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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段，其亂象的陣痛期預(yù)計(jì)將持續(xù)3年左右，行業(yè)出清需到2028年前后完成。

2025-04-19 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 276 0

中國制造2025：SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果，通過政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場需求共振，實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競爭”...

2025-03-09 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 1265 0

揚(yáng)杰科技聯(lián)合舉辦SiC和IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)

近日，由揚(yáng)州市集成電路產(chǎn)業(yè)鏈、揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司聯(lián)合舉辦的“揚(yáng)帆起航共贏未來”SiC、IGBT功率產(chǎn)品合作交流會(huì)在揚(yáng)州隆重舉行。

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 揚(yáng)杰科技 849 0

SiC與GaN技術(shù)專利競爭：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機(jī)遇

在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢(shì)，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...

2025-03-07 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 552 0

2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年

2025年被廣泛視為碳化硅（SiC）器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的元年，在于國產(chǎn)SiC（碳化硅）單管和模塊價(jià)格首次低于進(jìn)口...

2025-03-07 標(biāo)簽：IGBT SiC 碳化硅 709 0

士蘭微電子8英寸碳化硅項(xiàng)目封頂

近日，士蘭微電子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場，海滄臺(tái)商投資區(qū)管委會(huì)副主任眭國瑜，士蘭微電子...

2025-03-04 標(biāo)簽：士蘭微電子 SiC 碳化硅 608 0

全球化合物半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)250億美元！

根據(jù)YoleGroup最近公布的市場預(yù)測，全球化合物半導(dǎo)體市場到2030年的市場規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年的快...

2025-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 化合物半導(dǎo)體 581 0

深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響

深度分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“三個(gè)必然”及其產(chǎn)業(yè)影響 ? 一、功率半導(dǎo)體發(fā)展的“三個(gè)必然”的技術(shù)內(nèi)涵與歷史性變革分析與解讀功率半導(dǎo)體發(fā)展走向的“...

2025-03-04 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體 497 0

SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應(yīng)用新突破

SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí)，芯片面積縮小20%，開關(guān)損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。...

2025-03-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 車充 993 0

國產(chǎn)SiC模塊賦能組串式儲(chǔ)能變流器（PCS）助力能源高效利用

SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲(chǔ)能變流器（PCS）首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下： BM...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能 PCS 481 0

國產(chǎn)SiC器件飛跨電容三電平取代2000V器件兩電平MPPT升壓方案

基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B3M013C120Z與二極管B3D80120H2組合大組串逆變器MPPT升壓方案優(yōu)勢(shì)分析以及全面取代老舊的2000V器件...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC MPPT 飛跨電容 430 0

瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓功率模塊

日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領(lǐng)域提供了高電壓、高功率密度的解...

2025-03-01 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 779 0

超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET，不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 520 0

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析

國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析，產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu)，才能實(shí)現(xiàn)從“低端...

2025-03-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 557 0

華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)成功舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)

近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。

2025-02-28 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體華大半導(dǎo)體 743 0

SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過兩家Si...

2025-02-28 標(biāo)簽：二極管 SiC 404 0

從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌

近期，多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問題，嚴(yán)重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代進(jìn)程，從...

2025-02-28 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 354 0

碳化硅行業(yè)觀察：2025年SiC功率器件廠商大洗牌

2025年碳化硅（SiC）功率器件設(shè)計(jì)公司倒閉潮反映了行業(yè)加速洗牌的必然趨勢(shì)，其背后是技術(shù)、資本、供應(yīng)鏈和市場需求的多重挑戰(zhàn)。而“SiC模塊批量上車業(yè)績...

2025-02-26 標(biāo)簽：芯片功率器件 SiC 692 0

電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇：國產(chǎn)SiC模塊取代進(jìn)口IGBT模塊

國產(chǎn)SiC(碳化硅)功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊的趨勢(shì)，既是技術(shù)迭代的必然結(jié)果，也是中國電力電子產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“換道超車”的戰(zhàn)略選擇。

2025-03-01 標(biāo)簽：模塊 IGBT SiC 575 0

安森美新型SiC模塊評(píng)估板概述

碳化硅（SiC）技術(shù)正引領(lǐng)一場革新，為從新能源汽車到工業(yè)電源管理等多個(gè)行業(yè)帶來前所未有的效率和性能提升。為了幫助工程師們更好地探索和利用 SiC 技術(shù)的...

2025-02-25 標(biāo)簽：安森美 SiC 評(píng)估板 530 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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太陽能充電

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
醫(yī)療電源

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共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
LT8705

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