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sk海力士

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SK海力士(Hynix)是一家源自韓國(guó)的半導(dǎo)體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲(chǔ)芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,也是全球DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者之一。

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sk海力士資訊

TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品

近日,韓國(guó)上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。

2024-05-30 標(biāo)簽:SSDPCB制造SK海力士 1490 0

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計(jì)劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMSK海力士 1190 0

SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠

據(jù) TheElec報(bào)道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...

2024-05-30 標(biāo)簽:DRAM光刻膠SK海力士 2361 0

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在...

2024-05-30 標(biāo)簽:芯片SK海力士HBM 1142 0

全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)量?jī)r(jià)雙增長(zhǎng),三星、SK海力士等廠商排名變動(dòng)

在本季度各廠商N(yùn)AND營(yíng)收排名中,美光成功超越西部數(shù)據(jù),躍居第四位。這主要得益于其在2023年第四季度的價(jià)格和出貨量略遜于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,因此在2024年...

2024-05-29 標(biāo)簽:NAND美光人工智能 1115 0

SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能

SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。

2024-05-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸SK海力士HBM 785 0

SK海力士創(chuàng)新下一代HBM,融入計(jì)算與通信功能

SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代,開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位,同時(shí)進(jìn)一...

2024-05-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SK海力士HBM 932 0

中國(guó)AI芯片和HBM市場(chǎng)的未來

 然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商,且已于今年...

2024-05-28 標(biāo)簽:NVIDIASK海力士HBM 1342 0

SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM3E 1269 0

美光在得州專利案中敗訴,或需支付32億元賠償金?

 據(jù)路透社報(bào)道,得克薩斯州東區(qū)地方法院近日對(duì)美光公司與美國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)Netlist之間的專利訴訟作出判決,判定美光敗訴并需支付總計(jì)4.45億美元的賠償款。

2024-05-24 標(biāo)簽:美光存儲(chǔ)芯片SK海力士 1044 0

韓國(guó)26萬億韓元激勵(lì)計(jì)劃助力芯片業(yè),力挺三星電子和SK海力士

該計(jì)劃包括17萬億韓元的專項(xiàng)投資資金與稅收優(yōu)惠,比韓國(guó)財(cái)長(zhǎng)崔相穆兩周前提議的10萬億韓元高出近一倍。據(jù)悉,韓國(guó)將于六月敲定具體實(shí)施細(xì)則。

2024-05-24 標(biāo)簽:芯片三星電子存儲(chǔ)芯片 618 0

韓國(guó)砸26萬億韓元推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè),三星和SK海力士成為最大贏家

韓國(guó)發(fā)布價(jià)值逾26萬億韓元(合約190億美元)的激勵(lì)政策,旨在扶持芯片產(chǎn)業(yè),尤其對(duì)三星電子及SK海力士等龍頭企業(yè)意義重大,助其在競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的市場(chǎng)環(huán)境下...

2024-05-23 標(biāo)簽:三星電子芯片產(chǎn)業(yè)SK海力士 743 0

SK海力士HBM3E內(nèi)存良率已達(dá)80%

早在今年3月份,韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。

2024-05-23 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器SK海力士HBM 729 0

SK海力士展示存儲(chǔ)新品:固態(tài)硬盤和內(nèi)存模組涵蓋消費(fèi)及企業(yè)市場(chǎng)

近日,SK海力士在北京召開的戴爾科技全球峰會(huì)上展示了旗下多個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品線中的新款,包括但不限于內(nèi)存及固態(tài)硬盤等類別。

2024-05-22 標(biāo)簽:PCIe固態(tài)硬盤SK海力士 2560 0

三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這一上漲主要?dú)w...

2024-05-22 標(biāo)簽:DRAMSK海力士三星 799 0

三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計(jì)劃限制DRAM產(chǎn)量

 根據(jù)行業(yè)預(yù)估,三星和SK海力士有望在今年擴(kuò)展產(chǎn)量以應(yīng)對(duì)逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境。然而,他們?cè)诮衲暌患径蓉?cái)政報(bào)告會(huì)上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會(huì)受到制約。

2024-05-22 標(biāo)簽:DRAMSK海力士三星 794 0

2024年第一季度SK海力士研發(fā)投入超1萬億韓元

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇,兩大巨頭三星電子和SK海力士紛紛加大了研發(fā)(R&D)費(fèi)用與基礎(chǔ)設(shè)施投資。據(jù)三星電子發(fā)布的最新季度報(bào)告,公司在2024年一季...

2024-05-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體三星電子SK海力士 777 0

SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM

近日,SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作,計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項(xiàng)合作中,臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEO...

2024-05-20 標(biāo)簽:臺(tái)積電SK海力士HBM 794 0

SK海力士代工子公司將為特斯拉生產(chǎn)電源管理芯片

SK海力士旗下的代工子公司SK Key Foundry近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,該公司計(jì)劃在7月于其位于忠清北道清州的8英寸晶圓廠開始生產(chǎn)電源管理芯片(P...

2024-05-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車特斯拉SK海力士 774 0

三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存

近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。

2024-05-17 標(biāo)簽:DDR3SK海力士三星 1120 0

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    充電樁
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      半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè),屬于硬件產(chǎn)業(yè),以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的一個(gè)產(chǎn)業(yè)。
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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