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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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恒壓恒流輸出的電源適配器樣機測試 思睿達TT5565SG+TT3006方案
01、樣機介紹 該 測試 報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率12W,恒壓恒流輸出的電源 適配器 樣機,控制IC采用了思睿達的TT5565SG...
什么是JFET?什么是MOSFET?JFET和MOSFET的比較
JFET的全稱為結型場效應晶體管,MOSFET的全稱為金屬氧化物半導體場效應晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應晶體管(FET),...
電力電子朝向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙(WBG)材料發(fā)展,雖然硅仍然占據(jù)市場主流,但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。
電源系統(tǒng)中的恒定電流源,固態(tài)繼電器,電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET,當柵極至源極電壓為零時,該MOSFET用作常開的開關。...
2021-05-27 標簽:MOSFET固態(tài)繼電器電源系統(tǒng) 9130 0
MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個電容?居然能解決MOS誤導通的問題?
Part 01 前言 在MOSFET中,dv/dt指的是MOSFET在開關瞬態(tài)期間,其漏源電壓Vds的變化率,即漏極和源極之間電壓隨時間的變化速度。一般...
一種先進的利用電流檢測端子實現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護方法
采用電流檢測并用于FMF800DX-24A的先進保護方法是通過參考設計RDHP-1417來實現(xiàn)的(其采用驅動核2SC0435T)[4][5],并包括過壓...
如何利用MOSFET的三極管和飽和區(qū)與負載電阻配對以提供脈沖電流
從波特圖獲取增益和相位裕度。該方法通過在頻率上觀察電路的特性響應來通過判斷領域。需要價格昂貴的網(wǎng)絡分析儀或頻率響應分析儀,將頻率掃至所需范圍的正弦波與輸...
緩解開關電源的低頻和高頻EMI的創(chuàng)新解決方案
“鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進度,浪費大量時間和資金,因此必須在設計之初就應考慮EMI 問題。”德州儀器(TI)白皮書《通過節(jié)省時間和成本的創(chuàng)...
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