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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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近日,ICCAD-Expo 2024(上海集成電路2024年度產業發展論壇暨(第三十屆)中國集成電路設計業展覽會)在上海隆重舉辦。作為國際公認的測試、檢...
12月12日晚,第三代半導體“2024行家極光獎”在深圳揭曉,數百家SiC&GaN企業代表聯袂赴宴,經過數月時間的緊密籌劃,專家組委會和眾多行業...
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率...
2024-12-16 標簽:MOSFET 242 0
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CC...
Nexperia發布16款新功率MOSFET,采用創新CCPAK封裝
Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。這些產品均采用了創新的銅夾片CCPAK1212封裝技術,為行業樹立了功率密...
意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優勢,并...
近日,第十五屆亞洲電源技術發展論壇在深圳灣萬麗酒店圓滿結束。龍騰半導體全程參與了這場匯聚行業精英與前沿技術的電源盛會:不僅精彩展示了最新產品和技術成果,...
日前,經過提名和票選,瑞能半導體的“頂部散熱產品系列”成功獲評EE Awards Asia亞洲金選獎“功率半導體產品大獎”。
MOSFET規格書寫的體二極管正向電流175A靠譜嗎?如何計算真實的通流能力?-電路易錯點
Part 01 前言 上一篇文章我們介紹了MOSFET體二極管的關鍵參數以及電路設計關注點,其中Diode continuous forward cur...
隨著全球對環境保護意識的增強和能源結構的轉型,光儲充系統作為連接光伏發電、儲能裝置和電動汽車充電站的重要橋梁,正迎來前所未有的發展機遇。而功率半導體,作...
新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產品
新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產品覆蓋了12V至200V的電壓范圍,主要適用于中低壓場合,特別是在低壓領域具有...
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產品是基于傳統溝槽式MOSFET的改進版本,其出色的導通電阻、品質因子和快速硬開關能力...
瞻芯電子參與編制SiC MOSFET可靠性和動態開關測試標準
日前,在第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS)上,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)發布了9項碳化硅 (SiC) MOSFET測試與可靠性標準...
新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD2PAK-7L封裝采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiCG21...
瞻芯電子推出采用TC3Pak封裝的1200V SiC MOSFET
為了滿足高密度的功率變換的需求,瞻芯電子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)頂部散熱型、表面貼封裝1200V碳化硅(S...
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