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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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由世紀電源網主辦的 2023 第二屆電源行業配套品牌頒獎典禮于 12 月 23 日在深圳圓滿落幕。
Power Integrations推出具有快速短路保護功能的門極驅動器
PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器,新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
近日,三安半導體與虹安微電子在湖南長沙成功簽署了一項重要的戰略合作協議,標志著雙方在碳化硅(SiC)領域的合作邁上了新臺階。此次合作旨在通過強強聯合,共...
賦能未來,勇往直前---科銳聯合創始人發表SiC MOSFET十周年文章
在2011年,在經過了將近二十年的研發之后,科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業界先前曾十分懷疑這是否可能實現。
在供電電壓、供電電流和開關頻率這三個參數中,一個參數越高,其他兩個參數就必須越低,才能將內部功耗保持在安全程度內(或者說,才能讓SA310外殼和結溫保持...
致工程師系列之四:寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證
第三代寬禁帶半導體器件 GaN 和 SiC 的出現,推動著功率電子行業發生顛覆式變革。新型開關器件既能實現低開關損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉換,...
據外媒報道,格芯已獲得美國政府3500萬美元(折合人民幣約2.56億元)的資助,用于其佛蒙特州的晶圓廠開發和生產硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶圓,該...
第一代半導體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅;第二代化合物半導體材料包括砷化鎵、磷化銦;第三代化合物半導體材料以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表。
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)具有類似的高寬帶隙能量,從而使它們在開關能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導體更具優勢。
中電化合物與韓國Power Master簽約,供應8英寸在內的SiC材料
中電化合物致力研發、生產寬禁帶半導體材料,主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發、生產與銷售,已在寧波前灣新區數字經濟產業園建成包含碳...
隨著全球對環境保護意識的增強和能源結構的轉型,光儲充系統作為連接光伏發電、儲能裝置和電動汽車充電站的重要橋梁,正迎來前所未有的發展機遇。而功率半導體,作...
Navitas Q3財報:營收微降但技術進展顯著,啟動成本削減計劃
Navitas于11月4日公布了其截至2024年9月30日的第三季度未經審計財務業績。據財報顯示,Navitas第三季度總營收為2170萬美元,略低于去...
羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH將擴大150mm SiC晶圓長期供應合同
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)和為各種電子設備提供半導體的全球著名半導體制造商意法半導體(以下簡稱“ST”)宣布,...
今日看點丨英飛凌全球最大SiC芯片廠啟動生產;傳戴爾將裁員1.25萬人
1. 喊停!傳特斯拉取消東南亞設廠計劃 ? 據媒體報道,消息人士指電動車巨頭特斯拉可能放棄在東南亞開設電動車制造廠的計劃,因為特斯拉在全球的設廠計劃都已...
來源:羅姆半導體社區 受惠于電動車、5G基礎設施等領域需求提升,SiC(碳化硅)功率元件正穩步滲透到全球市場。據專業機構統計,2018年全球已有超過20...
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