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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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老舊MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動下的部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對部分國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計中+15V驅(qū)動電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
基本半導(dǎo)體亮相2025上海國際充換電與光儲充展覽會
此前,5月14-16日,2025第四屆上海國際充換電與光儲充展覽會(簡稱:CPSE上海充換電展)在上海汽車會展中心盛大開幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率...
AMEYA360:ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET,助力快速充電應(yīng)用
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”,其封裝尺寸僅為2.0mm×...
浮思特 | 從IGBT到超結(jié)MOSFET:超結(jié)MOSFET成冰箱變頻技術(shù)新寵
目前全球每年銷售約2.2億臺冰箱和冰柜,2024年市場規(guī)模約為750億美元。預(yù)計該市場將以6.27%的年復(fù)合增長率持續(xù)增長,到2032年將達(dá)到約1200...
內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊?被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
全球先進(jìn)的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Cen...
2025-05-15 標(biāo)簽:MOSFET太陽能系統(tǒng) 150 0
聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET
在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點,高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V Si...
納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET
納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V與1200V“...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅納微半導(dǎo)體 257 0
此前,4月23日至5月2日,華大半導(dǎo)體應(yīng)邀參加第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會(以下簡稱“上海車展”),本屆上海車展長達(dá)10天,覆蓋汽車整車、零部件、芯...
2025-05-13 標(biāo)簽:MOSFET汽車芯片華大半導(dǎo)體 277 0
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2541 0
圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 300 0
龍騰半導(dǎo)體榮膺陜西省半導(dǎo)體協(xié)會20周年突出貢獻(xiàn)單位
此前,4月27日至28日,2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會在西安盛大召開,龍騰半導(dǎo)體受邀參會。
AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應(yīng)用能效優(yōu)化而生
日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
AI人工智能崛起:高性能MOSFET如何重塑能效架構(gòu)
本文將聚焦AI對數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的影響,以及這些變化對服務(wù)器和機(jī)架技術(shù)的意義。具體而言,我們將探討轉(zhuǎn)向48V架構(gòu)如何提升數(shù)據(jù)中心能效,以及高性能硅基MOSF...
新潔能Gen.4超結(jié)MOSFET 800V和900V產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOS采用垂直結(jié)構(gòu)設(shè)計,在漂移區(qū)內(nèi)交替排列垂直的P型柱區(qū)和N型柱區(qū),形成“超級結(jié)”單元,通過電荷補(bǔ)償技術(shù)突破傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體“硅極限”的高壓器件,其核...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 332 0
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進(jìn)行...
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢: 傾佳電子(Changer Tech...
B3M040120Z SiC MOSFET在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與高柵氧可靠性的技術(shù)優(yōu)勢
B3M040120Z SiC MOSFET在充電樁中的應(yīng)用:低關(guān)斷損耗與高柵氧可靠性的技術(shù)優(yōu)勢 引言 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,充電樁對功率器件的效率、...
引領(lǐng)高電壓驅(qū)動新紀(jì)元——10P0635Vxx IGBT門極驅(qū)動器賦能高效電力系統(tǒng)
引領(lǐng)高電壓驅(qū)動新紀(jì)元——10P0635Vxx IGBT門極驅(qū)動器賦能高效電力系統(tǒng) 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(Si...
2025-05-06 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)IGBT驅(qū)動器 166 0
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