女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品:頂部散熱封裝

Hobby觀察 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報(bào)道 ? 2025-07-08 00:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近Wolfspeed的破產(chǎn)消息給業(yè)界帶來(lái)了不小的震撼,雖然在資本層面面臨危機(jī),不過(guò)Wolfspeed當(dāng)前的業(yè)務(wù)還是在正常推進(jìn)的。Wolfspeed本周推出了新型的頂部散熱封裝碳化硅MOSFET肖特基二極管產(chǎn)品,通過(guò)頂部散熱(TSC)封裝,可以顯著提升系統(tǒng)功率密度和效率,同時(shí)優(yōu)化熱管理性能并增強(qiáng)電路板布局靈活性。

本次新推出的U2系列產(chǎn)品全系采用頂部散熱封裝,提供650 V 至 1200 V 多種電壓選項(xiàng),面向電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電機(jī)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車(chē)與工業(yè)暖通空調(diào)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、高電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、太陽(yáng)能及儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)電源等廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。

U2系列提供滿(mǎn)足 JEDEC 與 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)車(chē)規(guī)應(yīng)用認(rèn)證的選項(xiàng),具備低剖面、表面貼裝設(shè)計(jì);頂部散熱,熱阻(Rth)低;碳化硅(SiC)MOSFET 電壓范圍:750 V 至 1200 V;碳化硅(SiC)肖特基二極管計(jì)劃覆蓋 650 V 至 1200 V。

U2系列的優(yōu)勢(shì)包括SiC頂部散熱(TSC)封裝中最大的爬電距離;通過(guò)優(yōu)化 PCB 布局實(shí)現(xiàn)更高系統(tǒng)功率密度;表面貼裝設(shè)計(jì)支持大規(guī)模量產(chǎn)。

頂部散熱封裝優(yōu)勢(shì)?

大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝分立功率半導(dǎo)體器件通過(guò)底部與 PCB 直接接觸的方式散熱,并依賴(lài)安裝在 PCB 下方的散熱器或冷卻板。這種散熱方式廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子場(chǎng)景,尤其在 PCB 安裝空間和散熱器重量不受限制的應(yīng)用中尤為常見(jiàn)。

相比之下,頂部散熱(TSC)器件通過(guò)封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱。在頂部散熱(TSC)封裝內(nèi)部,芯片采用倒裝方式布置于封裝上層,使熱量能夠直接傳導(dǎo)至頂部表面。這類(lèi)器件特別適合汽車(chē)及電動(dòng)交通系統(tǒng)等高性能應(yīng)用場(chǎng)景——這些領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏取⑾冗M(jìn)熱管理方案和小型化封裝有著嚴(yán)苛要求。在這些應(yīng)用中,頂部散熱(TSC)器件通過(guò)實(shí)現(xiàn)最大功率耗散并優(yōu)化熱性能,有效滿(mǎn)足了系統(tǒng)的冷卻需求。

wKgZO2hrmeWAfT7eAADG04cI5-0964.png
來(lái)源:wolfspeed


頂部散熱(TSC)設(shè)計(jì)還實(shí)現(xiàn)了 PCB 的雙面利用,因?yàn)榈装灞砻娌辉傩枰獮樯崞黝A(yù)留接口。將散熱器從熱路徑中移除,不僅顯著降低了系統(tǒng)整體熱阻,還支持自動(dòng)化組裝工藝——這一優(yōu)勢(shì)可大幅提升生產(chǎn)效率,從而打造出更具成本效益的解決方案。

提供評(píng)估平臺(tái)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì)

Wolfspeed 提供的SpeedVal Kit模塊化評(píng)估平臺(tái)為工程師提供了一套靈活的構(gòu)建模塊,可在實(shí)際工作點(diǎn)對(duì)系統(tǒng)性能進(jìn)行電路內(nèi)評(píng)估,從而加速?gòu)墓杵骷蛱蓟瑁⊿iC)的轉(zhuǎn)型過(guò)渡。最新發(fā)布的三相評(píng)估主板不僅支持高功率靜態(tài)負(fù)載測(cè)試,更能為先進(jìn)電機(jī)控制固件的開(kāi)發(fā)提供基礎(chǔ)平臺(tái)。

同時(shí)針對(duì)U2系列的器件,Wolfspeed即將推出 13 kW 電機(jī)驅(qū)動(dòng)參考設(shè)計(jì),該設(shè)計(jì)為車(chē)廂、電池及電子設(shè)備提供全面的熱管理解決方案。通過(guò)采用SiC技術(shù)優(yōu)化 HVAC 系統(tǒng)效率和溫控范圍,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員可實(shí)現(xiàn) 15 分鐘內(nèi)完成快速充電,并延長(zhǎng)車(chē)輛單次充電續(xù)航里程(全生命周期有效)。基于 Wolfspeed 最新 CRD-13DA12N-U2 13 kW HVAC 參考設(shè)計(jì),碳化硅技術(shù)帶來(lái)圖中諸多優(yōu)勢(shì),包括延長(zhǎng)單次充電續(xù)航里程、提升快速充電期間的可靠性、減小系統(tǒng)尺寸和降低環(huán)境噪音等。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3222

    瀏覽量

    65167
  • Wolfspeed
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    71

    瀏覽量

    7420
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Wolfspeed推出新型頂部散熱(TSC)碳化硅MOSFET和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

    Wolfspeed 推出新型頂部散熱(TSC) 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴(kuò)展其行
    的頭像 發(fā)表于 07-09 10:50 ?459次閱讀
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>推出新型<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b>(TSC)碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>和肖特基二極管,優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗

    浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開(kāi)爾文源極結(jié)構(gòu)

    本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計(jì)方面的進(jìn)展,重點(diǎn)關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開(kāi)關(guān)損耗方面的作用,以及
    的頭像 發(fā)表于 07-08 10:28 ?130次閱讀
    浮思特 | <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>散熱</b>優(yōu)化與開(kāi)爾文源極結(jié)構(gòu)

    為什么要選擇采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET

    采用TO-LL封裝的意法半導(dǎo)體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術(shù)的固有特性與TO-LL封裝出色的
    的頭像 發(fā)表于 06-09 09:57 ?434次閱讀

    新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

    新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱
    的頭像 發(fā)表于 05-29 17:04 ?520次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b> Q-DPAK<b class='flag-5'>封裝</b>的 CoolSiC? 1200V G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

    新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2
    的頭像 發(fā)表于 05-27 17:03 ?367次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | 采用<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b>QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋產(chǎn)品

    Wolfspeed破產(chǎn)重組 SiC行業(yè)格局生變

    近日,行業(yè)先驅(qū)Wolfspeed被曝?cái)M通過(guò)破產(chǎn)保護(hù)程序?qū)嵤I(yè)務(wù)重組。這一動(dòng)向折射出SiC產(chǎn)業(yè)激烈競(jìng)爭(zhēng)下的洗牌趨勢(shì),也凸顯中國(guó)供應(yīng)鏈的快速崛起對(duì)傳統(tǒng)巨頭的沖擊。作為最早布局SiC領(lǐng)域的龍頭企業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 05-26 11:36 ?499次閱讀
    <b class='flag-5'>Wolfspeed</b>破產(chǎn)重組 <b class='flag-5'>SiC</b>行業(yè)格局生變

    SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    SiC SBD具有高耐壓、快恢復(fù)速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn),可降低電力電子系統(tǒng)的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車(chē)等多種應(yīng)用,本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:07 ?708次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>SBD</b>的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性

    導(dǎo)通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 2月12日,Wolfspeed宣布推出全新的第4代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái),該平臺(tái)從設(shè)計(jì)端就考慮耐久性和高效性,同時(shí)還能降低系統(tǒng)成本、縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。據(jù)介紹
    發(fā)表于 02-13 00:21 ?980次閱讀

    SemiQ發(fā)布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專(zhuān)為中壓大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發(fā)布的QSiC? 1700V高
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:46 ?531次閱讀

    新品 | QDPAK TSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolSiC? MOSFET G1 8-140mΩ 750V

    新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個(gè)高度可靠的SiCMOSFET系列,具
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:03 ?741次閱讀
    <b class='flag-5'>新品</b> | QDPAK TSC<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b><b class='flag-5'>封裝</b>工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolSiC? <b class='flag-5'>MOSFET</b> G1 8-140mΩ 750V

    瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET

    為了滿(mǎn)足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 11-27 14:58 ?988次閱讀
    瞻芯電子推出采用TC3Pak<b class='flag-5'>封裝</b>的1200V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    華潤(rùn)微持續(xù)發(fā)力MOSFET先進(jìn)封裝,三款頂部散熱封裝產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

    了這一挑戰(zhàn),華潤(rùn)微電子封測(cè)事業(yè)群(以下簡(jiǎn)稱(chēng)ATBG)不斷迭進(jìn)新技術(shù),研發(fā)了TOLT-16L、QDPAK、TCPAK5X7-10L三款新的頂部散熱MOSFET先進(jìn)封裝工藝平臺(tái),為市場(chǎng)提供
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:21 ?1777次閱讀
    華潤(rùn)微持續(xù)發(fā)力<b class='flag-5'>MOSFET</b>先進(jìn)<b class='flag-5'>封裝</b>,三款<b class='flag-5'>頂部</b><b class='flag-5'>散熱</b><b class='flag-5'>封裝</b>產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

    軌道牽引用3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

    三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以滿(mǎn)足鐵路應(yīng)用的高可靠性、高功率和高效率要求
    的頭像 發(fā)表于 10-31 16:47 ?1392次閱讀
    軌道牽引用3.3kV <b class='flag-5'>SBD</b>嵌入式<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>模塊

    SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗,提升系統(tǒng)效率,更適合應(yīng)用于高頻電路。碳化硅SiC
    的頭像 發(fā)表于 10-16 13:52 ?5316次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊<b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

    SiC MOSFETSiC SBD的區(qū)別

    SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:19 ?3558次閱讀