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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅動隔離供電的性價比最優解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅動隔離供電方案的性能與成本成為關鍵制約因素。基本半導體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
ROHM開發出安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET
在汽車領域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產品的功耗...
Infineon MOSFET 于switch power應用中軟/硬切換建議
當電晶體開關時電壓和電流出現重疊時,就會出現硬切換。這種重疊會造成能量損失,可透過提高di/dt和dv/dt將能量損失降至最低。然而,快速變化的di/d...
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品是基于傳統溝槽式MOSFET的改進版本,其出色的導通電阻、品質因子和快速硬開關能力...
北一半導體完成B+輪融資,推動SiC MOSFET產業化進程
近日,北一半導體科技(廣東)有限公司成功完成了B+輪融資,標志著其碳化硅(SiC)MOSFET技術的產業化進程又邁出了堅實的一步。此次融資由上海吾同私募...
Leiditech圍繞EMC電磁兼容服務客戶,自建免費實驗室為客戶測試靜電ESD(30KV)、群脈沖EFT(4KV)、浪涌(8/20,10/700 10...
綠色出行:英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)即將推出采用XHP? 2封裝的CoolSiC? MOSFET和.XT技術的功率半導體...
Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封裝
Navitas半導體公司日前宣布擴展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面貼裝TOLL(無引腳晶體...
飛兆半導體小體積低導通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器...
安森美推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC 安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出高度集...
?英飛凌600 V CoolMOS? 8 新一代硅基MOSFET技術助力電力電子行業變革
該技術將對數據中心、可再生能源和消費電子等行業產生深遠影響。在日新月異的電力電子行業,對更高效、更強大、更緊湊元器件的需求持續存在。對于新一代硅基MOS...
新品 | 采用固態隔離器iSSI30R11H的固態開關評估板
新品采用固態隔離器iSSI30R11H的固態開關評估板EVAL-iSSI30R11H用于評估應用電路中的英飛凌iSSI固態隔離器iSSI30R11的產品...
瞻芯電子將于11月15日-17日,在深圳國際會展中心(寶安新館),參加慕尼黑華南電子展,并在2號展館設立展臺(2B18),為各領域客戶介紹SiC功率半導...
8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關定義∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳...
2022-03-04 標簽:MOSFET 709 0
CMW60R030DFD:一款電子工程師的視角下的高壓MOSFET
引言: 在現代電子設備中,高壓MOSFET扮演著至關重要的角色。其中,CMW60R030DFD是一款引人注目的600V SJ MOS型號,具備許多令人印...
800V高壓超充技術興起,國內SiC MOSFET產業誰受益?
憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優越的物理特性,SiC-MOSFET有望在新能源汽車800V高壓超充時代替代Si IGBT,并在主驅逆變器、充電樁、OBC、D...
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