BMF240R12E2G3憑借低損耗、高耐壓、強(qiáng)散熱、高集成度及完整生態(tài)支持，成為工商業(yè)儲能PCS的理想選擇。其通過優(yōu)化動態(tài)特性與熱管理，顯著提升系統(tǒng)效率、功率密度與可靠性，契合新能源領(lǐng)域?qū)Ω咝阅堋⒏叻€(wěn)定性功率模塊的核心需求。BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲能變流器（PCS）首選的SiC MOSFET功率模塊，主要基于以下產(chǎn)品力：

1. 基本股份SiC功率模塊BMF240R12E2G3卓越的電氣性能

高耐壓與低導(dǎo)通損耗

電壓等級1200V，適用于高壓直流母線（如900V）場景，覆蓋工商業(yè)儲能PCS需求。

RDS(on)@25°C僅為5.5mΩ ，模塊整體導(dǎo)通損耗極低，顯著降低系統(tǒng)運(yùn)行能耗。

高溫特性優(yōu)異：RDS(on)在175°C時(shí)僅增至8.5mΩ，高溫下導(dǎo)通損耗增幅可控，保障重載效率。

優(yōu)化的開關(guān)特性

開關(guān)損耗（Eon/Eoff）隨溫度升高而下降，尤其是Eon呈現(xiàn)負(fù)溫度特性（高溫下降低約5%-10%）。

在800V/240A條件下，總開關(guān)能量（Etotal）僅25.24mJ（常溫）和20.82mJ（125°C），遠(yuǎn)優(yōu)于競品（如W***的26.42mJ）。

內(nèi)置SiC SBD二極管

零反向恢復(fù)（Qrr≈0.59μC@25°C），反向恢復(fù)能量（Err）低至0.08mJ，降低續(xù)流損耗和EMI風(fēng)險(xiǎn)。

相比傳統(tǒng)SiC MOSFET體二極管，VSD@240A僅1.35V（常溫），浪涌電流耐受能力更強(qiáng)。

2. 基本股份SiC功率模塊高熱可靠性與封裝設(shè)計(jì)

先進(jìn)散熱技術(shù)

Si3N4陶瓷基板：導(dǎo)熱率90W/mK，抗彎強(qiáng)度700N/mm2，支持高頻功率循環(huán)（1000次以上無分層）。

熱阻低至0.09K/W（結(jié)到殼），結(jié)合Press-FIT壓接技術(shù)，確保高效散熱與長期可靠性。

高溫運(yùn)行能力

結(jié)溫支持175°C，允許更高環(huán)境溫度下滿功率運(yùn)行。

仿真數(shù)據(jù)顯示，80°C散熱器溫度下，150kW負(fù)載時(shí)結(jié)溫僅142.1°C（逆變工況），滿足嚴(yán)苛工況需求。

3. 基本股份SiC功率模塊系統(tǒng)效率與功率密度提升

高頻應(yīng)用適配性

開關(guān)頻率支持40kHz以上，結(jié)合低開關(guān)損耗，PCS平均效率提升1%（對比IGBT方案）。

模塊體積緊湊（E2B封裝），功率密度提升25%，助力工商業(yè)儲能變流器PCS尺寸縮減。

動態(tài)性能優(yōu)勢

電容特性優(yōu)異：Coss@800V僅0.9nF，降低關(guān)斷損耗。

柵極電荷Qg=492nC，驅(qū)動功耗低，簡化驅(qū)動設(shè)計(jì)。

4. 基本股份SiC功率模塊可靠性與安全性設(shè)計(jì)

高閾值電壓（VGS(th)=4.0V）

降低門極噪聲干擾導(dǎo)致的誤開通風(fēng)險(xiǎn)，適應(yīng)復(fù)雜電磁環(huán)境。

集成NTC溫度傳感器

實(shí)時(shí)監(jiān)控模塊溫度，支持過溫保護(hù)策略，提升系統(tǒng)安全性。

米勒鉗位功能兼容性

配套驅(qū)動芯片（如BTD5350MCWR）支持低阻抗鉗位路徑，抑制米勒效應(yīng)導(dǎo)致的誤觸發(fā)。

5. 基本股份SiC功率模塊完整的生態(tài)系統(tǒng)支持

配套驅(qū)動與電源方案

基本半導(dǎo)體提供隔離驅(qū)動芯片（BTD5350MCWR）、正激電源芯片（BTP1521F）及隔離變壓器（TR-P15D523-EE13），形成“即插即用”驅(qū)動板解決方案，縮短開發(fā)周期。

驅(qū)動設(shè)計(jì)支持多管并聯(lián)均流，優(yōu)化動態(tài)一致性。

BASiC基本股份針對SiC碳化硅MOSFET多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用。BASiC基本股份的門極驅(qū)動芯片包括隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達(dá)8000V，驅(qū)動峰值電流高達(dá)正負(fù)15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。

BASiC基本股份低邊驅(qū)動芯片可以廣泛應(yīng)用于PFC、DCDC、同步整流，反激等領(lǐng)域的低邊功率器件的驅(qū)動或在變壓器隔離驅(qū)動中用于驅(qū)動變壓器，適配系統(tǒng)功率從百瓦級到幾十千瓦不等。

BASiC基本股份推出正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521P,BTP1521F，該芯片集成上電軟啟動功能、過溫保護(hù)功能，輸出功率可達(dá)6W。芯片工作頻率通過OSC 腳設(shè)定，最高工作頻率可達(dá)1.5MHz，非常適合給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。

對SiC碳化硅MOSFET單管及模塊+18V/-4V驅(qū)動電壓的需求，BASiC基本股份提供自研電源IC BTP1521P系列和配套的變壓器以及驅(qū)動IC BTL27524或者隔離驅(qū)動BTD5350MCWR(支持米勒鉗位)。

基本股份SiC功率模塊仿真與實(shí)測驗(yàn)證

仿真數(shù)據(jù)表明，125kW 工商業(yè)儲能變流器 PCS中BMF240R12E2G3在1.2倍過載（150kW）時(shí)結(jié)溫仍低于175°C，滿足超負(fù)荷運(yùn)行需求。

雙脈沖測試顯示，其開關(guān)波形（如di/dt、dv/dt）和抗干擾能力優(yōu)于國際競品。

6. 對比優(yōu)勢

基本股份SiC功率模塊與國際品牌對比

靜態(tài)參數(shù)：BVdss高達(dá)1650V（150°C），VSD@200A僅1.91V（常溫），顯著優(yōu)于W（5.45V）和I（4.86V）。

動態(tài)參數(shù)：Eon@400A/125°C僅14.66mJ，比W低8%，Err@125°C僅0.13mJ（W為0.66mJ）。

長期可靠性：內(nèi)嵌SBD技術(shù)使Ron波動<3%（1000小時(shí)老化），遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)體二極管（波動42%）。

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和高壓平面硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜跟住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

審核編輯 黃宇