意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優(yōu)勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應用場景設計。

新推出的工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG，額定漏極電流均超過300A，最大導通電阻RDS(on)僅為1mΩ，能夠在高功率應用中實現(xiàn)卓越的能效。其動態(tài)性能也得到了顯著提升，總柵極電荷典型值為65nC，同時擁有低電容(Ciss, Crss)，確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。

此外，該系列MOSFET體二極管具有低正向電壓和快速反向恢復特性，這些特點有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。在工業(yè)和汽車等高要求的應用場景中，這些特性尤為重要，能夠確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。

意法半導體的這一新品推出，再次展示了其在MOSFET技術領域的領先地位。未來，意法半導體將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新和產品研發(fā)，為用戶提供更加高效、可靠的半導體解決方案。