日前，經(jīng)過提名和票選，瑞能半導(dǎo)體的“頂部散熱產(chǎn)品系列”成功獲評(píng)EE Awards Asia亞洲金選獎(jiǎng)“功率半導(dǎo)體產(chǎn)品大獎(jiǎng)”。

關(guān)于EE Awards Asia

EE Awards Asia 亞洲金選獎(jiǎng)深受工程師的信賴，獲獎(jiǎng)?wù)哂葾SPENCORE全球資深編輯組成的評(píng)審委員會(huì)以及來自亞洲的網(wǎng)站用戶群共同評(píng)選產(chǎn)生。在專業(yè)技術(shù)媒體及科技人士的共同見證下，其評(píng)選的年度推薦榜單已經(jīng)成為最佳設(shè)計(jì)解決方案的指南。

瑞能半導(dǎo)體頂部散熱產(chǎn)品系列

瑞能半導(dǎo)體推出一系列頂部散熱型表面貼裝碳化硅器件，封裝包括TSPAK和TOLT，產(chǎn)品覆蓋SiC肖特基二極管與MOSFET，構(gòu)成完整的產(chǎn)品陣容。

主要優(yōu)勢：

相較于傳統(tǒng)底部散熱型表貼功率器件，頂部散熱封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案，可以更大程度的挖掘SiC器件的性能潛力。基于頂部散熱的封裝設(shè)計(jì)，可以使功率器件熱量直接向散熱器傳遞，不必經(jīng)過PCB的熱過孔，顯著降低結(jié)到散熱器熱阻約17%~19%，幫助提升電路性能或減小功率器件選型降低成本。

同時(shí)，PCB設(shè)計(jì)可以采用更靈活的電流路徑規(guī)劃，取消熱過孔或PCB散熱覆銅面積后，可以獲得最小的電流環(huán)路面積和極低的線路寄生感抗，使開關(guān)損耗和EMI輻射水平也降到最低，縮短產(chǎn)品EMC調(diào)試時(shí)間和成本。

采用頂部散熱封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247等傳統(tǒng)直插型封裝，還具有基于SMD的PCB組裝方式，同時(shí)避免依次安裝絕緣襯套緊固螺絲，實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢。

瑞能提供豐富的頂部散熱產(chǎn)品選擇和組合模式，工規(guī)與車規(guī)產(chǎn)品均有規(guī)劃。可以應(yīng)用于OBC，充電樁模塊，服務(wù)器電源，光伏逆變器等各種功率變換設(shè)備，幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)提高功率密度，并減少系統(tǒng)尺寸、重量和成本。

產(chǎn)品規(guī)格：

TOLT封裝提供650V 20~70mΩ SiC MOSFET 以及10~20A SiC SBD。

TSPAK產(chǎn)品提供650V~1200V，12~150mΩ SiCMOSFET 以及10~40A SiC SBD。