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標(biāo)簽 > sk海力士
SK海力士(Hynix)是一家源自韓國(guó)的半導(dǎo)體芯片制造商,主要生產(chǎn)DRAM和NAND閃存等存儲(chǔ)芯片。它是全球最大的半導(dǎo)體公司之一,也是全球DRAM市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者之一。
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TLB成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日,韓國(guó)上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB,并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)
SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計(jì)劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。...
SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型Inpria MOR光刻膠
據(jù) TheElec報(bào)道,SK Hynix 已決定在其第 6 帶(即 1c 工藝,約為 10nm)DRAM 生產(chǎn)過程中采用 Inpria 下一代金屬氧化物...
瑞銀集團(tuán)最新報(bào)告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計(jì)從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營(yíng)收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在...
全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)量?jī)r(jià)雙增長(zhǎng),三星、SK海力士等廠商排名變動(dòng)
在本季度各廠商N(yùn)AND營(yíng)收排名中,美光成功超越西部數(shù)據(jù),躍居第四位。這主要得益于其在2023年第四季度的價(jià)格和出貨量略遜于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,因此在2024年...
SK海力士HBM技術(shù)再創(chuàng)新高,將集成更多功能
SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲(chǔ)設(shè)備,意欲打造集計(jì)算、緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)于一身的新型HBM產(chǎn)品,進(jìn)而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸SK海力士HBM 785 0
SK海力士創(chuàng)新下一代HBM,融入計(jì)算與通信功能
SK海力士正引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入新時(shí)代,開發(fā)了一種融合計(jì)算與通信功能的下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。這一創(chuàng)新戰(zhàn)略旨在鞏固其在HBM市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位,同時(shí)進(jìn)一...
然而,全球HBM產(chǎn)能幾乎被SK海力士、三星和美光壟斷,其中SK海力士占據(jù)AI GPU市場(chǎng)80%份額,是Nvidia HBM3內(nèi)存獨(dú)家供應(yīng)商,且已于今年...
SK海力士:HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%,達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率
據(jù)報(bào)道,SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
據(jù)路透社報(bào)道,得克薩斯州東區(qū)地方法院近日對(duì)美光公司與美國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)Netlist之間的專利訴訟作出判決,判定美光敗訴并需支付總計(jì)4.45億美元的賠償款。
韓國(guó)26萬億韓元激勵(lì)計(jì)劃助力芯片業(yè),力挺三星電子和SK海力士
該計(jì)劃包括17萬億韓元的專項(xiàng)投資資金與稅收優(yōu)惠,比韓國(guó)財(cái)長(zhǎng)崔相穆兩周前提議的10萬億韓元高出近一倍。據(jù)悉,韓國(guó)將于六月敲定具體實(shí)施細(xì)則。
韓國(guó)砸26萬億韓元推動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè),三星和SK海力士成為最大贏家
韓國(guó)發(fā)布價(jià)值逾26萬億韓元(合約190億美元)的激勵(lì)政策,旨在扶持芯片產(chǎn)業(yè),尤其對(duì)三星電子及SK海力士等龍頭企業(yè)意義重大,助其在競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的市場(chǎng)環(huán)境下...
2024-05-23 標(biāo)簽:三星電子芯片產(chǎn)業(yè)SK海力士 743 0
早在今年3月份,韓國(guó)媒體DealSite報(bào)道中指出,全球HBM存儲(chǔ)器的平均良率約為65%。據(jù)此來看,SK海力士在近期對(duì)HBM3E存儲(chǔ)器的生產(chǎn)工藝進(jìn)行了顯著提升。
SK海力士展示存儲(chǔ)新品:固態(tài)硬盤和內(nèi)存模組涵蓋消費(fèi)及企業(yè)市場(chǎng)
近日,SK海力士在北京召開的戴爾科技全球峰會(huì)上展示了旗下多個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品線中的新款,包括但不限于內(nèi)存及固態(tài)硬盤等類別。
三星、SK海力士對(duì)DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度
在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士?jī)纱缶揞^依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價(jià)環(huán)比上漲,這一上漲主要?dú)w...
三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計(jì)劃限制DRAM產(chǎn)量
根據(jù)行業(yè)預(yù)估,三星和SK海力士有望在今年擴(kuò)展產(chǎn)量以應(yīng)對(duì)逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境。然而,他們?cè)诮衲暌患径蓉?cái)政報(bào)告會(huì)上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會(huì)受到制約。
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇,兩大巨頭三星電子和SK海力士紛紛加大了研發(fā)(R&D)費(fèi)用與基礎(chǔ)設(shè)施投資。據(jù)三星電子發(fā)布的最新季度報(bào)告,公司在2024年一季...
SK海力士與臺(tái)積電攜手量產(chǎn)下一代HBM
近日,SK海力士與臺(tái)積電宣布達(dá)成合作,計(jì)劃量產(chǎn)下一代HBM(高帶寬內(nèi)存)。在這項(xiàng)合作中,臺(tái)積電將主導(dǎo)基礎(chǔ)芯片的前端工藝(FEOL)和后續(xù)布線工藝(BEO...
SK海力士旗下的代工子公司SK Key Foundry近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,該公司計(jì)劃在7月于其位于忠清北道清州的8英寸晶圓廠開始生產(chǎn)電源管理芯片(P...
2024-05-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車特斯拉SK海力士 774 0
三星和SK海力士下半年停產(chǎn)DDR3內(nèi)存
近日,三星和SK海力士宣布,將于下半年停止生產(chǎn)并供應(yīng)DDR3內(nèi)存,轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5內(nèi)存和HBM系列高帶寬內(nèi)存。此舉標(biāo)志著內(nèi)存行業(yè)的一次重要轉(zhuǎn)型。
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