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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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6月27-29日,2017年國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)在上海世博展覽館成功舉行。國內(nèi)IGBT驅(qū)動領(lǐng)軍企業(yè)青銅劍科技攜旗下全...

2017-07-05 標(biāo)簽:igbtsic 1668 0

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

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2023-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 1666 0

SiC供貨簽約密集,高壓充電落地加速!

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新能源車企在不斷發(fā)展,期間需要確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,所以與之相關(guān)的SiC供應(yīng)商也需要具有穩(wěn)定的供應(yīng)關(guān)系。然而新能源汽車發(fā)展總趨勢是在增長,但是市場增速卻是...

2023-05-11 標(biāo)簽:SiC碳化硅電驅(qū)動 1663 0

測不對SiC MOSFET驅(qū)動波形的6大原因

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2022-11-28 標(biāo)簽:MOSFET波形SiC 1663 0

芯三代半導(dǎo)體、先導(dǎo)電子先后啟動A股IPO輔導(dǎo)

2月18日,證監(jiān)會披露了首次公開發(fā)行股票并上市公司輔導(dǎo)備案的公示。新輔導(dǎo)公司:芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司、先導(dǎo)電子科技股份有限公司在列。

2024-02-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1663 0

飛仕得攜SiC器件動靜態(tài)ATE測試機(jī)和動態(tài)偏壓可靠性測試機(jī)亮相活動

由新態(tài)咨詢主辦的功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow國際功率半導(dǎo)體裝備及材料創(chuàng)新展將于2024年4月22-24日在蘇州獅山國際會議中心舉辦。

2023-12-29 標(biāo)簽:新能源汽車SiCATE 1661 0

6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

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6.5總結(jié)第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長...

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碳化硅功率器件助力實(shí)現(xiàn)更好的儲能

Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車 (BEV)功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...

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本項(xiàng)目將SiC MOSFET應(yīng)用于暖通空調(diào)系統(tǒng),不但可以顯著提升系統(tǒng)性能,在性價比方面還更具優(yōu)勢

2022-09-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC暖通空調(diào) 1660 0

哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)

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電驅(qū)系統(tǒng):哪吒汽車發(fā)布了180kW 400V電驅(qū)系統(tǒng)和250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng),采用了三合一結(jié)構(gòu),集成了電機(jī)、減速器和控制器,最高轉(zhuǎn)速可達(dá)...

2023-08-24 標(biāo)簽:SiC電驅(qū)系統(tǒng)哪吒汽車 1660 0

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電力電子技術(shù)在日常生活中越來越普遍,尤其是現(xiàn)在,當(dāng)我們正經(jīng)歷一場由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...

2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1658 0

如何將 SiC 技術(shù)用于功率逆變器

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2022-07-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率逆變器 1655 0

國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場應(yīng)用新篇章

在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,正逐步成為新能源汽車、光伏儲能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動力。近期,國內(nèi)兩家...

2024-07-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅芯塔電子 1652 0

全球首發(fā)上車!國產(chǎn)1500V SiC MOSFET!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)比亞迪在最近的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上,推出了一系列的“王炸”技術(shù),包括全域1000V高壓架構(gòu)、10C兆瓦閃充平臺、3萬轉(zhuǎn)5...

2025-03-31 標(biāo)簽:MOSFET比亞迪SiC 1652 0

俄羅斯和印度再增2個SiC項(xiàng)目 合計(jì)超過6.3億元

最近,俄羅斯和印度新增了2個碳化硅項(xiàng)目,其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國最大的制造商之一”投資建設(shè)的

2023-11-25 標(biāo)簽:晶圓SiC功率模塊 1649 0

日立推出車新型SiC逆變器,電力損耗減少60%

日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù),開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。

2016-09-26 標(biāo)簽:日立sic 1649 0

UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)

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2018-05-25 標(biāo)簽:mosfet晶體管sic 1646 0

SiC功率器件市場正處在爆發(fā)式增長的前期

我國第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來已久,但受制于技術(shù)等因素,市場始終不慍不火。然而今年市場出現(xiàn)明顯改觀,各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn),諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 1643 0

第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析

SiC(碳化硅)器件作為第三代半導(dǎo)體,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...

2022-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1642 0

科銳254 lm/W光效再度刷新功率型LED研發(fā)記錄

  者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀(jì)錄,達(dá)到254 lm/W。該項(xiàng)紀(jì)錄打破了科銳在去年初取得的2...

2012-04-16 標(biāo)簽:LEDLED芯片SiC 1639 0

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    共享充電寶
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  • LT8705
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
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