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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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安森美推出最新一代碳化硅技術(shù)平臺(tái)EliteSiCM3e MOSFET
面對(duì)不斷升級(jí)的氣候危機(jī)和急劇增長(zhǎng)的全球能源需求,世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標(biāo)而攜手努力,致力于減輕環(huán)境影響,實(shí)現(xiàn)可持續(xù)未來(lái)。其中的關(guān)鍵在于推...
2024-07-19 標(biāo)簽:MOSFET安森美功率半導(dǎo)體 1031 0
丁琪超重點(diǎn)介紹了實(shí)驗(yàn)室的6個(gè)技術(shù)能力體系。如實(shí)驗(yàn)室核心技術(shù)方向之一的“異質(zhì)集成”,能通過(guò)8英寸硅集成不同化合物半導(dǎo)體材料,發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢(shì)特性,集成相關(guān)芯片。
怎么通過(guò)SPICE仿真來(lái)預(yù)測(cè)VDS開關(guān)尖峰?
怎么通過(guò)SPICE仿真來(lái)預(yù)測(cè)VDS開關(guān)尖峰? SPICE仿真技術(shù)是電子工程師在設(shè)計(jì)和驗(yàn)證電路時(shí)的必備工具。VDS開關(guān)尖峰是指在開關(guān)型功率器件的開關(guān)過(guò)程中...
安森美歐洲工廠獲OKI排氣處理設(shè)備,生產(chǎn)環(huán)保有保障
沖電氣(OKI)向安森美半導(dǎo)體歐洲工廠提供排氣處理設(shè)備,既能完成常壓CVD制膜過(guò)程的排氣處理又同時(shí)確保制膜穩(wěn)定性,支持客戶生產(chǎn)過(guò)程的環(huán)保。
NP2305MR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2305MR采用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進(jìn)行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負(fù)載開關(guān) 或在PWM...
新型60V FemtoFET MOSFET減少您的元件占用面積
在中國(guó)深圳,我最近遇到了一位在一家信息娛樂(lè)系統(tǒng)制造商任職的設(shè)計(jì)師。你碰巧在你的設(shè)計(jì)中用過(guò)60V的負(fù)載開關(guān)嗎?我問(wèn)。他說(shuō)用過(guò),并告訴我他的電路板包含了大約...
2017-04-18 標(biāo)簽:mosfet信息娛樂(lè)系統(tǒng) 1028 0
NP2307SR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307SR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PW...
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高無(wú)線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性! 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓N...
2022-12-01 標(biāo)簽:MOSFET 1023 0
三安光電碳化硅實(shí)現(xiàn)了8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)
三安光電10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅產(chǎn)品上取得階段性進(jìn)展,實(shí)現(xiàn)8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn),部分產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。
業(yè)內(nèi)獨(dú)創(chuàng)!維安內(nèi)置絕緣封裝高壓MOSFET
近年來(lái),新一代電動(dòng)汽車的進(jìn)一步普及,促進(jìn)了更高效、更小型、更輕量的電動(dòng)系統(tǒng)的開發(fā)。同時(shí),在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,為延長(zhǎng)續(xù)航里程,車載電池的容量呈日益增加趨勢(shì),隨...
2023-01-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET 1022 0
Littelfuse發(fā)布IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
近日,Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這款新型驅(qū)動(dòng)器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 標(biāo)簽:MOSFETLittelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器 1021 0
Vishay SiC45x 系列器件榮獲 AspenCore 2021年度亞洲金選獎(jiǎng)
Vishay 公司 SiC45x 系列 microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器榮獲 AspenCore 2021 年度首屆亞洲金選獎(jiǎng) (EE Awards ...
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET,導(dǎo)通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術(shù)支持各級(jí)功率轉(zhuǎn)換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):V...
據(jù)鉅亨網(wǎng)報(bào)道,全球景氣去年下半年起下滑,筆電等消費(fèi)性市場(chǎng)享受階段紅利后,需求出現(xiàn)滑落,導(dǎo)致終端庫(kù)存水位高檔
近年來(lái),德州儀器 (TI) 等擁有強(qiáng)大制造足跡的全球公司已將一整套具有成本效益的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 產(chǎn)品組合推向市場(chǎng)。聯(lián)合電子器件工程委...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1015 0
MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率
采用芯片級(jí)MICRO FOOT封裝的P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET 日前,Visha...
2010-04-30 標(biāo)簽:MOSFET 1014 0
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