MOS場效應管（MOSFET）是金屬-氧化物-半導體場效應管的簡稱，是一種表面場效應器件，是靠多數載流子傳輸電流的單極型器件。
MOS場效應管可以是半導體材料Ge（鍺zhě）、Si（硅）為材料，也可以用化合物半導體GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦yīn）等材料，以Si使用最多，
MOS器件柵下絕緣層可以選用：SiO2和Si3N4等絕緣材料，其中SiO2最為普遍。MOS場效應管的基本結構一般是一個四端器件。
?
?
MOS場效應管（以下簡稱MOS管）中間是部分是金屬-絕緣體-半導體組成的MOS電容結構，是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結構。
最上面是柵極G，在柵極施加電壓，可以改變絕緣層中的電場強度，控制半導體表面電場，從而改變半導體表面溝道的導電能力。
MOS管兩側的電極為源極和漏極，正常工作狀態是從源極流入溝道，從漏極流出，即上圖中的從左到右，中間穿過襯底n-Si部分。
MOS管的第四電極是襯底電極B，在單MOS管中，源極往往與襯底相連，而形成一個三端器件，在集成電路中，源極往往不與襯底相連，因此產生四端（四電極）器件。
MOSFET制造工藝和雙極型集成電路制造工藝相似。
下面以硅柵nMOS管的工藝為例，介紹完整MOSFET的典型形成過程：
（1）????? 襯底選擇，通常選用P型硅（300um厚）作為襯底材料
（2）????? 生長場氧化層，形成器件之間的隔離氧化層
（3）????? 有源區光刻，采用掩模板對準曝光，顯影，將所需要做的器件區域? ? ? ? ?（有源區）暴露出來，刻蝕掉該區域隔離氧化層。
（4）????? 光刻多晶硅，生長柵氧化層，淀積多晶硅，之后采用掩模板對準曝? ? ? ? ? 光，顯影，刻蝕掉其余多晶硅和柵氧化層。
（5）????? 源區和漏區摻雜，As擴散或離子注入，形成nMOS的源區和漏區。
（6）????? 生長磷硅玻璃（PSG）
（7）????? 光刻引線孔（接觸孔），涂膠后進行掩模對準，曝光顯影后刻蝕掉接觸孔部位的PSG。
審核編輯：劉清