2024年進(jìn)入尾聲，中國(guó)碳化硅（SiC）卻迎來(lái)一波“新陳代謝”：前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn)；后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)市高投入、高研發(fā)、高設(shè)備投入的行業(yè)，江西萬(wàn)年芯微電子認(rèn)為，沒(méi)有形成足夠規(guī)模的企業(yè)很難堅(jiān)持下去，最終市場(chǎng)篩出的，將是真正靠技術(shù)站穩(wěn)腳跟的企業(yè)。

卷價(jià)格，卷市場(chǎng)，碳化硅狂卷成風(fēng)

2021至2023年間，中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)在新能源市場(chǎng)的推動(dòng)下迎來(lái)了繁榮，彼時(shí)大量新玩家涌現(xiàn)，產(chǎn)能迅速擴(kuò)張。然而，盡管下游市場(chǎng)如電動(dòng)汽車持續(xù)增長(zhǎng)，其訂單量仍不足以消化產(chǎn)能，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)品價(jià)格迅速下降，部分產(chǎn)品降價(jià)超過(guò)50%。

產(chǎn)品價(jià)格走低，但碳化硅器件的成本卻降不下來(lái)。國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)在襯底和外延方面的成本過(guò)高，已經(jīng)占據(jù)了整個(gè)器件成本的70%，而器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)僅占30%。同一級(jí)別下SiC MOSFET的價(jià)格比硅基IGBT高4倍，高昂的成本限制了SiC MOSFET的應(yīng)用。

除了產(chǎn)能過(guò)剩與高昂成本，國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)還要面臨愈演愈烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。

國(guó)際大廠如意法半導(dǎo)體、英飛凌等占據(jù)主要市場(chǎng)份額，同時(shí)碳化硅還需與硅基、氮化鎵等半導(dǎo)體材料競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)廠家數(shù)量已超過(guò)百家，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。

此外，國(guó)產(chǎn)碳化硅企業(yè)遭遇的困境還包括，融資難度增加、資本市場(chǎng)向頭部集中、中小企業(yè)融資困難等。

對(duì)此，萬(wàn)年芯認(rèn)為，碳化硅行業(yè)壁壘高、投入高，且市場(chǎng)開拓周期長(zhǎng)，小規(guī)模的企業(yè)無(wú)法進(jìn)行長(zhǎng)期的市場(chǎng)開拓，難以獲得客戶認(rèn)可，導(dǎo)致未來(lái)發(fā)展道路充滿不確定性，資金實(shí)力不足的企業(yè)可能會(huì)逐漸退出市場(chǎng)。

講科研，講布局，萬(wàn)年芯講求細(xì)作

眼見(jiàn)他起高樓，眼見(jiàn)他宴賓客，然而表面的喧囂終將褪去，只有科技實(shí)力才能沉淀。

預(yù)計(jì)未來(lái)5年，技術(shù)創(chuàng)新將成為碳化硅行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展和多元化應(yīng)用領(lǐng)域拓展將成為行業(yè)的主要趨勢(shì)。在低空經(jīng)濟(jì)、新能源汽車、5G通信、光伏并網(wǎng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域，碳化硅晶圓、器件的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，推動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大。

江西萬(wàn)年芯微電子有限公司成立于2017年，目前已獲得國(guó)內(nèi)專利134項(xiàng)，是國(guó)家專精特新“小巨人”企業(yè)。作為國(guó)內(nèi)知名芯片封測(cè)及碳化硅功率器件廠商，萬(wàn)年芯明確提出國(guó)內(nèi)碳化硅企業(yè)的當(dāng)務(wù)之急是加大研發(fā)投入，突破技術(shù)瓶頸。目前萬(wàn)年芯旗下的碳化硅產(chǎn)品線包括SiCPIM功率器件、SiCIPM智能模塊和碳化硅MOS等。

SiCPIM功率器件系列，電壓1200~3300V,電流 300~1000A，最大額定功率240kW。該產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)在于具有高耐壓、高可靠性、低損耗以及可高頻、高溫操作等優(yōu)越性能，可應(yīng)用于低空無(wú)人機(jī)、充電樁、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。

而SiC IPM智能模塊系列，電壓 650~1200V，功率300~7500W，適合于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各種逆變電源，在低空無(wú)人機(jī)上應(yīng)用同樣優(yōu)勢(shì)明顯。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)在于其采用全新技術(shù)取替 IGBT IPM應(yīng)用，使無(wú)人機(jī)在重量上、體積上都會(huì)相應(yīng)減少，性能更加安全可靠。

在碳化硅市場(chǎng)的大浪淘沙中，依靠上述產(chǎn)品硬核實(shí)力，萬(wàn)年芯有足夠的把握走得更遠(yuǎn)。同時(shí)，萬(wàn)年芯還將積極開拓市場(chǎng)，尤其是新能源汽車、低空無(wú)人機(jī)、充電樁、變頻家電、逆變電源等新興領(lǐng)域，以消化產(chǎn)能并增加訂單。