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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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戰(zhàn)爭(zhēng)在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù),而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說,前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師,本文的讀者就...
基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源
作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子...
2021-03-10 標(biāo)簽:變壓器MOSFET并聯(lián)電容器 9577 0
介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時(shí)也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
多種MOSFET雙脈沖測(cè)試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET 9511 0
場(chǎng)效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 9510 0
米勒效應(yīng)(Miller effect)是在電子學(xué)中,反相放大電路中,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...
2023-05-15 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 9452 0
雙向開關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能
雙向電源開關(guān) (BPS) 是一種使用 MOSFET 或 IGBT 構(gòu)建的有源器件,在上電時(shí)允許雙向雙向電流流動(dòng),并在斷電時(shí)阻止雙向電壓流。
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對(duì)方法
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...
2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 9426 0
MOS在模擬電路上的應(yīng)用 MOSFET組成的H橋驅(qū)動(dòng)電路
最開始學(xué)習(xí)三極管的時(shí)候,很注重它的工作原理,后來到了實(shí)際應(yīng)用,就直接把三極管或MOSFET直接當(dāng)作一個(gè)開關(guān)器件使用。直到前這幾天,接觸到MOSFET組成...
2020-10-15 標(biāo)簽:三極管MOSFET步進(jìn)電機(jī) 9382 0
盤點(diǎn)MOSFET技術(shù) MOS在電路中的常見應(yīng)用
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文簡(jiǎn)稱是MOSFET,一般也簡(jiǎn)稱為...
2021-03-18 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體三極管 9379 0
分別說說VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)
MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)、Si MOSFET(硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管(以下簡(jiǎn)稱MOS管)中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu),是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。
2022-08-20 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 9353 0
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
MOSFET及IGBT在電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)
多數(shù)情況下,功率變換器的傳導(dǎo)干擾以共模干擾為主。本文介紹了一種基于補(bǔ)償原理的無源共模干擾抑制技術(shù),并成功地應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)渲小@碚摵蛯?shí)驗(yàn)結(jié)果都證...
2017-09-28 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 9286 0
mos場(chǎng)效應(yīng)管一共幾種類型 MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是什么?
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下,MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用
雙脈沖測(cè)試就是給被測(cè)器件兩個(gè)脈沖作為驅(qū)動(dòng)控制信號(hào),如圖1所示。第一個(gè)脈沖相對(duì)較寬,以獲得一定的電流。
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