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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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三星電子業(yè)績下滑：存儲芯片市場復(fù)蘇速度低于預(yù)期

　　三星電子報告2023年第四季度營業(yè)利潤下降35%至2.8萬億韓元（約合21.3億美元），而分析師平均預(yù)期為3.7萬億韓元；營業(yè)收入同比下降4.9%至...

2024-01-09 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1379 0

深圳嘉合勁威電子科技C輪融資超2億元，實力雄厚?

深圳市嘉合勁威電子科技有限公司于2012年創(chuàng)立，主要從事DRAM及NAND Flash存儲器設(shè)計、研發(fā)、制造、銷售等業(yè)務(wù)。同時，也致力于提供各類型消費者...

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 1365 0

三星要把3D NAND堆到1000層以上

3D設(shè)計引入了多晶硅和二氧化硅的交替層，并將浮柵交換為電荷陷阱閃存 (CTF)，區(qū)別在于FG將存儲器存儲在導(dǎo)電層中，而CTF將電荷“捕獲”在電介質(zhì)層中。...

2023-07-04 標(biāo)簽：NAND 蝕刻工藝三星 1364 0

2018年三星將其生產(chǎn)比重提升至90%以上，三星全面進(jìn)入3D NAND時代

三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進(jìn)...

2018-07-06 標(biāo)簽：NAND 三星電子 3D 1360 0

一文解析HPC存儲系統(tǒng)的挑戰(zhàn)

功率：超級計算機(jī)已接近100千瓦/架，其中大部分被數(shù)據(jù)移動所消耗隨著HPC應(yīng)用數(shù)據(jù)集的增長，在數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備接口上需要越來越多的帶寬，以便在計算和存儲...

2022-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲系統(tǒng)應(yīng)用處理器 1353 0

英睿達(dá)的非易失性內(nèi)存單條容量達(dá)32GB 通過了JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的3DX Point非易失性存儲技術(shù)正在逐步普及，雙方都發(fā)布了一些SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品（Intel的叫傲騰），現(xiàn)在兩家紛紛將其帶到...

2018-11-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 內(nèi)存 1352 0

內(nèi)存市場狀況分析：2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過于求

近一年來了內(nèi)存價格的起伏不定，準(zhǔn)確的說是水漲船高，明年的市場狀況又將迎來如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。

2017-12-25 標(biāo)簽：dram nand 1349 0

DRAM、NAND和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析

最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技...

2020-12-24 標(biāo)簽：嵌入式 DRAM NAND 1346 0

在物聯(lián)網(wǎng)的推動下市場對于SSD的需求與日俱增

在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推動下，市場對于固態(tài)硬盤（SSD）的需求與日俱增。為了回應(yīng)現(xiàn)下的趨勢，三星電子（Samsung Electronics）正在首爾南方...

2018-12-29 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SSD 1346 0

三星打造全球最大閃存生產(chǎn)基地大力投資西安占據(jù)中國市場

三星是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商，僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額，不過韓國本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了，三星這幾年來大力投資中...

2019-12-11 標(biāo)簽：閃存 NAND 三星電子 1345 0

2023年半導(dǎo)體材料市場將下降9.4%至465億美元

按工序劃分，前端材料市場預(yù)計將同比下降11.9%，為334億美元。而對EUV光掩模和光刻膠的需求正在增加。由于晶體管結(jié)構(gòu)的變化，以及由于3D NAND的...

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND 半導(dǎo)體材料 EUV 1341 0

江波龍電子:提供高質(zhì)量的存儲創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案

在剛剛結(jié)束的2021年，全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了很多故事。一方面，持續(xù)蔓延的芯片短缺給整個半導(dǎo)體行業(yè)帶來很大困擾，也給全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)帶來了巨大挑戰(zhàn)。另一...

2022-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲 1336 0

Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，...

2010-02-11 標(biāo)簽：NAND Hynix 1334 0

武漢新芯可能2018年量產(chǎn)48層NAND

紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在存儲器搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。

2016-05-10 標(biāo)簽：NAND 存儲器武漢新芯 1334 0

Solidigm發(fā)布高性能PCIe 5.0 SSD，引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲新紀(jì)元

全球知名的創(chuàng)新NAND閃存解決方案巨頭Solidigm，近期隆重推出了兩款專為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設(shè)計的旗艦級固態(tài)存儲硬盤（SSD）——Solidigm D7-...

2024-08-16 標(biāo)簽：NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 1334 0

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲空間深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的...

2022-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 1330 0

英特爾計劃90億甩賣NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)給海力士？

亂了亂了，整個晉西北都亂成一鍋粥了！本以為看到英偉達(dá)計劃 400 億美元收購 ARM 、 IBM 分家、美國起訴谷歌壟斷等等新聞之后，世界科技圈的瓜就...

2020-10-27 標(biāo)簽：英特爾 NAND SK海力士 1330 0

Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例

上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲器 1328 0

2020年第一季NAND Flash價格持續(xù)上漲預(yù)期漲價態(tài)勢得已延續(xù)

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，由于 Client SSD 合約價自高點連跌七季，與傳統(tǒng)硬盤的成本差距已經(jīng)不遠(yuǎn)，在 20...

2020-01-03 標(biāo)簽：NAND SSD 1320 0

DRAM報價超預(yù)期 IC insights大幅上修今年IC成長預(yù)估值

因DRAM、NAND等內(nèi)存報價上漲、需求強(qiáng)勁，調(diào)研機(jī)構(gòu)昨日（3月14日）發(fā)布最新研究報告，將2018年全球IC市場成長預(yù)估值拉高近一倍，從原本的8%一口...

2018-03-16 標(biāo)簽：DRAM NAND 1319 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
LPDDR4

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合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
福建晉華

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3D NAND Flash

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東芝公司

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SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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SQL Server

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嵌入式閃存

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
安博會

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云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
USB 3.0接口

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長鑫存儲

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