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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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東芝半導(dǎo)體擴(kuò)展U-MOSX-H系列80V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線
通信基站是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的重要組成部分,數(shù)據(jù)中心也和網(wǎng)絡(luò)通訊一樣逐漸成為現(xiàn)代社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施的一部分,對(duì)很多產(chǎn)業(yè)都產(chǎn)生了積極影響。
2024-05-29 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電機(jī)控制 991 0
ROHM獨(dú)有的超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品PrestoMOS,運(yùn)用ROHM獨(dú)創(chuàng)的Lifetime控制技術(shù)優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了極快*的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),非常有助于...
新型大功率超聲波發(fā)生器電源為使超聲清洗設(shè)備射頻輸出功率最大,要求超聲換能器始終工作在諧振狀態(tài)下.新型大功率超聲波發(fā)生器電源采用頻率自動(dòng)跟蹤技術(shù),并引入數(shù)...
2023-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)超聲波 990 0
安世半導(dǎo)體攜多款先進(jìn)產(chǎn)品和解決方案亮相PCIM Asia 2024
8月28日至30日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商安世半導(dǎo)體在PCIM Asia 2024展會(huì)上大放異彩,展示了其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。此次參展,安...
2024-09-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT安世半導(dǎo)體 989 0
Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產(chǎn)品功率密度和可靠性
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VS...
東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET適用于電池組保護(hù)
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電...
2023-11-09 標(biāo)簽:電池組MOSFET驅(qū)動(dòng)IC 987 0
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝...
電源設(shè)計(jì)說明:讓我們使用SiC MOSFET構(gòu)建雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
隨著高效蓄能器(電池和超級(jí)電容器)的大量使用,趨勢(shì)是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康并延長其使用壽命。
2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)升壓轉(zhuǎn)換器 987 0
薩科微推出SL40T120FL系列IGBT單管和CMOS運(yùn)算放大器SLA333等產(chǎn)品
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司一直研究新材料新工藝,不斷推出新產(chǎn)品,驅(qū)動(dòng)公司不斷發(fā)展。
2024-02-28 標(biāo)簽:CMOSMOSFET運(yùn)算放大器 987 0
Vishay VOMDA1271汽車級(jí)光伏MOSFET集成關(guān)斷電路
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓(8.5V)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)...
ST EVL400W-EUPL7評(píng)估板可實(shí)現(xiàn)較高的平均能效和典型能效
意法半導(dǎo)體的EVL400W-EUPL7評(píng)估板是一個(gè)現(xiàn)成的400W電源解決方案,符合當(dāng)今要求最嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范,借助意法半導(dǎo)體的L4984D電流式PFC...
2020-08-07 標(biāo)簽:mosfet意法半導(dǎo)體散熱器 981 0
美浦森中低壓N MOS P MOS 20V到200V 3A到160A
美浦森中低壓NMOSPMOS20V到200V3A到160A主要電動(dòng)工具電池保護(hù)逆變器PC電源DCDC等美浦森半導(dǎo)體成立于2014年,總部位于深圳市南山區(qū)...
2022-04-29 標(biāo)簽:電源MOSFET電源設(shè)計(jì) 981 0
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用...
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序。基本器件拓?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
ADI發(fā)表全新的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器系列
ADI發(fā)表全新的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器系列 美商亞德諾公司(Analog Devices;ADI)發(fā)表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場...
2009-11-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 979 0
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(以下簡稱“東芝”)近日宣布,其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)...
英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用
在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中,電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì),同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。
2023-10-10 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET固態(tài)繼電器 977 0
使用碳化硅功率模塊的e-Axle用逆變器簽署聯(lián)合開發(fā)協(xié)議
通過此次的共創(chuàng)項(xiàng)目,羅姆將能夠從整車層面深入了解功率半導(dǎo)體要具備的性能和更好的驅(qū)動(dòng)方法,這將有助于今后開發(fā)出更具競爭力的碳化硅MOSFET和模塊。
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