第三代半導體碳化硅器件在應用領域的深度分析
SiC（碳化硅）器件作為第三代半導體，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環境應用領域有著不可替代的優勢...以下針對SiC器件進行深度分析：
審核編輯：郭婷
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
335文章
28499瀏覽量
231581 -
SiC
+關注
關注
31文章
3141瀏覽量
64332 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
3002瀏覽量
50017
原文標題：第三代半導體：SiC碳化硅深度產業分析【推薦】
文章出處：【微信號：today_semicon，微信公眾號：今日半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
第三代半導體器件封裝：挑戰與機遇并存
一、引言隨著科技的不斷發展，功率半導體器件在電力電子系統、電動汽車、智能電網、新能源并網等領域發揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功
中國成功在太空驗證第三代半導體材料功率器件
近日，中國在太空成功驗證了首款國產碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進展標志著第三代半導體材料有望牽引中國航天電源系統升級換代，為中國航天
第三代半導體廠商加速出海
近年來，在消費電子需求帶動下，加上新能源汽車、數據中心、光伏、風電、工業控制等產業的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體廠商發展迅速。
第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以
碳化硅功率器件有哪些應用領域
碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表，以其優越的性能和廣闊的應用前景，成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度，深入探討碳化硅
納微半導體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規認證
納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布推出符合車規認證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創新產品系列經過精心優化，旨在滿足電動汽車應用的高要求，為行業帶來革
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術：開啟半導體產業新篇章
近年來，隨著科技的不斷進步，半導體技術作為現代信息技術的基石，其發展速度日新月異。在這一領域，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因
納微半導體發布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業領軍者，近日正式推出了其最新研發的第三代快速（G3F）碳化硅MO
工商網監
評論