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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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異步升壓 內(nèi)置mos升壓芯片F(xiàn)P6298
FP6298是一種電流模式(CC模式),通過pwm控制來提高DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置0.08ΩMOSFET使這種調(diào)節(jié)器具有高功率效率,周邊元件少,可節(jié)...
2022-05-05 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)電源 964 0
揚(yáng)杰科技出席2024智能電動(dòng)汽車前瞻技術(shù)與生態(tài)鏈合作展示交流會(huì)
7月26日,為期兩天的“2024智能電動(dòng)汽車前瞻技術(shù)與生態(tài)鏈合作展示交流會(huì)”在長(zhǎng)安全球研發(fā)中心圓滿落幕。作為行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),揚(yáng)杰科技憑借其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深...
2024-07-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET揚(yáng)杰科技 964 0
通過轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成...
對(duì)于設(shè)計(jì)者來說,更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗,從而降低功耗,尤其是在重載的情況下。
瑞能半導(dǎo)體亮相閃耀SNEC,展現(xiàn)光伏領(lǐng)域創(chuàng)新成果
本屆SNEC展會(huì)規(guī)模空前,首次展館設(shè)置在國(guó)家會(huì)展中心,展覽面積從去年的27萬㎡拓展至如今的40萬㎡,吸引了來自全球95個(gè)國(guó)家和地區(qū)的3100多家展商以及...
2024-06-22 標(biāo)簽:MOSFET瑞能半導(dǎo)體光伏儲(chǔ)能 962 0
NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與 門費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -...
Toshiba推出適用于USB設(shè)備和電池組保護(hù)的30V N溝道共漏MOSFET
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日...
NP1205MR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP1205MR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。...
又有車規(guī)SiC大單,助力理想汽車800V平臺(tái)
理想汽車致力于為家庭用戶提供超預(yù)期的豪華電動(dòng)車。本次與 ST 的 SiC 供貨協(xié)議簽署印證了理想汽車開發(fā)純電動(dòng)車產(chǎn)品的堅(jiān)定決策。
NP2305VR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305VR采用了先進(jìn)的塹壕技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) ?V ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM ...
CoolSiC MOSFET技術(shù)在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的應(yīng)用
碳化硅 (SiC)晶體管越來越多地用于功率轉(zhuǎn)換器,對(duì)尺寸、重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極 IGBT 器件相比,碳化硅出色的材料特性支持設(shè)計(jì)快速開...
2022-08-09 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 960 0
納微半導(dǎo)體三斬功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)
2023年12月23日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大開幕!上百家電源上下游企業(yè)齊聚一堂,與多位行業(yè)資深專家共同探討,打造...
功率半導(dǎo)體廠商鉅芯科技擬A股IPO 已進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案登記
官方網(wǎng)站稱,2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā),生產(chǎn),銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功...
廠商紛紛推新2000V SiC MOSFET產(chǎn)品,光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域迎來突破
隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快,光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件——硅碳化物(SiC)成為了行業(yè)新寵。...
英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品
隨著英飛凌技術(shù)公司推出全新的OptiMOS? 6 200 V MOSFET系列產(chǎn)品,電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域得到了顯著的推進(jìn)。
意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議助力800V平臺(tái)
12 月 22 日消息,據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息,該公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
2023-12-24 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)車意法半導(dǎo)體 952 0
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),Cool...
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