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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著市場對高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿...
2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 507 0
120V/4A半橋MOSFET高頻高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動器為工業(yè)及汽車應(yīng)用方案新選擇
概述:(兼用UCC27301A-Q1? NGD4300) PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關(guān)...
SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業(yè)應(yīng)用新突破
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級,芯片面積縮小20%,開關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。...
見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 661 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...
安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去...
2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 489 0
超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析,產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu),才能實(shí)現(xiàn)從“低端...
新品 | 100V耐壓360A電流 MOSFET 高效能 小體積TOLL封裝——開啟電源管理新紀(jì)元
在現(xiàn)代智能電子設(shè)備中,體積與效率的博弈從未停止。為應(yīng)對5G、新能源、汽車電子對高密度設(shè)計的需求,其中,MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠...
隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球?qū)Ω咝?、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動隔離供電的性價比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢中,驅(qū)動隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
WD5208高性能低功耗PWM控制功率開關(guān),集成500V高壓MOSFET和高壓啟動電路
WD5208詳解和應(yīng)用
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFETPWM功率開關(guān) 243 0
國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析
分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個SiC MOSFET型號(B3M040065Z和B3M040120Z)在T型三電平...
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進(jìn)一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列隔離式柵極驅(qū)動器概述
STGAP3S系列具備快速去飽和保護(hù)和靈活的米勒鉗位功能,專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計。這款柵極驅(qū)動器具有高CMTI,能夠滿足現(xiàn)今對電流能力和保護(hù)功能的最新要...
聯(lián)合電子新一代車載充配電單元產(chǎn)品批量交付
近日,聯(lián)合電子新一代車載充配電單元產(chǎn)品CharCON5U成功實(shí)現(xiàn)批量交付。這款產(chǎn)品最大的亮點(diǎn)將車載充電機(jī)(OBC,On-board Charger)和高...
2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET車載充電機(jī) 1022 0
IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索
一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)...
Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺
近日,碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺。該平臺在設(shè)計之初就充分考慮了耐久性和高效性,旨在為高功率應(yīng)...
帝奧微電子推出多通道半橋預(yù)驅(qū)系列DIA58104/8
DIA58104/8是帝奧微最新推出的多通道半橋預(yù)驅(qū)系列,采用7mm x 7mm的QFN封裝,可控制多達(dá)8個半橋(最多16個n溝道MOSFET),為系統(tǒng)...
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