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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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三安光電8英寸碳化硅量產加速！

業(yè)內人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面，碳化...

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SiC相對于傳統Si的優(yōu)勢如何

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2023-10-13 標簽：處理器 MOSFET 場效應晶體管 1760 0

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功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業(yè)：上海陸芯獲數億元D輪融資，強化車規(guī)級功率器件市場突破

月初，上海陸芯電子科技有限公司（下文簡稱上海陸芯）由多家戰(zhàn)略投資方攜手引領的數億元D輪融資已經落實，投資方包括盛宇華天產業(yè)基金等，將為上海陸芯加快全面復...

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2023-03-17 標簽：晶圓廠 SiC 碳化硅 1755 0

意法半導體在中國的本地化戰(zhàn)略

提前謀劃本地化供應鏈，解決中國客戶后顧之憂，提高對汽車用MCU的重視，布局從高端到中低端的全線產品。ST帶著這樣的愿景開始了在中國市場的下一個40年！

2025-01-16 標簽：微控制器 mcu 意法半導體 1754 0

線性狀態(tài)下的SiC MOSFET

SiC MOSFET在開/關切換模式下運行。然而，了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的，當驅動程序發(fā)生故障或設計人員為特定目的對其進行編程時，可能會發(fā)生這種情況。

2022-07-25 標簽：MOSFET 無線電 SiC 1752 0

2家SiC材料廠完成數億元新一輪融資

去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與...

2023-12-15 標簽：半導體 SiC 碳化硅 1749 0

國產碳化硅外延設備供應商納設智能開啟上市輔導

近日，中國證券監(jiān)督管理委員會（證監(jiān)會）披露了關于深圳市納設智能裝備股份有限公司（以下簡稱“納設智能”）首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。這一消息引起了...

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SiC上沉積的GaN最新技術

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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的...

2023-01-12 標簽：MOSFET SiC 1742 0

意法半導體：推進8英寸SiC戰(zhàn)略，引領行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個領域取得了顯著進步，并經...

2025-04-10 標簽：意法半導體 SiC 第三代半導體 1733 0

瑞薩電子推出新型柵極驅動IC，用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGB...

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半導體材料應用領域的應用領域

　　第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達、工業(yè)、...

2023-02-05 標簽：led 半導體 SiC 1726 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項

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2022-09-17 標簽：MOSFET 電壓 SiC 1724 0

合肥世紀金芯簽下2億美元SiC襯底片大單，產能將大幅提升

據了解，世紀金芯近期在8英寸SiC襯底片領域取得重要突破，成功開發(fā)出可重復生長出4H晶型、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體的8寸SiC單晶生長技術。

2024-04-23 標簽：晶體 SiC 襯底 1723 0

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2023年5月24-26日，SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源(上海)大會暨展覽會(簡稱“SNEC光伏大會暨(上海)展覽會”)將在上海...

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2024-03-08 標簽：MOSFET 半導體晶圓 1718 0

聯合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產

2024年3月，聯合電子400V SiC（碳化硅）電橋在太倉工廠迎來首次批產。本次量產標志著聯合電子在400V電壓平臺上實現了Si和SiC技術的全面覆蓋...

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