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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic資訊

Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(Si...

2025-07-11 標(biāo)簽:肖特基二極管SiCNexperia 323 0

安森美SiC JFET產(chǎn)品應(yīng)用研討會(huì)預(yù)告

隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的進(jìn)步,固態(tài)斷路器 (SSCB) 的性能持續(xù)提升。新型半導(dǎo)體材料(如碳化硅)提供了更高的開(kāi)關(guān)速度、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓...

2025-07-10 標(biāo)簽:安森美JFET斷路器 192 0

混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動(dòng)汽車(chē)的最優(yōu)解?

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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動(dòng)汽車(chē)牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱(chēng),但其固有的高開(kāi)關(guān)損耗和較...

2025-07-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 982 0

新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品

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新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分...

2025-07-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC 333 0

SiC MOSFET的基本概念

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點(diǎn)。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因...

2025-07-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 219 0

Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:頂部散熱封裝

Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:頂部散熱封裝

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來(lái)了不小的震撼,雖然在資本層面面臨危機(jī),不過(guò)Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。...

2025-07-08 標(biāo)簽:SiCWolfspeed 2156 0

芯干線(xiàn)科技上半年銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)265%

2025年上半年,芯干線(xiàn)科技交出一份卓越的成績(jī)單:銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng)265%,多行業(yè)、全產(chǎn)品線(xiàn)強(qiáng)勢(shì)爆發(fā)!

2025-07-07 標(biāo)簽:IGBTSiC移動(dòng)電源 639 0

安森美亮相2025美國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體電力峰會(huì)

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隨著全球能源轉(zhuǎn)型與電氣化進(jìn)程加速,從電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng),到支撐可再生能源并網(wǎng)的電力系統(tǒng),再到驅(qū)動(dòng)人工智能算力的數(shù)據(jù)中心等,這些決定未來(lái)的高增長(zhǎng)領(lǐng)域,其能效...

2025-07-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美SiC 475 0

SiC龍頭Wolfspeed重組落地,瑞薩或成最大股東?

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6月23日,Wolfspeed向SEC提交8-K文件,宣布正式啟動(dòng)預(yù)打包重組。這家曾經(jīng)全球領(lǐng)先的SiC IDM企業(yè),將通過(guò)債務(wù)轉(zhuǎn)股權(quán)、董事會(huì)改組等方式完...

2025-07-02 標(biāo)簽:SiCWolfspeed 248 0

安森美SiC Combo JFET UG4SC075005L8S的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

安森美(onsemi)的UG4SC075005L8S在AI PSU設(shè)計(jì)中非常受歡迎,有助于實(shí)現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng),以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可...

2025-07-02 標(biāo)簽:安森美JFETSiC 350 0

62mm半橋SiC碳化硅MSOFET功率模塊 BMF540R12KA3應(yīng)用場(chǎng)景

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國(guó)產(chǎn)62mm半橋碳化硅功率模塊 BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 的全面分析,包括產(chǎn)品力評(píng)估、應(yīng)用場(chǎng)景及具體解決方案: 一、產(chǎn)品力分析...

2025-07-02 標(biāo)簽:SiC功率模塊碳化硅 152 0

Wolfspeed破產(chǎn)引爆全球SiC市場(chǎng)!產(chǎn)業(yè)鏈上誰(shuí)在搶灘?

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電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 6月30日,美國(guó)SiC功率器件巨頭Wolfspeed申請(qǐng)破產(chǎn),主要原因是Wolfspeed目前面臨巨大的債務(wù)壓力,其總體債務(wù)高達(dá)6...

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新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET

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新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封...

2025-07-01 標(biāo)簽:MOSFETSiC 680 0

基于SiC碳化硅功率模塊的雙并聯(lián)設(shè)計(jì)135kW/145kW工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)

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傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 以下基于BMF240R12E2...

2025-07-01 標(biāo)簽:SiCPCS碳化硅 140 0

基于BMF240R12E2G3 SiC模塊設(shè)計(jì)135-145kW三相四線(xiàn)制工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS

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基于BMF240R12E2G3 SiC模塊并聯(lián)交錯(cuò)的135-145kW三相四線(xiàn)制PCS開(kāi)發(fā)方案如下,結(jié)合模塊特性與系統(tǒng)需求進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì): 一、關(guān)鍵模塊特...

2025-06-28 標(biāo)簽:SiCPCS模塊設(shè)計(jì) 61 0

羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案

隨著人工智能持續(xù)重新定義計(jì)算的邊界,為這些進(jìn)步提供動(dòng)力的基礎(chǔ)設(shè)施也必須同步發(fā)展。作為功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)者,羅姆很榮幸成為支持英偉達(dá)全新800V...

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導(dǎo)語(yǔ):6月26–27日,2025年?yáng)|莞電子熱點(diǎn)解決方案創(chuàng)新峰會(huì)即將開(kāi)幕,六大論壇、百家展商集結(jié),當(dāng)前報(bào)名持續(xù)火熱,參會(huì)工程師請(qǐng)盡快鎖定席位! 隨著終端系...

2025-06-25 標(biāo)簽:AISiCbms 166 0

傾佳電子:SiC碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命

傾佳電子:碳化硅功率器件革新混合逆變儲(chǔ)能系統(tǒng),引領(lǐng)能效革命? 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)變革,正在重塑新能源世界的能源轉(zhuǎn)換效率邊界。 全球能源轉(zhuǎn)型浪潮下,混合...

2025-06-25 標(biāo)簽:光伏功率器件SiC 196 0

全球最大SiC襯底廠(chǎng)商破產(chǎn)!年內(nèi)有望完成重組

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)? 當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月22日,全球最大的碳化硅襯底制造商Wolfspeed正式宣告破產(chǎn),并公布了與主要債權(quán)人達(dá)成的《支持重組協(xié)議...

2025-06-24 標(biāo)簽:SiC 5165 0

SiC/磁材破局關(guān)鍵戰(zhàn)!百余位技術(shù)精英聚首東莞

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在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,光儲(chǔ)充產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng),但效率瓶頸、安全焦慮與成本高壓仍是橫亙?cè)谛袠I(yè)面前的三座大山。 6月26日,第十六屆光儲(chǔ)充關(guān)鍵元器件技術(shù)...

2025-06-23 標(biāo)簽:SiC 179 0

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    MAX660
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    MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器,電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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    采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì),以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求,能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策,進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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    光伏并網(wǎng)逆變器
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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