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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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4月17日,為期三天的2025慕尼黑上海電子展在上海新國際博覽中心收官。作為全球電子行業的年度盛會,本次展會吸引了近1800家展商,覆蓋半導體、傳感器、...
優恩半導體推出無觸點具備浪涌保護功能的MOSFET固態繼電器UNRD0610
MOSFET固態繼電器 : 最高負載電壓:60V 最大負載電流:10A 快速響應時間:≤1ms 低驅動電流:≤10mA 高絕緣性,輸入輸出間隔離電壓:A...
新品 | 半橋1200V CoolSiC? MOSFET EconoDUAL? 3模塊
新品半橋1200VCoolSiCMOSFETEconoDUAL3模塊采用EconoDUAL3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模塊。芯片為SiCMOSFE...
隨著現代電子技術的不斷發展,尤其是在電力電子領域,寬禁帶半導體材料的應用逐漸受到重視。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導體材料,因其優異的物理性能...
SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊,助力緊湊型高性能電源系統
在高電壓和高效率應用領域,SemiQ作為一家領先的設計和開發企業,近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨...
新品 | 6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiC MOSFET半橋電路
新品6.5A,5.7kVRMS單通道帶隔離電源的柵極驅動器評估板——SiCMOSFET半橋電路該評估板用于評估半橋電路中的1ED314xMC12H隔離柵...
低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”
低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應引領焊機產業升級的SiC碳化...
除了安森美CREE等還有哪些在美國境內流片的SiC碳化硅器件品牌
根據搜索結果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國境內涉及碳化硅(SiC)器件流片或代工合...
2025-04-14 標簽:MOSFET 171 0
BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強散熱、高集成度及完整生態支持 ,成為工商業儲能PCS的理想選擇。其通過優化動態特性與熱管理,顯著提升系...
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業,主要原因在于: SiC...
功率 MOSFET 怎么選?4 大核心參數 + 5 類照明場景適配指南(內有實測數據)
在智能照明系統中,功率 MOSFET 作為驅動電路核心器件,其選型直接影響燈具的亮度一致性、能效及壽命。本文針對工程師在器件選型中的核心痛點,系統解析導...
終端用戶通過TDDB和HTGB反制劣幣碳化硅MOSFET供應商的做賊心虛
針對部分國產碳化硅MOSFET廠商的閉口不談的柵氧可靠性隱患,終端用戶可通過TDDB(時變介質擊穿) 和 HTGB(高溫柵極偏壓)實驗方法進行檢驗,反制...
國產SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么
部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB(時間相關介電擊穿)和HTGB(高溫柵偏)報告作假的現象,反映了行業深層次的技術矛盾、市場...
車載充電機OBC中部分國產SiC MOSFET“爆雷”的本質原因
柵氧工藝和電性能指標的矛盾:部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商為降低成本,追求電性能指標,加上工藝條件受限,導致柵氧均勻性差、缺陷密度高,批次間柵氧可...
近日,省工信廳公布了省級制造業單項冠軍培育庫入庫企業名單,憑借在功率半導體細分領域的卓越表現成功入選,這一榮譽標志著公司在技術創新、市場競爭力及行業引領...
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