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在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動電路常見類型

深圳比創(chuàng)達(dá)EMC ? 來源:jf_99355895 ? 作者:jf_99355895 ? 2025-04-14 16:48 ? 次閱讀

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,電磁兼容EMC)是確保設(shè)備穩(wěn)定可靠運(yùn)行的關(guān)鍵因素。功率 MOSFET 作為電子電路中的重要元件,其柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)與電磁兼容密切相關(guān)。由于 MOS 管的應(yīng)用場景多樣,因此產(chǎn)生了多種類型的驅(qū)動電路,這些電路在電磁兼容性方面各有優(yōu)劣。下面我們就來詳細(xì)了解一下幾種常見的 MOSFET 柵極驅(qū)動電路。

  1. IC 直接驅(qū)動型
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電源控制 IC 直接驅(qū)動是最為常見且簡單的驅(qū)動方式。在電磁兼容的范疇內(nèi),這種方式雖然具備電路簡單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn),但也存在諸多不容忽視的問題。不同的電源控制 IC 驅(qū)動電流各不相同,如果 IC 無法提供足夠的峰值驅(qū)動電流,MOSFET 的開啟速度將會變慢;而當(dāng)驅(qū)動能力不足時(shí),上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩現(xiàn)象,這無疑會對電磁環(huán)境產(chǎn)生干擾,影響整個(gè)系統(tǒng)的電磁兼容性(EMC)。此外,該驅(qū)動方式還存在電流反灌的風(fēng)險(xiǎn),過大的驅(qū)動 IC 引腳負(fù)壓可能導(dǎo)致驅(qū)動 IC 損壞。同時(shí),驅(qū)動能力受限于驅(qū)動 IC,會造成驅(qū)動 IC 的損耗增大、發(fā)熱嚴(yán)重。充放電電流均流經(jīng)驅(qū)動 IC,較長的驅(qū)動信號線容易耦合外部噪聲,進(jìn)而干擾驅(qū)動 IC 內(nèi)部的邏輯電路和時(shí)鐘電路,導(dǎo)致工作狀態(tài)異常,嚴(yán)重威脅到系統(tǒng)的電磁兼容性。

  1. 推挽輸出電路增強(qiáng)驅(qū)動型
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推挽驅(qū)動電路在電磁兼容設(shè)計(jì)中扮演著重要角色,其主要作用是增加驅(qū)動峰值電流,從而快速完成柵極電容的充放電過程。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)能夠有效減小 MOSFET 的開關(guān)時(shí)間,使其快速開通與關(guān)斷,但同時(shí)也可能引發(fā)驅(qū)動振蕩,對電磁環(huán)境產(chǎn)生一定影響。從電磁兼容的角度來看,驅(qū)動器件可以靠近 MOS 管放置,這有助于減小寄生電感,對提升電磁兼容性具有積極意義。推挽輸出驅(qū)動自身帶有兩個(gè) PN 結(jié)保護(hù),可防止反向破壞,對 IC 驅(qū)動能力的要求相對較低,IC 驅(qū)動損耗也較小。然而,該電路存在器件較多的問題,驅(qū)動電壓需要從 VCC 引入,并且需要加入反相電路的圖騰柱,這使得驅(qū)動的 di/dt 增大,對 IC 的邏輯干擾增強(qiáng),在電磁兼容設(shè)計(jì)時(shí)需要重點(diǎn)關(guān)注這些因素。

  1. 二極管關(guān)斷加速驅(qū)動型

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在電磁兼容的考量下,二極管關(guān)斷加速驅(qū)動電路具有開啟和關(guān)斷可獨(dú)立調(diào)節(jié)的特點(diǎn),電路結(jié)構(gòu)相對簡單。不過,隨著 VGS 電壓的降低,二極管的作用逐漸減弱,僅在 Turn Off Delay Time 階段表現(xiàn)較為明顯。此外,放電電流流經(jīng)驅(qū)動芯片會導(dǎo)致其發(fā)熱,較大的寄生電感也會對電磁兼容性產(chǎn)生一定影響。因此,這種驅(qū)動電路主要應(yīng)用于小功率開關(guān)電源電路,且在驅(qū)動 IC 發(fā)熱較小的情況下,以確保電磁兼容性(EMC)滿足要求。

  1. 三極管關(guān)斷加速驅(qū)動型

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三極管關(guān)斷加速驅(qū)動電路在電磁兼容環(huán)境中具有獨(dú)特的優(yōu)勢,其開啟和關(guān)斷速度均可獨(dú)立調(diào)節(jié),且關(guān)斷速度較快,驅(qū)動環(huán)路的寄生電感影響相對較小。然而,當(dāng)泄放三極管基極電阻及 R3過小時(shí),若 Q1的B值過大,需要防止瞬態(tài)飽和電流超過三極管的電流應(yīng)力,同時(shí)要警惕關(guān)斷過快引發(fā)的振蕩問題,這些振蕩可能會成為電磁干擾源,影響系統(tǒng)的電磁兼容性。為解決這一問題,泄放三極管 BE 間需并聯(lián)二極管進(jìn)行電壓箝位。該電路主要應(yīng)用于較大功率開關(guān)電源,特別是在橋式開關(guān)電源中,需要嚴(yán)格控制泄放速度,過快可能導(dǎo)致振蕩,過慢則可能引發(fā)二次開通問題,這兩種情況都會對電磁環(huán)境造成不良影響。

  1. 變壓器加速關(guān)斷驅(qū)動電路

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在電磁兼容設(shè)計(jì)中,變壓器加速關(guān)斷驅(qū)動電路具有重要意義。為滿足驅(qū)動高邊 MOS 管的需求,通常會采用變壓器驅(qū)動方式,這不僅能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動功能,還可用于安全隔離,是電磁兼容設(shè)計(jì)中的一種有效手段。使用 R1 電阻的目的在于抑制 PCB 板上的寄生電感與 C1 形成 LC 振蕩,其設(shè)計(jì)原理是隔離直流、通過交流,同時(shí)防止磁芯飽和,這些措施都是為了確保整個(gè)電路的電磁兼容性(EMC),減少電磁干擾,保障系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

綜上所述,在設(shè)計(jì) MOSFET 柵極驅(qū)動電路時(shí),必須充分考慮電磁兼容(EMC)因素,精心選擇合適的驅(qū)動電路類型,并采取相應(yīng)的措施來優(yōu)化電磁兼容性,以確保電子設(shè)備能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

審核編輯 黃宇

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