AI SoC必須考慮的關(guān)鍵因素“內(nèi)存架構(gòu)”

導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM， CBRAM ）是一種低耗電、與CMOS兼容的內(nèi)存，可定制應(yīng)用在各類嵌入式市場(chǎng)和獨(dú)...

2023-12-25 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram soc 1448 0

串行接口SRAM芯片帶來(lái)無(wú)限的可能性

物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前，Serial SRAM的利潤(rùn)并不能吸引主流到SRAM廠商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠商進(jìn)軍串行S...

2022-02-11 標(biāo)簽：芯片電路板 sram 1447 0

DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 標(biāo)簽：SRAM DS1243Y 1442 0

簡(jiǎn)述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車傳動(dòng)和安全系統(tǒng)

AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，即通過(guò)了一系列專為確保汽車應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力

2021-04-01 標(biāo)簽：fpga 半導(dǎo)體 sram 1428 0

FSMC是STM32采用的一種新型存儲(chǔ)器控制技術(shù)

STM32F103ZET6屬于STM32F103xE增強(qiáng)型系列，工作頻率為72MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器（高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM），...

2020-12-02 標(biāo)簽：sram STM32 1425 0

一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案

最近的ISSCC上，臺(tái)積電的研究人員提出了一種基于數(shù)字改良的SRAM設(shè)計(jì)存內(nèi)計(jì)算方案，能支持更大的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。上圖顯示了臺(tái)積電用于其測(cè)試的擴(kuò)展SRAM陣...

2021-04-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)sram 1422 0

基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)

　1 前言　針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn)，提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法，并給出了部分VHDL程序。　　2...

2010-09-16 標(biāo)簽：SRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1398 0

關(guān)于不同類別存儲(chǔ)器基本原理的解析

存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱輔存或外存）兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。...

2020-06-19 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 sram 1396 0

512Kx16低壓超低功耗sram的主要特征有哪些

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram，組織為512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，...

2021-01-20 標(biāo)簽：sram STM32 1394 0

京微雅格新一代金山系列FPGA：低成本應(yīng)用的理想選擇

本文核心議題：京微雅格開(kāi)始發(fā)售其新一代全新架構(gòu)的CME-M5-C （金山） FPGA器件----該系列FPGA通過(guò)集成片上MCU處理器、SRAM存儲(chǔ)器...

2012-08-17 標(biāo)簽：FPGA MCU SRAM 1389 0

SRAM使用總結(jié)

SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================...

2023-04-06 標(biāo)簽：sram 指針 1380 0

SRAM芯片適用于智能穿戴應(yīng)用

自2016年智能穿戴新興行業(yè)的崛起及火爆程度,一度將所有有關(guān)于智能穿戴產(chǎn)品中的零件推進(jìn)了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存儲(chǔ)器中，SRAM是...

2021-10-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram SRAM芯片 1363 0

EEPROM與SRAM的區(qū)別和應(yīng)用場(chǎng)景

EEPROM（電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器）定義與特性 EEPROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電的情況下，存儲(chǔ)在EEPROM中的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。...

2024-12-16 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)sram 1361 0

MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)的相比，它具有的優(yōu)勢(shì)是什么

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRAM的設(shè)備可以為黑...

2020-09-18 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram fram 1357 0

XL32F003Q32 QFN32封裝大資源64K的flash和8K的SRAM

XL32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM*Cortex*-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的MCU。嵌入高達(dá)64 Kbytes flash和8 K...

2022-11-03 標(biāo)簽：微控制器 FlaSh sram 1350 0

EMI502NF08VM-10C國(guó)產(chǎn)SRAM芯片PIN2PIN替換IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND

偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C是一款位寬256K x 8高速靜態(tài)隨機(jī)存取SRAM芯片，使用(8)條公共輸入和輸出線，并具有一個(gè)...

2021-08-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram ISSI 1341 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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