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意法半導體STGAP3S系列隔離式柵極驅動器概述

意法半導體工業電子 ? 來源:意法半導體工業電子 ? 2025-02-21 15:05 ? 次閱讀

STGAP3S:高電流能力與先進保護功能提供了卓越的穩定性

STGAP3S系列具備快速去飽和保護和靈活的米勒鉗位功能,專為工業和能源應用設計。這款柵極驅動器具有高CMTI,能夠滿足現今對電流能力和保護功能的最新要求。STGAP3S系列提供10A和6A電流能力的不同選項,每種選項均配有專為碳化硅MOSFETIGBT設計的UVLO型號。

主要特性

■ BCD9S電氣隔離技術

高壓支持:可達1200V

■驅動電流:6A和10A

■支持驅動碳化硅MOSFET和IGBT

■去飽和保護

■可調節的軟關閉功能

■快速響應:延遲僅75ns

■米勒鉗位功能

■可選負極驅動

■±200V/ns CMTI

評估生態系統

評估板旨在幫助您快速評估STGAP3S隔離式單柵極驅動器的性能。

EVLSTGAP3S6S

面向帶保護功能的STGAP3S6S碳化硅MOSFET隔離式柵極驅動器的半橋評估板。

EVLSTGAP3SXS-H

面向帶保護功能的STGAP3SXS碳化硅MOSFET隔離式柵極驅動器的半橋評估板。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:用于碳化硅MOSFET和IGBT的先進電氣隔離式柵極驅動器STGAP3S

文章出處:【微信號:意法半導體工業電子,微信公眾號:意法半導體工業電子】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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