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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存,不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。
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ISSI代理超低功耗SRAM IS62WV102416DBLL
美國ISSI主要產品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車,通信,數字消費者以及工業和醫療等市場提供存儲器產品。IS62WV102416DB...
EMI502NL16VM系列由EMI先進的全CMOS工藝技術制造。這些系列支持工業溫度范圍和芯片級封裝,以使用戶靈活地進行系統設計。該系列還支持低數據保...
自三十多年前問世以來,現場可編程門陣列(FPGAs)已被廣泛用于實現來自不同領域的無數應用。由于其底層的硬件可重新配置性,與定制設計的芯片相比,FPGA...
聯華電子宣佈,推出新一代80奈米小尺寸螢幕驅動晶片(SDDI)製程,此製程特色在于具備了晶圓專工業界最富競爭力的SRAM儲存單元。
世界上最早的全電子化存儲器是1947年誕生的,其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數據的“點”。從那時起,計算機內存開始使用磁存儲技術并經歷了數代演...
卡西歐創新型可拆卸自由式相機采用賽普拉斯觸摸屏控制器及MoBL SRAM
賽普拉斯半導體公司日前宣布,卡西歐創新型的自由式相機采用了其TrueTouch?電容式觸摸屏控制器和靜態隨機存取存儲器(SRAM)產品。
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發出來的“垂直式自旋磁性內存技術”榮獲杰出研究金牌獎,此技術乍看之下并不顯眼,但該內存技...
聯華電子宣布,推出新一代80奈米小尺寸螢幕驅動晶片(SDDI)製程,此製程特色在于具備了晶圓專工業界最富競爭力的SRAM儲存單元。此低耗電的尖端SRAM...
NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨立的非易失性存儲器,業界最快的 NV-SRAM,具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRA...
8Mbit國產低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進的全CMOS工藝技術制造。位寬1MX8bit,電源電壓為2.7V~3.6...
1Mb國產異步SRAM芯片EMI501HB08PM-55I特征
隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作,但當電源斷開時,存儲信息便會消失。SRAM的數據存儲方式是依靠一對反相器以閉環形式連接的存儲電路,它的...
SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素,它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備,或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序...
ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL/BL和IS65WV20488EALL/BLL是高速16M位SRAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的...
兆易創新推出GD32F5系列Cortex?-M33內核MCU
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice 今日宣布,正式推出基于Arm? Cortex?-M33內核的GD32F5系列高性能微控制器,全面...
Cerebras推WSE-3芯片,性能翻倍,助力超大規模AI模型訓練
首先,WSE-3采用臺積電最新的5nm工藝制作(目前領先業界)。其次,該芯片擁有超過4萬億個晶體管以及90萬個AI核心,配合44GB片上SRAM高速緩存...
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