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標(biāo)簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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PCIMAsia2017青銅劍科技力推IGBT驅(qū)動展現(xiàn)雄厚實(shí)力
6月27-29日,2017年國際電力元件、可再生能源管理展覽會(PCIM Asia)在上海世博展覽館成功舉行。國內(nèi)IGBT驅(qū)動領(lǐng)軍企業(yè)青銅劍科技攜旗下全...
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化
sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞...
2023-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC功率半導(dǎo)體 1666 0
新能源車企在不斷發(fā)展,期間需要確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,所以與之相關(guān)的SiC供應(yīng)商也需要具有穩(wěn)定的供應(yīng)關(guān)系。然而新能源汽車發(fā)展總趨勢是在增長,但是市場增速卻是...
開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一,由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時可以采用雙脈沖測試,而在電路設(shè)計(jì)時直...
芯三代半導(dǎo)體、先導(dǎo)電子先后啟動A股IPO輔導(dǎo)
2月18日,證監(jiān)會披露了首次公開發(fā)行股票并上市公司輔導(dǎo)備案的公示。新輔導(dǎo)公司:芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司、先導(dǎo)電子科技股份有限公司在列。
飛仕得攜SiC器件動靜態(tài)ATE測試機(jī)和動態(tài)偏壓可靠性測試機(jī)亮相活動
由新態(tài)咨詢主辦的功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow國際功率半導(dǎo)體裝備及材料創(chuàng)新展將于2024年4月22-24日在蘇州獅山國際會議中心舉辦。
6.5 總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.5總結(jié)第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長...
2022-01-27 標(biāo)簽:SiC 1660 0
Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車 (BEV)功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...
本項(xiàng)目將SiC MOSFET應(yīng)用于暖通空調(diào)系統(tǒng),不但可以顯著提升系統(tǒng)性能,在性價比方面還更具優(yōu)勢
2022-09-21 標(biāo)簽:MOSFETSiC暖通空調(diào) 1660 0
哪吒汽車發(fā)布250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng)
電驅(qū)系統(tǒng):哪吒汽車發(fā)布了180kW 400V電驅(qū)系統(tǒng)和250kW 800V高壓SiC電驅(qū)系統(tǒng),采用了三合一結(jié)構(gòu),集成了電機(jī)、減速器和控制器,最高轉(zhuǎn)速可達(dá)...
2023-08-24 標(biāo)簽:SiC電驅(qū)系統(tǒng)哪吒汽車 1660 0
SiC MOSFET 短路測試下的引線鍵合應(yīng)力分析
電力電子技術(shù)在日常生活中越來越普遍,尤其是現(xiàn)在,當(dāng)我們正經(jīng)歷一場由寬帶隙 (WBG) 材料引發(fā)的革命時。 ? WBG 材料在 SiC MOSFET 和 ...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1658 0
安森美半導(dǎo)體在電動方程式世界錦標(biāo)賽中與梅賽德斯-EQ 方程式 E 合作開發(fā)下一代電動動力系統(tǒng)。安森美半導(dǎo)體與梅賽德斯 AMG 的高功率性能 (HPP) ...
國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場應(yīng)用新篇章
在國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,正逐步成為新能源汽車、光伏儲能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動力。近期,國內(nèi)兩家...
全球首發(fā)上車!國產(chǎn)1500V SiC MOSFET!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)比亞迪在最近的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上,推出了一系列的“王炸”技術(shù),包括全域1000V高壓架構(gòu)、10C兆瓦閃充平臺、3萬轉(zhuǎn)5...
俄羅斯和印度再增2個SiC項(xiàng)目 合計(jì)超過6.3億元
最近,俄羅斯和印度新增了2個碳化硅項(xiàng)目,其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國最大的制造商之一”投資建設(shè)的
日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù),開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)
功率因數(shù)校正(PFC)、主動前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅(S...
我國第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來已久,但受制于技術(shù)等因素,市場始終不慍不火。然而今年市場出現(xiàn)明顯改觀,各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn),諸如天和通訊、吳越...
第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析
SiC(碳化硅)器件作為第三代半導(dǎo)體,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...
科銳254 lm/W光效再度刷新功率型LED研發(fā)記錄
者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布,其白光功率型LED光效再度刷新行業(yè)最高紀(jì)錄,達(dá)到254 lm/W。該項(xiàng)紀(jì)錄打破了科銳在去年初取得的2...
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