上海伯東代理日本Atonarp 過程控制質譜儀Aston, 通過使用分子傳感技術, 提供半導體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室在大批量生產中的氣體偵測分析, 實現尾氣在線監控, 診斷, 為半導體過程控制提供解決方案, 提高半導體制造工藝的產量, 吞吐量和效率, 在現有生產工藝工具上加裝 Aston, 可在短時間內實現晶圓更高產量!

Atonarp 過程控制質譜儀Aston 半導體工藝解決方案案例

保護 CVD 工藝免受干泵故障的影響:

Aston 質譜分析儀耐受腐蝕性氣體和氣化污染物冷凝液, 在惡劣的 CVD 環境中, Aston 利用可操作的數據預測和防范因 CVD 干泵引起的災難性故障.

EUV 極紫外光源鹵化錫原位定量:

EUV 極紫外光刻技術越來越多地用于支持 <10nm 工藝技術的關鍵尺寸圖案形成. 管理這些價值超過 2億美元光刻機的正常運行時間和生產量對晶圓 Fab 廠的經濟至關重要. Atonarp??Aston 過程質譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數據盡可能實現反射板鍍錫層清潔, 并且?Aston 過程質譜的實時氫氣?H2?監測也降低了每個 EUV 工具的氫氣消耗.

提高 low-k 電介質沉積的吞吐量:

沉積晶圓通量是晶圓廠 FAB 效率的關鍵指標之一, 也是晶圓廠 FAB 不斷改進以降低每次移動成本和減少資本支出的關鍵指標. Atonarp Aston 質譜儀提供腔室清潔終點檢測方案已成功應用于 low-k 電介質沉積應用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產時間.

對小開口區域的蝕刻有最高的靈敏度:

Aston 質譜儀 的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES（LOD 約 2.5%）高出一個數量級. 此外, Aston內部產生的基于等離子體的電離源允許它在存在腐蝕性蝕刻氣體的情況下工作, 無論處理室中是否存在等離子體源.

ALD 工藝控制的原位計量:

Aston 質譜分析儀是一款快速, 強大的化學特異性氣體質譜儀, 提供 ALD 過程控制解決方案, 可在這些非等離子體（“lights-off”）過程中提供原位計量和控制. 它可以實現快速, 化學特定的原位定量氣體分析, 低至十億分之幾的水平, 提供 ALD 過程控制所需的實時數據.

沉積和刻蝕3D NAND 存儲器

3D NAND 工藝通過堆疊存儲單元, 提供更高的比特密度, 上海伯東 Aston質譜分析儀適用于先進半導體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析. 沉積應用中: 實時過程氣體監控，以驅動自動化工具調整以實現過程控制, 沉積步驟之間的終點檢測, 實現層的化學計量工程; 蝕刻應用中: 以 ppb 為單位測量的工藝氣體和副產品, 啟用端點腔室清潔.

上海伯東代理日本 Atonarp Aston 質譜分析儀提供穩健, 量化和實時的計量. 原位量化計量在關鍵靈敏度 / 速度指標上比其他殘留氣體分析儀優于 10 倍至 100 倍, 并具有強大的等離子電離解決方案, Aston能夠處理苛刻的工藝氣體和副產品. 為半導體 Sub-fab 提供安全, 可持續性和節約解決方案.

審核編輯：劉清