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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2842個(gè) 瀏覽：65394次 帖子：124個(gè)

      sic資訊

      功率器件晶圓市場的最新趨勢和技術(shù)趨勢

      報(bào)告預(yù)測，2024年，全球功率半導(dǎo)體市場將較去年增長23.4%，達(dá)到2813億日元。盡管受庫存調(diào)整影響，硅功率半導(dǎo)體硅片市場略有下降，但得益于各大廠家產(chǎn)...

      2024-05-27 標(biāo)簽：晶圓SiC功率半導(dǎo)體 897 0

      寬帶隙材料滿足EV功率和效率要求?

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      寬帶隙器件可以是橫向或縱向配置（見圖 2）。漏極和柵極之間的距離越大，器件可以承受的擊穿電壓就越高。但是，如果我們將這個(gè)距離增加這么多，設(shè)備會在晶圓上占...

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC 896 0

      一步步糾正關(guān)于SiC MOSFET短路認(rèn)知誤區(qū)

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      本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場了（第四回合回顧）。趙工內(nèi)心OS：往期雖然ChatGPT有時(shí)表現(xiàn)得可圈可點(diǎn)，但有時(shí)也不知所云。都說人...

      2023-11-06 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 896 0

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      2024-08-10 標(biāo)簽：SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體 891 0

      影響SiC和GaN器件選擇的主要因素有哪些

      由于其固有的特性，寬禁帶半導(dǎo)體(WBG)在許多功率應(yīng)用中正逐步取代傳統(tǒng)的硅基器件。碳化硅(SiC)功率MOSFET的擊穿電壓高于1kV，這是電動汽車逆變...

      2022-12-08 標(biāo)簽：SiCGaN 891 0

      華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”

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      近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...

      2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 891 0

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      北一半導(dǎo)體科技（廣東）有限公司近日宣布，已成功完成B+輪融資，預(yù)計(jì)本輪融資總額將突破至1.5億元。這筆融資資金的注入，將主要用于公司SiC MOSFET...

      2024-05-14 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 890 0

      芯聚能半導(dǎo)體榮獲“2023行家極光獎”兩大殊榮

      據(jù)了解，“年度最具影響力SiC模塊產(chǎn)品”旨在肯定SiC模塊制造技術(shù)及應(yīng)用領(lǐng)域最新創(chuàng)新成果，對提高產(chǎn)能效率、科技轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)升級具有積極引導(dǎo)價(jià)值，同時(shí)也驅(qū)動...

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      SemiQ公司在其QSiC?系列SiC功率模塊中新增了一種S7封裝，該系列模塊包括1200V的半橋MOSFET和肖特基二極管模塊。這些組件為電力工程師提...

      2024-08-16 標(biāo)簽：SiC功率模塊SemiQ 889 0

      IGBT還是SiC？英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)

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      如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當(dāng)?shù)钠胶狻?/p>

      2024-10-16 標(biāo)簽：英飛凌新能源汽車IGBT 888 1

      近10億元！國內(nèi)將增2個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目

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      2023-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 886 0

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      近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證...

      2023-03-20 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件SiC 885 0

      瑞能半導(dǎo)體榮獲“中國SiC Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號

      近日，由半導(dǎo)體行業(yè)知名媒體與研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的「2024行家極光獎」頒獎典禮在深圳盛大舉行。經(jīng)過專家組委會和眾多行業(yè)人士的投票評選，瑞能半導(dǎo)...

      2024-12-20 標(biāo)簽：SiC碳化硅瑞能半導(dǎo)體 883 0

      SiC產(chǎn)業(yè)相關(guān)的兩件大事

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      Qorvo，作為連接與電源解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)跑者，持續(xù)在多個(gè)科技前沿展現(xiàn)其非凡的創(chuàng)新實(shí)力。在近期于慕尼黑上海電子展盛大舉行的三天活動中，Qorvo全面...

      2024-07-22 標(biāo)簽：wi-fiSiCQorvo 883 0

      科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線

      2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。

      2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 883 0

      蔚來SiC模塊C樣研制成功，芯聯(lián)集成助推新能源汽車市場

      早在2024年1月，芯聯(lián)集成就與蔚來達(dá)成長期供貨協(xié)議并共同開發(fā)碳化硅模塊產(chǎn)品。此次下線標(biāo)志著蔚來自研SiC模塊的成熟度大幅提高，逐步邁向商業(yè)化運(yùn)營階段。

      2024-04-07 標(biāo)簽：SiC碳化硅蔚來 882 0

      6.3.5.5 界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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      6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生...

      2022-01-19 標(biāo)簽：SiC 882 0

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級 、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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